0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

研究人員發(fā)現(xiàn)新型實(shí)用硅基LED 比以前的正向偏壓硅LED亮度高10倍

IEEE電氣電子工程師 ? 來源:IEEE電氣電子工程師學(xué)會 ? 作者:IEEE電氣電子工程師 ? 2021-01-16 09:16 ? 次閱讀

十年來,研究人員一直試圖制造出一種有效的硅LED,這種LED可以與其芯片一起制造。在設(shè)備層面上,這種探索對于我們的移動設(shè)備上沒有的所有應(yīng)用程序都很重要,這些應(yīng)用程序?qū)⒁蕾嚵畠r(jià)且易于制造的紅外線光源。

硅LED專門用于紅外光,使其適用于自動對焦相機(jī)或測量距離的能力 -- 大多數(shù)手機(jī)現(xiàn)在都有的功能。但實(shí)際上沒有電子產(chǎn)品使用硅發(fā)光二極管,而是要選擇更昂貴的材料,必須單獨(dú)制造。

然而,這種難以捉摸的發(fā)光硅基二極管的前景可能正在發(fā)生改變。麻省理工學(xué)院的研究人員在博士生Jin Xue的帶領(lǐng)下,設(shè)計(jì)了一種帶有硅LED的功能性CMOS芯片,由新加坡GlobalFoundries公司制造。他們在最近的IEEE International Electron Devices(IEDM)大會上介紹了他們的工作。

坦率地說,迄今為止的主要問題是,硅并不是一種很好的LED材料。

LED由一個(gè)n型區(qū)域組成,該區(qū)域富含激發(fā)的自由電子,與一個(gè)p型區(qū)域連接,該區(qū)域包含正電荷的“空穴”供這些電子填充。當(dāng)電子進(jìn)入這些空穴時(shí),它們會降低能級,釋放出能量的差異。像氮化鎵或砷化鎵這樣的標(biāo)準(zhǔn)LED材料是直接帶隙材料,其電子是強(qiáng)大的光發(fā)射體,其導(dǎo)帶最小值和價(jià)帶最大值具有同一電子動量,導(dǎo)帶底的電子與價(jià)帶頂?shù)目昭梢酝ㄟ^輻射復(fù)合而發(fā)光,復(fù)合幾率大,發(fā)光效率高。

然而,硅是一種間接帶隙半導(dǎo)體材料,其導(dǎo)帶最小值和價(jià)帶最大值的動量值不同。因此,硅材料中的電子傾向于將能量轉(zhuǎn)化為熱,而不是光,使得硅基LED的能量轉(zhuǎn)換速度和效率均低于其同類產(chǎn)品。

因此,只有突破能隙問題,硅基LED才有可能真正投入使用。

針對能隙問題,目前的解決方案主要有兩種,一種是制造硅鍺合金,另一種是采用正偏/反偏方法。

第一種方法即制造硅鍺合金。通過改變硅晶格的形狀,使其從立方結(jié)構(gòu)變?yōu)榱浇Y(jié)構(gòu),再將硅鍺兩種材料按一定比例組合起來,可以得到直接帶隙的合金。

今年早些時(shí)候,荷蘭埃因霍芬理工大學(xué)Erik Bakkers領(lǐng)導(dǎo)的研究團(tuán)隊(duì)采用VLS生長納米硅線成功制備出一種新型硅鍺合金發(fā)光材料,并研制出一款能夠集成到現(xiàn)有芯片中的硅基激光器。該團(tuán)隊(duì)表示,這款小小的激光器或許能在未來大幅降低數(shù)據(jù)傳輸?shù)某杀?,并提高效率?/p>

這不乏是一種好方法,不過制備六方結(jié)構(gòu)硅材料并非易事,其晶像也難以控制。

第二種方法即正偏/反偏方法。其中反偏技術(shù)至今已有50余年的歷史。

什么是反偏呢?其全稱是反向偏置,這樣一來,電子無法立馬和空穴復(fù)合,當(dāng)電場達(dá)到臨界強(qiáng)度后,電子加速運(yùn)動,電流倍增,形成“電雪崩”。LED可以利用“雪崩”的能量發(fā)出明亮的光。不過反偏所需電壓通常比標(biāo)準(zhǔn)電壓高出好幾倍。

與反偏相對的便是正偏。在正向偏置模式下,電子可以盡情涌流。21世紀(jì)以來,一些研究人員也對正偏技術(shù)進(jìn)行了完善,讓硅基LED能在1伏特電壓下發(fā)光。盡管所需電壓已經(jīng)達(dá)到常規(guī)CMOS芯片中晶體管的水平,但這種硅基LED的亮度尚不能滿足日常所需。

