全套國(guó)產(chǎn)芯片氮化鎵快充問(wèn)世

國(guó)產(chǎn)氮化鎵快充研發(fā)取得重大突破，三大核心芯片實(shí)現(xiàn)自主可控，性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水準(zhǔn)。

一、氮化鎵快充市場(chǎng)規(guī)模

氮化鎵（gallium nitride，GaN）是下一代半導(dǎo)體材料，其運(yùn)行速度比舊式傳統(tǒng)硅（Si）技術(shù)加快了二十倍，并且能夠?qū)崿F(xiàn)高出三倍的功率，用于尖端快速充電器產(chǎn)品時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)現(xiàn)有產(chǎn)品的性能，在尺寸相同的情況下，輸出功率提高了三倍。

也正是得益于這些性能優(yōu)勢(shì)，氮化鎵在消費(fèi)類(lèi)快充電源市場(chǎng)中有著廣泛的應(yīng)用。充電頭網(wǎng)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，目前已有數(shù)十家主流電源廠商開(kāi)辟了氮化鎵快充產(chǎn)品線，推出的氮化鎵快充新品多達(dá)數(shù)百款。

華為、小米、OPPO、魅族、三星、中興、努比亞、魅族、realme、戴爾、聯(lián)想等多家知名手機(jī)/筆電品牌也先后入局。

另有數(shù)據(jù)顯示，在以電商客戶(hù)為主的充電器市場(chǎng)，2019年氮化鎵功率器件出貨量約為300萬(wàn)-400萬(wàn)顆，隨著手機(jī)以及筆記本電腦滲透率進(jìn)一步提升，2020年將實(shí)現(xiàn)5-6倍增長(zhǎng)，總體出貨1500-2000萬(wàn)顆，2021年GaN器件的出貨量有望達(dá)到5000萬(wàn)顆。預(yù)計(jì)2025年全球GaN快充市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到600多億元，市場(chǎng)前景異常可觀。

二、氮化鎵快充的主要芯片

據(jù)了解，在氮化鎵快充產(chǎn)品的設(shè)計(jì)中，主要需要用到三顆核心芯片，分別氮化鎵控制器、氮化鎵功率器件以及快充協(xié)議控制器。目前氮化鎵功率器件以及快充協(xié)議芯片均已陸續(xù)實(shí)現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)化；而相比之下，氮化鎵控制芯片的研發(fā)就成了國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體廠商的薄弱的環(huán)節(jié)，氮化鎵控制器主要依賴(lài)進(jìn)口，主動(dòng)權(quán)也一直掌握在進(jìn)口品牌手中。

這主要是因?yàn)镚aN功率器件驅(qū)動(dòng)電壓范圍很窄，VGS對(duì)負(fù)壓敏感，器件開(kāi)啟電壓閾值（VGS-th）低1V~2V左右，極易受干擾而誤開(kāi)啟。所以相較傳統(tǒng)硅器件而言，驅(qū)動(dòng)氮化鎵的驅(qū)動(dòng)器和控制器需要解決更多的技術(shù)難題。

此外，目前市面上除了少數(shù)內(nèi)置驅(qū)動(dòng)電路的GaN功率器件對(duì)外部驅(qū)動(dòng)器要求較低之外，其他大多數(shù)GaN功率器件均需要借助外部驅(qū)動(dòng)電路。

沒(méi)有內(nèi)置驅(qū)動(dòng)電路而又要保證氮化鎵器件可靠的工作并發(fā)揮出它的優(yōu)異性能，除了需要對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的高速性能和驅(qū)動(dòng)功耗做重點(diǎn)優(yōu)化，還必須讓驅(qū)動(dòng)器精準(zhǔn)穩(wěn)定的輸出驅(qū)動(dòng)電壓，保障器件正確關(guān)閉與開(kāi)啟，同時(shí)需要嚴(yán)格控制主回路上因開(kāi)關(guān)產(chǎn)生的負(fù)壓對(duì)GaN器件的影響。

三、全套國(guó)產(chǎn)芯片氮化鎵快充問(wèn)世

東莞市瑞亨電子科技有限公司近日成功量產(chǎn)了一款65W氮化鎵快充充電器，除了1A1C雙口以及折疊插腳等常規(guī)的配置外，這也是業(yè)界首款基于國(guó)產(chǎn)氮化鎵控制芯片、國(guó)產(chǎn)氮化鎵功率器件、以及國(guó)產(chǎn)快充協(xié)議芯片開(kāi)發(fā)并正式量產(chǎn)的產(chǎn)品。三大核心芯片分別來(lái)自南芯半導(dǎo)體、英諾賽科和智融科技。

充電頭網(wǎng)進(jìn)一步了解到，瑞亨65W 1A1C氮化鎵快充充電器內(nèi)置的三顆核心芯片分別為南芯的主控芯片SC3021A、英諾賽科氮化鎵功率器件INN650D02，以及智融二次降壓+協(xié)議識(shí)別芯片SW3516H。

