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為什么要在智能手機(jī)電源中使用氮化鎵?

意法半導(dǎo)體PDSA ? 來(lái)源:意法半導(dǎo)體IPG ? 作者:意法半導(dǎo)體IPG ? 2021-01-06 15:58 ? 次閱讀

前不久意法半導(dǎo)體發(fā)布了全新MASTERGAN1產(chǎn)品,它同時(shí)集成了半橋驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)增強(qiáng)模式氮化鎵(GaN)晶體管, 類(lèi)似的競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品僅僅只包含單個(gè)氮化鎵晶體管,這使得ST的MASTERGAN1在半橋拓?fù)鋺?yīng)用中優(yōu)勢(shì)明顯。例如,常見(jiàn)的 AC-DC系統(tǒng)中 LLC諧振轉(zhuǎn)換器,有源鉗位反激或正激,圖騰柱PFC等等。

該款新器件具有極高的象征意義,因?yàn)榧啥雀撸O(shè)計(jì)應(yīng)用更為簡(jiǎn)便。目前業(yè)界使用此類(lèi)電源器件時(shí),主要將其用于電信設(shè)備或數(shù)據(jù)中心的電源中。如今,借助MASTERGAN1,工程師可為智能手機(jī)充電器和USB-PD適配器設(shè)計(jì)尺寸更小并且更加高效的電源。

為什么要在智能手機(jī)電源中使用氮化鎵?

近年來(lái)智能手機(jī),平板電腦或筆記本電腦的功率呈指數(shù)增長(zhǎng)。為了讓消費(fèi)者有更好的使用體驗(yàn),制造廠(chǎng)商不得不增加電池容量。但是由于電池材料技術(shù)的限制,電池容量方面難有重大突破。于是發(fā)展快充技術(shù)成為了制造商的首選。借助USB Power Delivery(USB-PD)和快速充電技術(shù),您可以在不到十分鐘的時(shí)間內(nèi)達(dá)到50%的電量。這就要求充電器在短時(shí)間內(nèi)可以輸出100W甚至更高的功率。在維持充電器尺寸不變的前提下,提高開(kāi)關(guān)頻率勢(shì)在必行。 目前帶有GaN晶體管的充電器尚未普及,高設(shè)計(jì)難度首當(dāng)其沖。以中型甚至大型公司的工程師為例,說(shuō)服領(lǐng)導(dǎo)層使用新技術(shù)并非易事,所以幫助決策者理解這項(xiàng)技術(shù)至關(guān)重要。同時(shí)GaN晶體管印刷電路板的設(shè)計(jì)不同于普通硅管,設(shè)計(jì)一個(gè)穩(wěn)定可靠的GaN晶體管電路板也是一個(gè)重大的挑戰(zhàn)。MASTERGAN1的意義在于它能夠解決所有這些問(wèn)題,讓整個(gè)設(shè)計(jì)簡(jiǎn)便可靠。 了解氮化鎵GaN電性能

【EVALMASTERGAN1】 氮化鎵憑借其固有的特性,可在小型設(shè)備需要高功率時(shí)發(fā)揮重要作用。這種材料本身并非新鮮事物。我們從上世紀(jì)九十年代開(kāi)始將其用于LED,并從21世紀(jì)起將其用于藍(lán)光閱讀器。而如今,創(chuàng)始人能在硅片上生成一層薄薄的氮化鎵,從而制造出具有獨(dú)特性能的晶體管。氮化鎵的帶隙為3.39eV,遠(yuǎn)高于硅(1.1 eV)和碳化硅(2.86 eV)。因此,其臨界電場(chǎng)也要高得多,這意味著它在高頻下能提供更高的效率。 這些特性的根本原因來(lái)自于GaN的分子結(jié)構(gòu)。鎵本身是導(dǎo)電率低的電導(dǎo)體。然而,當(dāng)?shù)悠茐逆壘Ц駮r(shí),它會(huì)顯著增加結(jié)構(gòu)的電子遷移率(1700cm2/Vs),因此電子可以以更高的速度移動(dòng)而損失更少。當(dāng)應(yīng)用在開(kāi)關(guān)頻率高于200khz的場(chǎng)景中,使用GaN的效率更高。它可以實(shí)現(xiàn)體積更小、更具成本效益的系統(tǒng)。

EVALMASTERGAN1,眼見(jiàn)為實(shí)

