沈陽儀表院擴散硅壓力敏感芯片技術參數(shù)

沈陽儀表科學研究院，是始建于1961年的國家級科研院所，目前隸屬于國機集團。12年年底正式掛牌成立的國家傳感器研究中心，是增強傳感器產(chǎn)業(yè)核心競爭能力和發(fā)展為目標的研究開發(fā)實體研究院所，是國家傳感器產(chǎn)業(yè)的重要組成部分。 我院是我國最早（1981年）從事硅基敏感芯片、研究、開發(fā)、生產(chǎn)的單位，是中國芯片，芯體制造技術策源地。我院始終以芯片研制為核心技術，擁有光刻、離子注入、膜片腐蝕等芯片制造技術，擁有全套芯片制造設備，并廣泛運用于航天，航空，船舶等領域。

擴散硅壓力敏感芯片

HB2103系列敏感芯片

特點

閉合，半開，全開硅電阻電橋連接形式。

恒流激勵，靈敏度溫度自補償功能。

反向PN結電隔離構造，玻璃絕緣襯片。

適用于表壓，絕壓，差壓，負壓測量。

覆蓋100kPa~100MPa所有常用量程

技術指標 芯片尺寸（μm） 2050*2050，2450*2450，3340*3340； 工作溫度：-45℃~+100℃（可定制特殊溫度) 過載能力：2倍基準量程(＜10MPa);1.5倍基準量程（≥10MPa） 橋路電阻：5（1±20%）KΩ；4（1±20%）KΩ；3.3（1±20%）KΩ 滿量程輸出：≥60mV 線性度：±0.25%FS 零點溫度影響：±0.1%FS/℃ 滿量程溫度影響：±0.1%FS/℃ 供電電源：恒流1mA、1.5mA或恒壓5VDC

責任編輯：xj

原文標題：沈陽儀表院擴散硅壓力敏感芯片

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