EC改進(jìn)方案選型：容災(zāi)方案在性能和可靠性方面如何做驗(yàn)證

EC改進(jìn)方案選型

接上篇，介紹一下整個(gè)容災(zāi)方案在性能和可靠性方面如何做驗(yàn)證。

3個(gè)機(jī)柜，每個(gè)機(jī)柜15臺(tái)機(jī)器，總共45臺(tái)，需要在RBD場(chǎng)景下，找到成本、性能、數(shù)據(jù)可靠性的三者平衡點(diǎn)。

跨機(jī)柜容災(zāi)方案1

支持2個(gè)機(jī)柜級(jí)別的容災(zāi)，跨3個(gè)機(jī)柜單個(gè)分組共9個(gè)節(jié)點(diǎn)，共5個(gè)分組，對(duì)應(yīng)的理論收益情況如下

對(duì)應(yīng)的crush rule如下

單機(jī)柜容災(zāi)方案2

支持1個(gè)機(jī)柜級(jí)別的容災(zāi)，單個(gè)分組共5個(gè)節(jié)點(diǎn)，共9個(gè)分組，對(duì)應(yīng)的理論收益情況如下

從性能最優(yōu)原則，K+M總和最小則對(duì)應(yīng)的理論性能最優(yōu)，所以單機(jī)柜容災(zāi)模型下，4+3成為最優(yōu)方案。

對(duì)應(yīng)的ec配置如下

對(duì)應(yīng)的crush rule如下

crush rule的生成與rule的驗(yàn)證模擬

容災(zāi)能力測(cè)試場(chǎng)景

性能測(cè)試

RBD場(chǎng)景，模擬大、小文件，順序/隨機(jī)讀寫，獲取對(duì)應(yīng)的fio性能基準(zhǔn)數(shù)據(jù)，對(duì)比3副本與EC的性能差距。
3副本 vs CLAY_3+2 vs CLAY_4+3

故障恢復(fù)效率

前置條件:集群提前寫入容量60%，模擬已有數(shù)據(jù)場(chǎng)景
目標(biāo):對(duì)比ISA和CLAY在K+M相同的情況下，RBD場(chǎng)景下持續(xù)讀寫數(shù)據(jù)，模擬單塊OSD、單個(gè)OSD節(jié)點(diǎn)故障、多個(gè)OSD節(jié)點(diǎn)故障(可選)，數(shù)據(jù)遷移所需的時(shí)長(zhǎng)，同時(shí)記錄對(duì)應(yīng)的CPU、內(nèi)存、網(wǎng)卡負(fù)載消耗情況，以及性能波動(dòng)情況。

容災(zāi)能力

前置條件:集群提前寫入容量60%，模擬已有數(shù)據(jù)場(chǎng)景
目標(biāo):RBD場(chǎng)景下持續(xù)讀寫數(shù)據(jù)，模擬最小故障域、單機(jī)柜、雙機(jī)柜故障，記錄對(duì)應(yīng)的性能波動(dòng)情況，考察在極端情況下整個(gè)集群的服務(wù)可用性和數(shù)據(jù)可靠性。

跨機(jī)柜容災(zāi)方案1

單機(jī)柜容災(zāi)方案2

責(zé)任編輯：xj

原文標(biāo)題：Ceph最新的EC-CLAY插件調(diào)研-下

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