該充電器支持100-240V~ 50/60Hz輸入和雙口快充輸出，配備最大輸出65W的USB-C接口，以及最大30W輸出的USB-A接口。

瑞亨65W 1A1C氮化鎵快充整機(jī)尺寸約為53*53*28mm，功率密度可達(dá)0.83W/mm3，與蘋(píng)果61W充電器修昂相比，體積約縮小了三分之一。

ChargerLAB POWER-Z KT001測(cè)得該充電器的USB-A口支持Apple2.4A、Samsung5V2A、QC3.0、QC2.0、AFC、FCP、SCP、PE等協(xié)議。

USB-C口支持Apple2.4A、Samsung5V2A、QC3.0、QC2.0、AFC、SCP、PE、PD3.0 PPS等協(xié)議。

PDO報(bào)文顯示充電器的USB-C口支持5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A、3.3-11V 5A。

四、氮化鎵快充三大核心芯片自主可控

南芯總部位于上海。南芯SC3021A滿(mǎn)足各類(lèi)高頻QR快充需求，采用專(zhuān)有的GaN直驅(qū)設(shè)計(jì)，省去外置驅(qū)動(dòng)器或者分立驅(qū)動(dòng)器件；集成分段式供電模式，單繞組供電，無(wú)需復(fù)雜的供電電路；內(nèi)置高壓啟動(dòng)及交流輸入Brown In/Out功能，集成了X-cap放電功能；SC3021A最高支持170KHz工作頻率，適用于繞線式變壓器，SC3021B最高支持260KHz工作頻率，適用于平面變壓器。

初級(jí)側(cè)氮化鎵開(kāi)關(guān)管來(lái)自英諾賽科，型號(hào)INN650D02 ，耐壓650V，導(dǎo)阻低至0.2Ω，符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)應(yīng)用要求，這是整個(gè)產(chǎn)品的核心元器件。

INN650D02 “InnoGaN”開(kāi)關(guān)管高頻特性好，且導(dǎo)通電阻小，適合高頻高效的開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用，采用DFN8*8封裝，具備超低熱阻，散熱性能好，適合高功率密度的開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用。

英諾賽科總部在珠海，在珠海、蘇州均有生產(chǎn)基地。據(jù)了解，INN650D02 “InnoGaN”開(kāi)關(guān)管基于業(yè)界領(lǐng)先的8英寸生產(chǎn)加工工藝，是目前市面上最先量產(chǎn)的先進(jìn)制程氮化鎵功率器件，這項(xiàng)技術(shù)的大規(guī)模商用將推動(dòng)氮化鎵快充的快速普及。

目前，英諾賽科已經(jīng)在蘇州建成了全球最大的集研發(fā)、設(shè)計(jì)、外延生產(chǎn)、芯片制造、測(cè)試等于一體的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)生產(chǎn)平臺(tái)，滿(mǎn)產(chǎn)后將實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵晶圓65000片，產(chǎn)品將為5G移動(dòng)通信、數(shù)據(jù)中心、新能源汽車(chē)、無(wú)人駕駛、手機(jī)快充等戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)的自主創(chuàng)新發(fā)展提供核心電子元器件。

英諾賽科InnoGaN系列氮化鎵芯片已經(jīng)開(kāi)始在消費(fèi)類(lèi)電源市場(chǎng)大批量出貨，成功進(jìn)入了努比亞、魅族、Lapo、MOMAX、ROCK、飛頻等眾多知名品牌快充供應(yīng)鏈，并且均得到良好的市場(chǎng)反饋，成為全球GaN功率器件出貨量最大的企業(yè)之一。

智融總部位于珠海。智融SW3516H是一款高集成度的多快充協(xié)議雙口充電芯片，支持A+C口任意口快充輸出，支持雙口獨(dú)立限流。

其集成了 5A 高效率同步降壓變換器，支持 PPS、PD、QC、AFC、FCP、SCP、PE、SFCP、低壓直充等多種快充協(xié)議，CC/CV 模式，以及雙口管理邏輯。

外圍只需少量的器件，即可組成完整的高性能多快充協(xié)議雙口充電解決方案。

智融SW3516H詳細(xì)規(guī)格資料

五、行業(yè)意義

在快充電源的更新迭代中，氮化鎵功率器件憑借其高頻低阻、高導(dǎo)熱、耐高溫等特性，越來(lái)越被行業(yè)關(guān)注，并逐漸成為了消費(fèi)類(lèi)電源市場(chǎng)的全新發(fā)展方向。

氮化鎵快充三大核心芯片全面國(guó)產(chǎn)，一方面是在當(dāng)前中美貿(mào)易摩擦的大背景下，避免關(guān)鍵技術(shù)被掐脖子；另一方面，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體廠商可以充分發(fā)揮本土企業(yè)的優(yōu)勢(shì)，進(jìn)一步降低氮化鎵快充的成本，并推動(dòng)高密度快充電源的普及。在未來(lái)的市場(chǎng)爭(zhēng)奪戰(zhàn)中，全國(guó)產(chǎn)的氮化鎵快充方案也將成為頗具實(shí)力的選手。

相信在不久之后，氮化鎵快充產(chǎn)品的價(jià)格將會(huì)逐漸平民化，以普通硅充電器的價(jià)格購(gòu)買(mǎi)到全新氮化鎵快充的愿景也將成為可能。
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