1 月 19 日消息 根據(jù)外媒 WinFuture 的消息，三星即將發(fā)布新款的 870 EVO SSD ，采用了 TLC 顆粒，SATA 3 接口，最高 4TB 容量。
IT之家了解到，三星 870 EVO 采用了 V-NAND 3-bit MLC，可選 250GB、500GB、1TB、2TB 和 4TB 版本。其中 1TB 以下搭載 512GB LPDDR4 緩存，1TB 版本 搭載 1GB LPDDR4 緩存、2TB 版本搭載 2GB LPDDR4 緩存、4TB 版本搭載 4GB LPDDR4 緩存。
速度方面，三星 870 EVO 連續(xù)讀取速度 560MB/s，連續(xù)寫入速度 530MB/s，隨機(jī)讀取速度分別為 98k 和 88k IOPS。
目前，三星尚未公布何時(shí)發(fā)布 870 EVO SSD。
責(zé)任編輯：PSY
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
三星電子
+關(guān)注
關(guān)注
34文章
15885瀏覽量
182204 -
接口
+關(guān)注
關(guān)注
33文章
8968瀏覽量
153370 -
SSD
+關(guān)注
關(guān)注
21文章
2956瀏覽量
119250 -
TLC
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
137瀏覽量
52026
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
400層閃存、HBM4、122TB SSD等，成為2025年存儲(chǔ)市場(chǎng)牽引力
SSD也因AI訓(xùn)練和推理所需數(shù)據(jù)量的增加而不斷擴(kuò)大容量，以至于122TB甚至更高的SSD推出。智能手機(jī)市場(chǎng)，UFS4.0 QLC的發(fā)布將進(jìn)一
回收三星S21指紋排線 適用于三星系列指紋模組
深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線，收購(gòu)適用于三星S21指紋模組?；厥?b class='flag-5'>三星指紋排線，收購(gòu)三星指紋排線，全國(guó)高價(jià)回收三星指紋排線，專業(yè)求購(gòu)指紋
發(fā)表于 05-19 10:05
三星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測(cè)試良率
三星電子在 HBM3 時(shí)期遭遇了重大挫折，將 70% 的 HBM 內(nèi)存市場(chǎng)份額拱手送給主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 SK 海力士，更是近年來(lái)首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在 HBM4
發(fā)表于 04-18 10:52
三星電容的耐壓與容量，如何滿足不同電路需求？
三星電容的耐壓與容量是滿足不同電路需求的關(guān)鍵因素。以下是對(duì)三星電容耐壓與容量的詳細(xì)分析，以及如何根據(jù)電路需求進(jìn)行選擇的方法： 一、三星電容的
突破存儲(chǔ)形態(tài)與邊界！佰維全新Mini SSD震撼發(fā)布，引領(lǐng)端側(cè)智能時(shí)代存儲(chǔ)新范式！
Mini SSD在小巧機(jī)身中實(shí)現(xiàn)了卓越的性能表現(xiàn)。產(chǎn)品支持PCIe 4.0×2接口與NVMe 1.4協(xié)議，采用3D TLC NAND介質(zhì)，讀取速度高達(dá)3700MB/s，寫入速度高達(dá)34
美光科技推出新一代6500 ION SSD
美光科技近日宣布推出旗艦企業(yè)級(jí)SSD——6500 ION，這款SSD號(hào)稱是世界上容量最大、速度最快、能效最高的SSD。它支持PCIe 5.0
群聯(lián)電子將發(fā)布Pascari D系列PCIe Gen 5 128TB SSD
群聯(lián)電子近期宣布，將在SC24展會(huì)上隆重推出其最新且容量最高的Pascari D系列數(shù)據(jù)中心優(yōu)化型SSD。該系列中的旗艦產(chǎn)品Pascari D205V，單個(gè)硬盤即可提供高達(dá)122.88TB
三星PM9E1 SSD正式量產(chǎn)，專為AI應(yīng)用打造
三星電子近日宣布，其當(dāng)前性能最高、容量最大的PCIe 5.0固態(tài)硬盤——PM9E1已正式啟動(dòng)量產(chǎn)。這款SSD專為人工智能應(yīng)用而設(shè)計(jì)，將成為端側(cè)人工智能PC的優(yōu)選解決方案。
三星推出990 EVO Plus固態(tài)硬盤，支持PCIe 4.0性能出色
容量高達(dá)4TB，提供增強(qiáng)的性能和能效。性能卓越，隨機(jī)讀寫速度分別最高可達(dá) 1,050K IOPS 和 1,400K IOPS。 韓國(guó)——2024年9月25日 —三星電子于今天宣布推出9
三星電子發(fā)布最新固態(tài)硬盤產(chǎn)品990 EVO Plus
9月26日，三星電子震撼發(fā)布了其旗艦級(jí)固態(tài)硬盤新品——990 EVO Plus，該產(chǎn)品標(biāo)志著存儲(chǔ)技術(shù)的新里程碑。融合了三星自研的第8代V-NAND尖端技術(shù)與突破性的5納米主控芯片，99
三星電子量產(chǎn)1TB QLC第九代V-NAND
三星電子今日宣布了一項(xiàng)重大里程碑——其自主研發(fā)的1太比特（Tb）容量四層單元（QLC）第九代V-NAND閃存已正式邁入量產(chǎn)階段。這一成就不僅標(biāo)志著三星在存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)先，也預(yù)示著
三星電子推出性能更強(qiáng)、容量更大的升級(jí)版1TB microSD 存儲(chǔ)卡
160MB/s，可輕松處理較大文件 韓國(guó)首爾--2024年7月31日--三星電子宣布推出1 TB大容量microSD存儲(chǔ)卡PRO Plus和EVO Plus。PRO Plus和
三星發(fā)布旗下首款超大容量固態(tài)硬盤BM1743
，將固態(tài)硬盤的容量上限提升至了一個(gè)全新的高度。BM1743的發(fā)布，不僅標(biāo)志著三星在存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的又一次重大突破，也預(yù)示著數(shù)據(jù)存儲(chǔ)行業(yè)即將迎來(lái)一場(chǎng)前所未有的變革。
三星電子否認(rèn)HBM3e芯片通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試
韓國(guó)新聞源NewDaily近日發(fā)布了一則報(bào)道，聲稱三星電子的HBM3e芯片已成功通過(guò)英偉達(dá)的產(chǎn)品測(cè)試，預(yù)示著即將開啟大規(guī)模生產(chǎn)并向英偉達(dá)供貨的序幕。然而，
Galaxy AI體驗(yàn)煥新 三星Galaxy全球新品發(fā)布會(huì)即將啟幕
用戶帶來(lái)了革新移動(dòng)體驗(yàn)。 就在上周，三星電子官方宣布Galaxy AI再度迎來(lái)突破創(chuàng)新。而更強(qiáng)大的AI功能即將在7月10日于巴黎舉行的三星Galaxy全球新品發(fā)布上，與第六代
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論