美國美光科技開始提速EUV DRAM

美國美光科技開始提速EUV DRAM。加入到三星電子、SK海力士等全球第一、第二EUV廠商選擇的EUV陣營后，后續(xù)EUV競爭或?qū)⒏鼮榧ち摇?/p>

根據(jù)韓媒etnews報(bào)道，美光科技通過多個(gè)網(wǎng)站開始招聘EUV設(shè)備開發(fā)負(fù)責(zé)工程師。美光的公告顯示：招聘負(fù)責(zé)美光EUV設(shè)備Scaner技術(shù)開發(fā)，管理EUV系統(tǒng)和與ASML的溝通的人才。工作地點(diǎn)為美光總部美國愛達(dá)荷州的博伊西。

美光是繼三星電子和SK海力士之后，以20%的全球市占率排第三的DRAM廠商。本月初時(shí)美光臺(tái)灣DRAM工廠還因停電一小時(shí)導(dǎo)致工廠停產(chǎn)。截止到3季度時(shí)較好業(yè)績備受業(yè)界矚目。且在Nand Flash領(lǐng)域，也率先發(fā)布了全球首款176層產(chǎn)品。

美光在全球DRAM市場中排名第三，僅次于三星電子和SK Hynix。它的市場份額約為20％。

美光最近在NAND閃存領(lǐng)域首次推出了176層產(chǎn)品。與其他頂級DRAM制造商一樣，該公司正在生產(chǎn)10納米第三代（1z）產(chǎn)品。預(yù)計(jì)該芯片制造商將在2021年上半年推出第四代（1a）DRAM。

但是，美光與三星電子和SK海力士之間的主要區(qū)別在于，美光不會(huì)將EUV技術(shù)應(yīng)用于1a DRAM。

美光公司在最近的一份聲明中建議，鑒于高成本和技術(shù)局限性，它甚至可能不會(huì)將EUV技術(shù)應(yīng)用于下一代DRAM“ 1-beta”產(chǎn)品。

美光公司副總裁Scott DerBauer表示，該公司將在1-delta產(chǎn)品的生產(chǎn)中引入EUV工藝。

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