近日,Intel全球首發(fā)了144層堆疊的QLC NAND閃存顆粒,并用于D7-P5510、D5-P5316、670p、H20等不同SSD產(chǎn)品,不過對于主控芯片,Intel一直守口如瓶。
慧榮今天宣布,作為Intel的高級合作伙伴,慧榮多年來持續(xù)作為Intel SSD提供主控方案,而這次發(fā)布的SSD 670p、傲騰H20混合式SSD,用的也都是慧榮主控。
事實(shí)上,Intel上一代的SSD 660p/650p、傲騰H10也都是慧榮主控,而且都是慧榮SM2263。
這次的主控方案具體型號未公布,但參照慧榮產(chǎn)品線,大概率還是SM2263,因?yàn)樗暮罄m(xù)產(chǎn)品已經(jīng)是支持PCIe 4.0規(guī)格的SM2264,而這兩款SSD并不支持PCIe 4.0。
慧榮SM2263均支持PCIe 3.0 x4、NVMe 1.3,支持四個(gè)閃存通道,支持LDPC ECC糾錯、AES/TCG硬件加密,12×12毫米封裝。
責(zé)編AJX
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
相關(guān)推薦
的閃存顆粒理論擦寫壽命約為5000-10000次。 2、芯片品質(zhì)參差不齊:閃存芯片可能存在品質(zhì)問題,一些不能達(dá)到出廠要求的產(chǎn)品可能流入市場,俗稱“黑片”“白片”,這可能導(dǎo)致SSD硬盤崩
發(fā)表于 12-18 13:05
?104次閱讀
占有一席之地。 SSD硬盤的特點(diǎn) 存儲介質(zhì) :SSD使用閃存(NAND閃存)作為存儲介質(zhì),這是一種非易失性存儲器,即使在斷電的情況下也能保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失。 讀寫速度 :
發(fā)表于 11-23 09:32
?278次閱讀
近日,鎧俠宣布成功量產(chǎn)業(yè)界首款采用四層單元(4LC)技術(shù)的QLC UFS 4.0閃存。這款新型閃存相較于傳統(tǒng)的TLC UFS,擁有更高的位密度,使其在存儲需求日益增長的移動應(yīng)用程序領(lǐng)域具有更廣泛的應(yīng)用前景。
發(fā)表于 10-31 18:22
?1987次閱讀
SSD?主要由控制單元和存儲單元(當(dāng)前主要是FLASH?閃存顆粒)組成,控制單元包括SSD?控制器、主機(jī)接口、DRAM?等,存儲單元主要是NAND閃
發(fā)表于 08-14 09:05
?324次閱讀
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/吳子鵬)2016年,QLC SSD問世。最初幾年,由于QLC閃存顆粒的耐用性和速度問題,
發(fā)表于 07-26 00:21
?3819次閱讀
據(jù)集邦咨詢于2021年7月25日公布的新近研究報(bào)告顯示,據(jù)悉,蘋果正積極考慮在其未來的iPhone產(chǎn)品線中導(dǎo)入一項(xiàng)名為QLC NAND閃存技術(shù)的革新性媒介。而這項(xiàng)技術(shù)的實(shí)際投入使用,預(yù)計(jì)最早可在2026年看到成果,屆時(shí),iPhone手機(jī)內(nèi)部的儲存空間將有望突破2TB的界限
發(fā)表于 07-25 14:50
?506次閱讀
intel 660P SSD PCIE 3.0X4 512GB測評
發(fā)表于 06-16 14:32
734次閱讀
在當(dāng)今這個(gè)數(shù)據(jù)爆炸的時(shí)代,存儲技術(shù)的每一次革新都牽動著整個(gè)科技行業(yè)的神經(jīng)。近日,西部數(shù)據(jù)在投資者活動上揭開了一項(xiàng)令人矚目的技術(shù)突破——業(yè)界最高密度的2TB QLC NAND閃存芯片,這款名為BiCS8的芯片不僅代表了數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域的新高度,更是為未來的數(shù)據(jù)中心和AI應(yīng)用描繪
發(fā)表于 06-15 11:42
?1078次閱讀
美光科技近日宣布了重大技術(shù)突破,其先進(jìn)的232層QLC NAND閃存已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),并已部分應(yīng)用于Crucial英睿達(dá)固態(tài)硬盤(SSD)中。此外,美光還推出了2500 NVMeTM SSD
