前面寫AFE起了個(gè)頭,借著熱度,再寫一篇。
我們用采樣芯片最重要的原因就是精度高,但也要小心使用,因?yàn)檎麄€(gè)采樣電路上面的各個(gè)環(huán)節(jié)都有可能造成采樣精度偏差,比如采樣鏈路上面的電阻。
先看下面的采樣電路簡(jiǎn)圖,采樣鏈路上面的電阻都有哪些呢?
在上圖中,r代表電芯的內(nèi)阻和電芯銅排連接阻抗之和;Rc代表連接器的接觸阻抗與外部采樣線束的阻抗之和;Rm代表廠家推薦的采樣通道串聯(lián)電阻;Ri代表AFE內(nèi)部的等效電阻。r一般是μΩ級(jí)別,Rc一般是mΩ級(jí)別,Rm是100Ω到10KΩ,Ri是MΩ級(jí)別。
Rc是采樣線阻抗與連接器的接觸電阻之和,它最惡劣的情況是開路,但一般AFE都有斷線檢測(cè)機(jī)制,可以識(shí)別出來此故障;另外一種情況就是連接不良,此時(shí)阻抗可能很大,我們就要當(dāng)心了,當(dāng)Rc阻抗與Ri可以比擬時(shí)(如下圖,省略了一部分電阻),就會(huì)對(duì)電芯進(jìn)行分壓,進(jìn)而造成電壓采樣結(jié)果出現(xiàn)偏差。
上面這種情況在日常測(cè)試中也經(jīng)常出現(xiàn),比如在使用電池模擬工裝時(shí),如果工裝上同一個(gè)通道,并聯(lián)接入很多采樣線束的話,就很容易出現(xiàn)采樣偏差,原因就是接觸不良。
另外,即使Rc接觸良好,我們也要注意一種情況,就是AFE的供電線與采樣線共用問題。具體如下圖,因?yàn)锳FE需要由電芯供電,電流大概為10mA左右,如果它與采樣線共用一條線,就會(huì)在在Rc上面有個(gè)壓降,可能會(huì)造成采樣偏差,大家可以去計(jì)算一下。
所以很多產(chǎn)品實(shí)際單獨(dú)走了一條線,用來供電,如下圖;當(dāng)然,別忘記還有一條供電地線。這樣操作實(shí)際可能會(huì)引入另外一個(gè)問題,就是斷線檢測(cè)正確識(shí)別問題,需要特別確認(rèn)。
Rm是采樣通道上面的串聯(lián)電阻,一般廠家會(huì)有推薦范圍;廠家的推薦值我想主要是三方面考慮:一是設(shè)置固定的濾波截止頻率,匹配AFE內(nèi)部的濾波采樣電路與時(shí)間,實(shí)現(xiàn)高精度;例如ADI推薦的Rm為100Ω,TI推薦是100Ω~1KΩ,NXP推薦的更大。二是考慮AFE通道的漏電流問題,如果漏電流大的話,Rm一定不能太大,否則會(huì)在Rm處產(chǎn)生足以影響采樣精度的壓降。第三就是熱插拔防護(hù),這個(gè)后面有機(jī)會(huì)再細(xì)聊。
Ri是指AFE采樣通道內(nèi)部的等效電阻,廠家可能會(huì)以通道漏電流的形式給出。它的大小直接影響采樣精度,因?yàn)樗cRm的乘積就是通道上面的壓降;下圖分別是TIADINXP規(guī)格書中漏電流的標(biāo)稱值;所以如果想在電路中加穩(wěn)壓管進(jìn)行熱拔插防護(hù)的話,一定要選擇好穩(wěn)壓管的漏電流。
r是電芯內(nèi)阻與銅排阻抗的和,隨著電芯的充電或放電,流過r的電流是雙向的,所以在r上就會(huì)有一個(gè)壓降±ΔV,這在前面一篇里面也提過;實(shí)際AFE采集到的電壓值是±ΔV與電芯OCV的疊加后的值;所以當(dāng)r變大后,就可能影響采樣精度,更嚴(yán)重者,可能或損壞通道,原理很簡(jiǎn)單。
還有一種比較極限的情況是r斷路,如下圖,此時(shí)會(huì)涉及一種很危險(xiǎn)的場(chǎng)景:當(dāng)r斷開后,整個(gè)高壓就落在了斷開的那個(gè)通道上面,接著就會(huì)燒毀此通道,這是很危險(xiǎn)的事情;所以我們?cè)谠O(shè)計(jì)時(shí)盡量不要跨接模組進(jìn)行采樣,不過有些模組真是避免不了,那就需要在連接處下功夫了。
總結(jié):
這一篇基本介紹了AFE采樣電路所涉及到的各處電阻,知道它們的存在只是第一步,更重要是怎么處理好這些電阻;借著周末,我又寫了一些字,也畫了一些圖,可能沒有多少人能看見這個(gè),但希望看見的人,對(duì)您的設(shè)計(jì)有所幫助。
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