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英諾賽科鄒艷波:第三代半導體開創(chuàng)新賽道

E4Life ? 來源:電子發(fā)燒友 ? 作者:Leland ? 2020-12-25 15:31 ? 次閱讀
隨著5G、新能源和快充等應用的興起,第三代半導體材料也開始嶄露頭角。

電子發(fā)燒友網(wǎng)《2021半導體產(chǎn)業(yè)展望》專題, 收到近50位國內(nèi)外半導體創(chuàng)新領袖企業(yè)高管的前瞻觀點。歲末之際,電子發(fā)燒友特別采訪了英諾賽科產(chǎn)品應用經(jīng)理鄒艷波,他對2021年半導體市場提供了自己的前瞻觀點和技術趨勢分析。
第三代半導體崛起

功率半導體朝著第三代半導體發(fā)展,10KW的大功率市場會逐步被SIC替代,10KW的中小功率市場會逐步被GaN取代。英諾賽科的氮化鎵功率器件,隨著制程工藝的不斷優(yōu)化,氮化鎵功率器件的性能和成本優(yōu)勢將更加明顯。

氮化鎵帶來快充變革

今年一個比較大的亮點就是小米發(fā)布了氮化鎵快充,雷軍為氮化鎵快充代言,這個事件標志著第三代半導體氮化鎵開始在快充領域的大規(guī)模應用。氮化鎵作為第三代半導體材料,具備高頻高效的特性,其大規(guī)模的應用將推動整個功率半導體市場帶來變革。

半導體新賽道

明年半導體行業(yè)會進一步國產(chǎn)轉移,國產(chǎn)半導體行業(yè)會進一步發(fā)展,第三代半導體氮化鎵為國產(chǎn)半導體發(fā)展提供了絕好的契機,提供了半導體的新賽道,中國半導體有望在這個新的賽道實現(xiàn)國際領先。第三代半導體氮化鎵功率器件在明年的市場應用也將迎來高速發(fā)展,在手機,數(shù)據(jù)中心,5G基站,自動駕駛的應用將實現(xiàn)突破。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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