盡管有這些理論知識(shí),但要說(shuō)服決策者可能依然困難重重。雖然GaN晶體管并不是什么新鮮事物,但是它們?cè)诖笈慨a(chǎn)品電源中的使用仍然是新穎的。要使GaN和MASTERGAN1的功能展示變得更加簡(jiǎn)單,必須依靠EVALMASTERGAN1板。它是一個(gè)真實(shí)可見(jiàn)的物理平臺(tái),并且展示了電源中單個(gè)封裝的外觀(guān)。用戶(hù)可以選擇添加一個(gè)低端分流器或一個(gè)外部自舉二極管,以便更好地適用于終端設(shè)計(jì)。此外,還可以訪(fǎng)問(wèn)MASTERGAN1的所有引腳,以幫助開(kāi)發(fā)人員初期調(diào)試及應(yīng)用。 MASTERGAN1:用氮化鎵進(jìn)行設(shè)計(jì)降低設(shè)計(jì)復(fù)雜度

【MASTERGAN1】 從概念驗(yàn)證到定制設(shè)計(jì)可能會(huì)充滿(mǎn)挑戰(zhàn)。評(píng)估板的原理圖是一個(gè)很好的起點(diǎn),但是高頻應(yīng)用卻很棘手。如果PCB上的走線(xiàn)太長(zhǎng),則寄生電感會(huì)導(dǎo)致誤開(kāi)關(guān)問(wèn)題。對(duì)于半橋轉(zhuǎn)換器而言,兩個(gè)GaN晶體管是必須的,但是大多數(shù)競(jìng)爭(zhēng)器件僅提供一個(gè)。MASTERGAN1是一款獨(dú)特的產(chǎn)品,因?yàn)樗羌蓛蓚€(gè)GaN晶體管的單芯片。所以工程師不必應(yīng)對(duì)與此類(lèi)應(yīng)用相關(guān)的復(fù)雜性。同樣,特定的GaN技術(shù)和柵極驅(qū)動(dòng)器上的優(yōu)化設(shè)計(jì)也意味著系統(tǒng)不需要負(fù)電壓關(guān)斷。MASTERGAN1還具有兼容20V信號(hào)的輸入引腳,可以適用于各種現(xiàn)有和即將推出的控制器。 工程師還必須應(yīng)對(duì)關(guān)鍵的尺寸限制。智能手機(jī)充電器必須保持小型化。因此,MASTERGAN1封裝的尺寸僅為9 mm x9 mm非常具有優(yōu)勢(shì)。此外,在未來(lái)幾個(gè)月內(nèi)會(huì)陸續(xù)推出迭代產(chǎn)品,我們將使其與現(xiàn)有引腳保持兼容。這使得基于使用MASTERGAN1的PCB創(chuàng)建新設(shè)計(jì)會(huì)更加簡(jiǎn)單。隨著制造商爭(zhēng)相提供更實(shí)惠的解決方案,MASTERGAN1將使設(shè)計(jì)更具性?xún)r(jià)比。這也解釋了為什么MASTERGAN1已經(jīng)獲得設(shè)計(jì)大獎(jiǎng)。

提高可靠性

工程師面臨的另一個(gè)主要挑戰(zhàn)是可靠性。不穩(wěn)定的系統(tǒng)會(huì)嚴(yán)重影響用戶(hù)體驗(yàn)甚至降低消費(fèi)者對(duì)產(chǎn)品的信任度。共通是半橋拓?fù)渲袑?dǎo)致壞機(jī)的常見(jiàn)原因。為此,MASTERGAN1集成了互鎖功能,匹配的傳輸延遲以及差分導(dǎo)通和關(guān)斷的柵極電流,這些功能都可以幫助實(shí)現(xiàn)干凈有效的開(kāi)關(guān)。最后,我們?yōu)閑-MODE GaN FET專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)了MASTERGAN1的柵極驅(qū)動(dòng)器,從而提高了性能和耐用性。 MASTERGAN1同時(shí)自帶欠壓鎖定(UVLO)保護(hù),可防止供電不足情況下?lián)p耗增大以及一些潛在的問(wèn)題。同樣OTP可防止設(shè)備過(guò)熱導(dǎo)致?lián)p壞。柵極驅(qū)動(dòng)器的電平轉(zhuǎn)換器和有效的輸入緩沖功能使GaN的柵極驅(qū)動(dòng)器非常耐用且抗噪聲。最后它還配置了專(zhuān)用的引腳可以將MASTERGAN1設(shè)置為空閑模式,降低損耗,提高待機(jī)效率。

責(zé)任編輯:lq

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原文標(biāo)題:全新MASTERGAN1,讓GaN晶體管更具說(shuō)服力和直觀(guān)性

文章出處:【微信號(hào):STM_IPGChina,微信公眾號(hào):意法半導(dǎo)體PDSA】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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