威世推出新型功率器件縮小磁性元器件尺寸

家電、醫(yī)療市場(chǎng)，是今年磁性元器件廠商重點(diǎn)關(guān)注的市場(chǎng)，一些研發(fā)實(shí)力強(qiáng)勁的磁性元器件廠商針對(duì)該市場(chǎng)推出了性能更優(yōu)的產(chǎn)品。

相比于其他終端市場(chǎng)，家電、醫(yī)療是今年表現(xiàn)較為突出的兩個(gè)市場(chǎng)，一些研發(fā)實(shí)力較強(qiáng)的功率器件企業(yè)、磁性元器件企業(yè)針對(duì)這些市場(chǎng)，開發(fā)出性能更優(yōu)的產(chǎn)品滿足這些市場(chǎng)的需求。

今年10月，磁性元器件大廠威世(Vishay)公司推出新型40 V n溝道MOSFET半橋功率級(jí)---SiZ240DT，可用來提高白色家電、醫(yī)療、通信應(yīng)用以及工業(yè)的功率密度和效率。十分契合疫情下，這些較為火熱的市場(chǎng)對(duì)功率器件的使用。

一般來說，在驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)和應(yīng)用中，MOSFET的轉(zhuǎn)化效率直接關(guān)系到驅(qū)動(dòng)功率是否達(dá)到工作要求，因此需要慎重選擇。

載波頻率越高，驅(qū)動(dòng)延時(shí)越小，但太高抗干擾性變差，隔離變壓器磁環(huán)電感越大，磁環(huán)電流越小，芯片發(fā)熱越少，但太大使得匝數(shù)增多導(dǎo)致寄生參數(shù)影響變大，同樣會(huì)使抗干擾能力降低。

SiZ240DT導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積FOM比位居第二的器件低14 %，有助于提高快速開關(guān)應(yīng)用的效率，比采用6mm x 5mm封裝的雙器件小65 %，是目前市場(chǎng)上體積最小的集成產(chǎn)品之一。

除用于同步降壓，DC/DC轉(zhuǎn)換半橋功率級(jí)之外，這一新型器件還為設(shè)計(jì)師提供節(jié)省空間的解決方案。這種集成式MOSFET采用無導(dǎo)線內(nèi)部結(jié)構(gòu)，最大限度降低了寄生電感，實(shí)現(xiàn)高頻開關(guān)，從而減小磁性元器件和最終設(shè)計(jì)的尺寸。

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