發(fā)表于 05-06 10:59
?660次閱讀
根據(jù)官方介紹,長江存儲X3-6070 QLC閃存的IO接口傳輸速度達(dá)到了2400MT/s,相比上代的1600MT/s提升了足足50%,同時(shí)讀取、寫入速度都有著接近100%的提升。
發(fā)表于 04-03 15:04
?733次閱讀
MZ7KH1T9HAJR1.92 TB2.5 英寸
MZ7KH240HAHQ240 GB2.5 英寸
MZ7KH3T8HALS3.84 TB2.5 英寸
MZ7KH480HAHQ480 GB2.5 英寸
MZ7KH960HAJR960 GB2.5 英寸
MZ7LH1T9HMLT1.92 TB2.5 英寸
MZ7LH240HAHQ240 GB2.5 英寸
MZ7LH3T8HMLT3.84 TB2.5 英寸
MZ7LH480HAHQ480 GB2.5 英寸
MZ7LH7T6HMLA7.68 TB2.5 英寸
MZ7LH960HAJR960 GB2.5 英寸
MZQL21T9HCJR-00A071.92 TBU.2
MZQL23T8HCJS-00A073.84 TBU.2
MZQL2960HCJR-00A07960GBU.2
MZVLB480HBJQ-00017480 GBM.2
MZVLB960HBLR-00017960 GBM.2
MZILT15THALA-0000715.36 TB2.5 英寸
MZILT15THMLA-0000715.36 TB2.5 英寸
MZILT1T9HAJQ-000071.92 TB2.5 英寸
MZILT1T9HBJR-000071.92 TB2.5 英寸
MZILT30THALA-0000730.72 TB2.5 英寸
MZILT30THMLA-0000730.72 TB2.5 英寸
MZILT3T8HALS-000073.84 TB2.5 英寸
MZILT3T8HBLS-000073.84 TB2.5 英寸
MZILT7T6HALA-000077.68 TB2.5 英寸
MZILT7T6HMLA-000077.68 TB2.5 英寸
MZILT960HAHQ-00007960 GB2.5 英寸
MZILT960HBHQ-00007960 GB2.5 英寸
MZPLJ12THALA-0000712.8 TBHHHL
MZPLJ1T6HBJR-000071.6 TBHHHL
MZPLJ3T2HBJR-000073.2 TBHHHL
MZPLJ6T4HALA-000076.4 TBHHHL
MZPLL12THMLA-0000512.8 TBHHHL
MZPLL1T6HAJQ-000051.6 TBHHHL
MZPLL3T2HAJQ-000053.2 TBHHHL
MZPLL6T4HMLA-000056.4 TBHHHL
MZWLJ15THALA-0000715.36 TB2.5 inch
MZWLJ1T9HBJR-000071.92 TB2.5 inch
MZWLJ3T8HBLS-000073.84 TB2.5 inch
MZWLJ7T6HALA-000077.68 TB2.5 inch
MZWLL12THMLA-0000512.8 TB2.5 英寸
MZWLL1T6HAJQ-000051.6 TB2.5 英寸
MZWLL3T2HAJQ-000053.2 TB2.5 英寸
MZWLL6T4HMLA-000056.4 TB2.5 英寸
MZPJB800HMGC800 GBPCI
發(fā)表于 03-21 23:12
的工作負(fù)載。 據(jù)IDC[i]預(yù)測,到2026年,有超過50%的商用SSD將采用QLC NAND閃存?;诖?,深受市場信
發(fā)表于 03-20 18:19
?1248次閱讀
NAND閃存作為如今各種電子設(shè)備中常見的非易失性存儲器,存在于固態(tài)硬盤(SSD)、USB閃存驅(qū)動器和智能手機(jī)存儲等器件。而隨著電腦終端、企業(yè)存儲、數(shù)據(jù)中心、甚至汽車配件等應(yīng)用場景要求的多樣化
發(fā)表于 02-05 18:01
?911次閱讀
在存儲容量和成本的權(quán)衡下,據(jù)報(bào)道,蘋果 iPhone 16 Pro 系列的1TB機(jī)型可能將采用QLC NAND閃存。這一決策意味著成本降低,但讀寫速度可能會受到影響。
發(fā)表于 01-18 20:02
?1574次閱讀
SSD主要由控制單元和存儲單元組成,控制單元包括SSD控制器、主機(jī)接口、DRAM等,存儲單元主要是NAND FLASH顆粒。NAND FLASH內(nèi)部存儲讀寫的基本單元為Block和Page。
發(fā)表于 01-02 10:16
?1288次閱讀
評論