隨著IBM最新一代采7納米節(jié)點(diǎn)制程的企業(yè)級服務(wù)器處理器POWER10發(fā)表,印度地區(qū)系統(tǒng)開發(fā)實(shí)驗(yàn)室和科技運(yùn)算部門副總裁Akhtar Ali,與資深技術(shù)主管Rahul Rao接受印度媒體Indiatimes訪談時表示,印度已具有設(shè)計(jì)與制造高級芯片的能力,目前當(dāng)?shù)厣形磽碛屑舛司A廠的主因是不符合投資成本效益。
相較于其它創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室,印度系統(tǒng)開發(fā)實(shí)驗(yàn)室同時涉及IBM Z系列大型主機(jī)、POWER處理器系統(tǒng),以及儲存解決方案等業(yè)務(wù),因此更能夠在全面性上獨(dú)樹一幟。在POWER10芯片開發(fā)方面,該團(tuán)隊(duì)參與了從藍(lán)圖規(guī)劃,到設(shè)計(jì)開發(fā)、實(shí)體設(shè)計(jì)、電子設(shè)計(jì)自動化(EDA)、芯片驗(yàn)證、軟件堆疊等各種不同開發(fā)階段,前后共約花費(fèi)4年時間。
IBM印度擁有強(qiáng)大的EDA團(tuán)隊(duì),使用自家EDA軟件來設(shè)計(jì)新一代芯片,并且與全球各有關(guān)單位或團(tuán)體緊密合作,以便為軟件與應(yīng)用程序提供更好的支持。此外,該團(tuán)隊(duì)還使用了許多創(chuàng)新性AI技術(shù)來使整個POWER10設(shè)計(jì)自動化過程進(jìn)展加快。
除了預(yù)計(jì)POWER10效能、工作負(fù)載容量和容器密度將較POWER9提高3倍外,因著該芯片開發(fā),IBM也取得了上百種新專利和新專利申請?zhí)岢觥J聦?shí)上單就2019年而言,來自印度的IBM發(fā)明者就獲得900多項(xiàng)專利。
雖然這些成就都彰顯出印度擁有許多非凡人才,但半導(dǎo)體制造是極其昂貴的業(yè)務(wù)。IBM在2014年將半導(dǎo)體制造業(yè)務(wù)出脫給格芯(GlobalFoundries)后,就開始委由其它晶圓代工業(yè)者來負(fù)責(zé)該公司芯片生產(chǎn)作業(yè),如最新的POWER10就是交由三星電子(Samsung Electronics)代工。
晶圓廠單是建廠就需要投入數(shù)十億美元資金,并且其后日常營運(yùn)成本也非常的高,再加上每隔幾年就需要進(jìn)行技術(shù)與設(shè)備升級,因此半導(dǎo)體業(yè)者如果只是為了要制造自家芯片,就投入巨資建立自家晶圓制造業(yè)務(wù),并不是很好的商業(yè)模式。
這也是為什么目前全球只有如臺積電、三星、格芯、英特爾(Intel)等少數(shù)幾家大型晶圓制造業(yè)者的原因。并且這些業(yè)者除了僅在原本就已設(shè)有晶圓廠的地區(qū)設(shè)立新廠外,也不會在其它各地設(shè)立各種不同的晶圓廠。
Rahul表示,就高科技制造業(yè)而言,是否進(jìn)行制造投資的主要決定因素在于,進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)時的整體成本效益問題。目前印度之所以未能擁有尖端晶圓制造廠,絕對不是當(dāng)?shù)丶夹g(shù)能力不足或是不具有技術(shù)優(yōu)勢等方面的問題,而是由于制造業(yè)務(wù)規(guī)模不符合效益。
事實(shí)上,在印度理工學(xué)院馬德拉斯分校(IITM)和印度太空研究組織(ISRO)共同合作下,當(dāng)?shù)匾殉晒ψ孕虚_發(fā)與制造出首顆用于行動計(jì)算和無線設(shè)備的Shakti微處理器(180納米制程)。
為推動印度當(dāng)?shù)丶夹g(shù)發(fā)展和建立人才資本,IBM也鼓勵所屬高階員工參與當(dāng)?shù)馗飨嚓P(guān)計(jì)畫和提供幫助,以及推動科學(xué)、科技、工程及數(shù)學(xué)(STEM)跨性別教育的普及。盡管印度高科技制造不會很快浮現(xiàn),但在發(fā)展高科技制造的道路上仍需長期堅(jiān)持下去。并且隨著地緣政治轉(zhuǎn)變的發(fā)生,印度有可能會在這方面發(fā)揮重要作用。
印度電子半導(dǎo)體協(xié)會(IESA)主席Satya Gupta先前表示,外國半導(dǎo)體業(yè)者對在當(dāng)?shù)剡M(jìn)行制造的興趣正在增加。除了已有多家業(yè)者探尋在當(dāng)?shù)剡M(jìn)行半導(dǎo)體封裝測試(ATMP)或委外封測代工(OSAT)的可能性外,另一個吸引投資興趣的領(lǐng)域是,可應(yīng)用于電力設(shè)備中的氮化鎵(GaN)或碳化硅(SiC)等特殊半導(dǎo)體元件的生產(chǎn)。
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