0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

雙極性朗道能級水平和單層WSe2中的強選擇性載體作用

電子設計 ? 來源:電子設計 ? 作者:電子設計 ? 2020-12-25 21:44 ? 次閱讀

引言

二維過渡金屬二硫族化物材料因其豐富的元素組成及特別的電子結構,展現(xiàn)出獨特的物理、化學性質,在光電子器件、催化、能源轉換與存儲等眾多領域都有著巨大的應用前景。利用該類二維邊界效應,調(diào)節(jié)相應晶體結構及元素組成,可以實現(xiàn)對過渡金屬硫屬化合物電子結構、光、熱、磁的特性的調(diào)節(jié),從而實現(xiàn)材料在各領域應用的功能性的優(yōu)化。

成果簡介

近日,Columbia University的Cory R. Dean教授(通訊作者)的團隊在Nat. Mater.發(fā)表了題為Ambipolar Landau levels and strong band-selective carrier interactions in monolayer WSe2的文章,他們使用單電子晶體管來執(zhí)行WSe2中的朗道能級光譜學,并提供單層過渡金屬二硫族化合物的電子和空穴的電子結構圖。同時他們發(fā)現(xiàn)朗道能級在兩個頻帶之間差異顯著并遵循由強塞曼效應支配的價帶中的獨特序列。塞曼在價帶中的分裂比回旋加速器的能量高出數(shù)倍,遠遠超過了單粒子模型的預測,這意味著異常強烈的多體相互作用并表明WSe2可以作為新的相關電子器件的“候選人”。

圖文導讀

圖1:量子霍爾體系中的WSe2

a: WSe2中最低能帶的動量空間插圖;

b: WSe2中的朗道能級在沒有多體相互作用的情況下。

圖2:探測方案和雙極朗道能級分散

a-b: 實驗裝置圖;

c:逆壓縮率dμ/ dn與電荷密度和磁場的關系。

圖3:朗道能級的極化

a:價帶中朗道能級結構的說明;

b:化學勢和朗道能級間能隙的提取。

圖4:價帶中與密度相關的朗道能級能隙

a:朗道能級上間隙大小的放大圖;

b:化學勢;

c:價帶中的朗道能級間隙關系。

圖5:提取參數(shù)和交互作用

a: EZ/EN用于VB和CB中的可訪問密度;

b-c:有效載體質量和Landég因子;

d-e:單粒子模型和存在相互作用的情況下塞曼分裂的朗道能級。

小結

該團隊提取WSe2的朗道能級結構證明了在高載流子密度下具有異常強的塞曼能量以及強大的多體增強的重要影響,增強了EZ/EN在價帶中高達2.6倍,因此在非常高的空穴密度下相互作用仍然很強,在零磁場下它們?nèi)钥赡鼙3窒嚓P性。結合高密度的狀態(tài),這表明交換相互作用足夠強以滿足斯通納標準的可能性,這意味著在B = 0時具有潛在的流動鐵磁性。這種性質最近僅在少數(shù)2D材料中觀察到,而且WSe2的情況下還可以是場效應可調(diào)的。

審核編輯:符乾江
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 電子元器件
    +關注

    關注

    133

    文章

    3354

    瀏覽量

    105913
  • 電子器件
    +關注

    關注

    2

    文章

    592

    瀏覽量

    32129
  • 能量轉換
    +關注

    關注

    0

    文章

    16

    瀏覽量

    2837
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    SiGe與Si選擇性刻蝕技術

    , GAAFET)作為一種有望替代FinFET的下一代晶體管架構,因其能夠在更小尺寸下提供更好的靜電控制和更高的性能而備受關注。在制造n型GAAFET的過程,一個關鍵步驟是在內(nèi)隔層沉積之前對Si-SiGe堆疊納米片進行高選擇性的SiGe:Si蝕刻,以產(chǎn)生硅納米片并釋放溝
    的頭像 發(fā)表于 12-17 09:53 ?305次閱讀
    SiGe與Si<b class='flag-5'>選擇性</b>刻蝕技術

    單層半導體的新磁性:交換能量的關鍵作用

    本文深入探討了交換能量的復雜,它在鐵磁性作用,以及在單層半導體測量它的開創(chuàng)方法。 想象
    的頭像 發(fā)表于 12-16 16:52 ?139次閱讀

    選擇性沉積技術介紹

    選擇性沉積技術可以分為按需沉積與按需材料工藝兩種形式。 隨著芯片制造技術的不斷進步,制造更小、更快且能效更高的芯片具很大的挑戰(zhàn),尤其是全環(huán)繞柵極(Gate-All-Around, GAA)晶體管和更
    的頭像 發(fā)表于 12-07 09:45 ?342次閱讀
    <b class='flag-5'>選擇性</b>沉積技術介紹