麻省理工學(xué)院的研究人員之一Rajeev Ram說:“我們基本上是在壓制所有的競爭過程,使之可行?!盧am說他們的設(shè)計(jì)比以前的正向偏壓硅LED亮度高10倍。這還不足以在智能手機(jī)上推廣,但Ram相信未來還會有更多進(jìn)步。

美國國家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究所(U.S. National Institute of Standards and Technology,NIST)的研究員Sonia Buckley不是麻省理工學(xué)院GlobalFoundries研究小組的成員,她說這些LED優(yōu)先考慮功率而不是效率。她說:“如果你有一些應(yīng)用程序可以忍受低效率和高功率驅(qū)動你的光源,那么這比現(xiàn)在的LED要容易得多,而且很可能要便宜得多,因?yàn)長ED沒有與芯片集成?!?/p>

Ram認(rèn)為,硅基LED的特性非常符合近程傳感的需求,并透露團(tuán)隊(duì)將針對智能手機(jī)平臺研發(fā)一個(gè)用于近距離測距的全硅基LED系統(tǒng)。他說道:“這可能是該技術(shù)近期的應(yīng)用方向之一,通過這個(gè)項(xiàng)目,我們和格羅方德的合作關(guān)系也會得以深化?!?/p>

責(zé)任編輯:xj

原文標(biāo)題:研究人員發(fā)現(xiàn)新型實(shí)用硅基LED 亮度提升近10倍

文章出處:【微信公眾號:IEEE電氣電子工程師學(xué)會】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • led
    led
    +關(guān)注

    關(guān)注

    242

    文章

    23308

    瀏覽量

    661603
  • 照明
    +關(guān)注

    關(guān)注

    11

    文章

    1521

    瀏覽量

    131446
  • 硅基
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    57

    瀏覽量

    15687

原文標(biāo)題:研究人員發(fā)現(xiàn)新型實(shí)用硅基LED 亮度提升近10倍

文章出處:【微信號:IEEE_China,微信公眾號:IEEE電氣電子工程師】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    用平面錐制造100μm深10μm寬的縱橫通孔

    為了消除傳統(tǒng)貝塞爾光束的旁瓣引起的燒蝕,利用WOP平面錐鏡/平板錐透鏡定制飛秒貝塞爾光束。定制的飛秒貝塞爾光束可用于在100μm厚的襯底上制造直徑約10μm高深寬
    的頭像 發(fā)表于 12-09 16:52 ?241次閱讀
    用平面錐制造100μm深<b class='flag-5'>10</b>μm寬的<b class='flag-5'>高</b>縱橫<b class='flag-5'>比</b><b class='flag-5'>硅</b>通孔

    中國科大實(shí)現(xiàn)耦合高度可調(diào)的二維量子點(diǎn)陣列

    圖(左)量子點(diǎn)二維陣列器件核心區(qū)的電子顯微鏡偽色圖;(右)任意調(diào)控量子點(diǎn)間最近鄰和次近鄰耦合,從而構(gòu)造出不同的耦合結(jié)構(gòu)。 我校郭光燦院士團(tuán)隊(duì)在量子點(diǎn)陣列的二維擴(kuò)展及其耦合可調(diào)性
    的頭像 發(fā)表于 12-03 06:24 ?182次閱讀
    中國科大實(shí)現(xiàn)耦合高度可調(diào)的二維<b class='flag-5'>硅</b><b class='flag-5'>基</b>量子點(diǎn)陣列

    用于單片集成的外延Ⅲ-Ⅴ族量子阱和量子點(diǎn)激光器研究

    光電子技術(shù)以光電子與微電子的深度融合為特征,是后摩爾時(shí)代的核心技術(shù)。光電子芯片可以利用成熟的微電子平臺實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),具有功耗低、集成密度大、傳輸速率快、可靠性高等優(yōu)點(diǎn),廣泛應(yīng)用于數(shù)
    的頭像 發(fā)表于 10-24 17:26 ?441次閱讀
    用于單片集成的<b class='flag-5'>硅</b><b class='flag-5'>基</b>外延Ⅲ-Ⅴ族量子阱和量子點(diǎn)激光器<b class='flag-5'>研究</b>

    二極管的正向壓降是多少

    二極管的正向壓降是指在二極管導(dǎo)通時(shí),其兩端的電壓差。這個(gè)值對于二極管來說通常在0.6V到0.7V之間,但這個(gè)值會受到溫度、電流和制造工藝等因素的影響。 半導(dǎo)體物理基礎(chǔ) 要理解二極
    的頭像 發(fā)表于 10-14 15:48 ?1562次閱讀

    三星預(yù)計(jì)LED將進(jìn)化為單片RGB面板,用于XR設(shè)備

    三星顯示的一位管近日表示,用于增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(XR)設(shè)備的LED(LEDoS)顯示面板有望在未來發(fā)展為單片式面板,在單片基板之上制造RGB微型發(fā)光體。
    的頭像 發(fā)表于 05-28 11:43 ?1483次閱讀