    SCR載體尺寸對背壓及NOx轉化效率的影響

    摘要:基于發(fā)動機臺架試驗研究了不同選擇性催化還原(SCR)載體尺寸的性能差異。結果表明:SCR載體尺寸會顯著影響SCR系統(tǒng)的性能,載體長度增加導致排氣背壓明顯增大,但SCR系統(tǒng)的氮氧化
    的頭像 發(fā)表于 11-14 10:30 ?218次閱讀
    SCR<b class='flag-5'>載體</b>尺寸對背壓及NOx轉化效率的影響

    過電流保護的選擇性是靠什么來實現(xiàn)的

    過電流保護的選擇性是指在電力系統(tǒng),當發(fā)生短路或過載時,保護裝置能夠按照預定的順序和時間,優(yōu)先切斷故障部分,而不影響其他正常運行的部分。選擇性是電力系統(tǒng)保護設計的重要原則之一,它能夠確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性
    的頭像 發(fā)表于 09-26 14:38 ?694次閱讀

    極性方波,經(jīng)過極性放大器,放大以后是單極性還是極性?

    極性方波,經(jīng)過極性放大器。放大以后是單極性還是極性?求回答
    發(fā)表于 09-19 08:20

    選擇性喚醒如何實現(xiàn)局部聯(lián)網(wǎng)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《選擇性喚醒如何實現(xiàn)局部聯(lián)網(wǎng).pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 09-12 10:29 ?0次下載
    <b class='flag-5'>選擇性</b>喚醒如何實現(xiàn)局部聯(lián)網(wǎng)

    簡化ECU具有選擇性喚醒功能的隔離式CAN設計

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《簡化ECU具有選擇性喚醒功能的隔離式CAN設計.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 09-06 11:15 ?0次下載
    簡化ECU<b class='flag-5'>中</b>具有<b class='flag-5'>選擇性</b>喚醒功能的隔離式CAN設計

    spwm單極性極性的區(qū)別是什么

    SPWM(Sinusoidal Pulse Width Modulation,正弦脈寬調(diào)制)技術,單極性極性調(diào)制方式在多個方面存在顯著差異。以下是兩者之間的主要區(qū)別: 一、波形特
    的頭像 發(fā)表于 08-14 11:27 ?2947次閱讀

    極性極性pwm調(diào)制的區(qū)別是什么

    ,通過調(diào)整脈沖的寬度來實現(xiàn)信號的調(diào)制。在PWM調(diào)制,信號被分為高電平和低電平兩種狀態(tài),通過改變高電平或低電平的持續(xù)時間來實現(xiàn)信號的調(diào)制。PWM調(diào)制具有控制精度高、響應速度快、抗干擾能力等優(yōu)點,被廣泛應用于各種電子系統(tǒng)
    的頭像 發(fā)表于 08-14 11:10 ?5356次閱讀

    ADS8634/ADS8638 12位、1MSPS、4通/8通、極性輸入SAR ADC數(shù)據(jù)表

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ADS8634/ADS8638 12位、1MSPS、4通/8通極性輸入SAR ADC數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 07-30 13:49 ?0次下載
    ADS8634/ADS8638 12位、1MSPS、4通<b class='flag-5'>道</b>/8通<b class='flag-5'>道</b>、<b class='flag-5'>雙</b><b class='flag-5'>極性</b>輸入SAR ADC數(shù)據(jù)表

    交流二元繼電器如何具有相位選擇性和頻率選擇性

    在這篇文章,我們將詳細探討交流二元繼電器的相位選擇性和頻率選擇性。我們將從繼電器的基本原理開始,然后探討這兩種選擇性的原理和實現(xiàn)方法。 1. 繼電器的基本原理 繼電器是一種電子開關,
    的頭像 發(fā)表于 06-29 09:42 ?934次閱讀

    在smt貼片加工廠中選擇性波峰焊存在的作用和意義

    加工廠作為電子產(chǎn)品制造的核心環(huán)節(jié),其生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質量成為了所有廠商們追求的目標。而選擇性波峰焊正是一項重要的技術,廣泛應用于SMT貼片加工廠。本文將深入探討選擇性波峰焊在SMT貼片加工廠
    的頭像 發(fā)表于 06-06 09:35 ?518次閱讀

    SMT加工廠用選擇性波峰焊有什么優(yōu)點嗎?

    我們知道SMT貼片廠都能做后焊插件,后焊插件的話一般會用到波峰焊,近年來SMT加工廠用選擇性波峰焊的也越來越多了,選擇性波峰焊有什么優(yōu)點嗎?
    的頭像 發(fā)表于 03-21 11:04 ?593次閱讀

    鍺化硅(SiGe)和硅(Si)之間的各向同性和選擇性蝕刻機制

    Si選擇性刻蝕。 為了提高晶體管性能,基于SiGe的傳導溝道的技術目前已經(jīng)在開發(fā)。這種蝕刻是基于四氟化碳/N2/O2的氣體混合物
    的頭像 發(fā)表于 02-21 16:53 ?2160次閱讀
    鍺化硅(SiGe)和硅(Si)之間的各向同性和<b class='flag-5'>選擇性</b>蝕刻機制