    光子動量的發(fā)現(xiàn)揭示了新型光電功能

    來源:半導(dǎo)體芯科技編譯 在加州大學(xué)歐文分?;瘜W(xué)家的指導(dǎo)下,一組研究人員發(fā)現(xiàn)了一種光與物質(zhì)相互作用的新方式。這一突破有可能提高太陽能發(fā)電系統(tǒng)、發(fā)光二極管、半導(dǎo)體激光器和其他技術(shù)的效率。研究小組
    的頭像 發(fā)表于 05-28 10:00 ?347次閱讀
    光子動量的<b class='flag-5'>發(fā)現(xiàn)</b>揭示了<b class='flag-5'>新型</b><b class='flag-5'>硅</b><b class='flag-5'>基</b>光電功能

    鍺PIN光電探測器的研究進(jìn)展綜述

    光電探測器是光電子中的關(guān)鍵器件,其功能是將光信號轉(zhuǎn)換為易于存儲和處理的電信號。
    的頭像 發(fā)表于 04-25 09:12 ?2216次閱讀
    <b class='flag-5'>硅</b><b class='flag-5'>基</b>鍺PIN光電探測器的<b class='flag-5'>研究</b>進(jìn)展綜述

    石墨烯/異質(zhì)集成光電子器件綜述

    石墨烯/異質(zhì)集成的光子器件研究在近年來取得了巨大進(jìn)展,因石墨烯所具有的諸多獨(dú)特的物理性質(zhì)如超高載流子遷移率、超高非線性系數(shù)等,石墨烯/
    的頭像 發(fā)表于 04-25 09:11 ?1089次閱讀
    石墨烯/<b class='flag-5'>硅</b><b class='flag-5'>基</b>異質(zhì)集成光電子器件綜述

    光電池測量光照強(qiáng)度

    通過LM324放大,進(jìn)而獲取光強(qiáng)數(shù)據(jù)。但是,在實(shí)際電路中發(fā)現(xiàn), 1.R5(10K)會變大為MΩ級別,而R6(1kΩ)則會縮小為100Ω左右。 2.光電池(圖中V1模擬光電池)兩端電
    發(fā)表于 04-02 15:20

    面向分布式聲波傳感的超高消光調(diào)制器

    片上集成的電光調(diào)制器(、三五族、薄膜鈮酸鋰等)具有緊湊、高速和低功耗等優(yōu)勢,但要實(shí)現(xiàn)超高消光的動態(tài)強(qiáng)度調(diào)制則仍存在較大挑戰(zhàn)。
    的頭像 發(fā)表于 01-19 17:12 ?1280次閱讀
    面向分布式聲波傳感的<b class='flag-5'>硅</b><b class='flag-5'>基</b>超高消光<b class='flag-5'>比</b>調(diào)制器

    異質(zhì)集成工藝的簡介

    本文介紹了光電集成芯片的最新研究突破,解讀了工業(yè)界該領(lǐng)域的發(fā)展現(xiàn)狀,包括數(shù)據(jù)中心互連的光收發(fā)器的大規(guī)模商用成功,和材料、器件設(shè)計(jì)、異質(zhì)集成平臺方面的代表性創(chuàng)新。
    的頭像 發(fā)表于 01-18 11:03 ?1189次閱讀
    <b class='flag-5'>硅</b><b class='flag-5'>基</b>異質(zhì)集成工藝的簡介

    OLED是下一代顯示技術(shù)開始嗎?

    OLED屬于公司材料產(chǎn)品中的一種,兩家公司均擁有OLED材料客戶,OLED也是未來產(chǎn)
    發(fā)表于 01-18 10:56 ?990次閱讀

    為什么深刻蝕中C4F8能起到鈍化作用?

    對DRIE刻蝕,是基于氟氣體的高深寬刻蝕技術(shù)。與RIE刻蝕原理相同,利用的各向異性,通過化學(xué)作用和物理作用進(jìn)行刻蝕。不同之處在于,兩個(gè)射頻源:將等離子的產(chǎn)生和自
    的頭像 發(fā)表于 01-14 14:11 ?2912次閱讀
    為什么深<b class='flag-5'>硅</b>刻蝕中C4F8能起到鈍化作用?

    詳解的晶面及應(yīng)用

    研究人員利用(100)、(110)和(111)晶面的不同特性對其進(jìn)行各向異性濕法腐蝕,從而制備出不同的結(jié)構(gòu),這是半導(dǎo)體工藝中常用的加工方法。
    的頭像 發(fā)表于 01-11 10:16 ?1.7w次閱讀
    詳解<b class='flag-5'>硅</b>的晶面及應(yīng)用