我國光刻技術到底達到何種水平?

光刻技術

在芯片的生產過程中，光刻機是關鍵設備，而光刻則是必不可少的核心環(huán)節(jié)。光刻技術的精度水平?jīng)Q定了芯片的性能強弱，也代表了半導體產業(yè)的完善程度。我們國內一直希望在這方面取得領先的地位，但是結果卻不盡人意。

其實光刻機之所以這么難造，就是因為光刻技術實在是太復雜了，不僅需要頂尖的光源條件，還對精度有著近乎苛刻的要求。目前，全球光刻技術市場基本上被美日兩國壟斷了，而我們國內正在努力攻克其中的技術難點。

那么光刻到底是一項怎樣的工作呢？為什么能難倒這么多國家？大家都知道，芯片的襯底是半導體晶圓，而光刻就是在晶圓上制備芯片的第一步。在光刻過程中，有一項非常重要的材料，名為光掩膜，沒有它也就無法將集成電路刻畫在晶圓上。

而且光掩膜也有高中低端的層次之分，通過高端光掩膜生產出的芯片更加先進，而低端的就只能用于生產普通芯片了。顯然，高端光掩膜也是各個國家青睞的對象，但是這種材料的制備難度非常高，如果精度達不到要求，那么想要突破絕非易事！

就目前的情況來看，國內在光掩膜市場還對國外進口存在一定的依賴，但是隨著中科院的突破，這種依賴正在慢慢減輕，以后將會徹底消失。那么如今國內的光刻技術到底達到了何種水平呢？

國產水平

在討論這個問題之前，我們先來看看中科院傳出的消息，它被很多人過分甚至是錯誤解讀了。今年7月份，中科院發(fā)表了一篇論文，研究內容是5nm光刻制備技術，而大部分人都以為這標志著中科院突破到了最先進的5nm極紫外光刻技術。

但是事實卻并非如此，據(jù)后來該論文的通訊作者劉前在接受媒體采訪時表示，中科院研究的5nm光刻制備技術針對的是光掩膜的生產，而不是光刻機用到的極紫外光。也就是說，中科院發(fā)表論文不等同于國產光刻機技術達到了5nm水平。

對此，很多國人都在想，難道國產5nm光刻技術不存在？從某種意義上來說，現(xiàn)在這個問題的答案是肯定的，國產5nm確實還遙遙無期。此外，中科院緊急辟謠：5nm光刻技術根本不現(xiàn)實，國產水平只有180nm！

從5nm一下子掉到180nm，這個落差讓很多人都接受不了。但需要知道的是，180nm才是國產光刻機技術的真實水平，就算不愿意承認，也必須得面對。如果連自身的不足之處都無法面對，那么何談攻克技術難題？何談突破？

毫無疑問，180nm還處于比較落后的狀態(tài)，這也是國產芯片遲遲無法崛起的主要原因。光刻技術作為光刻機的核心動力，我們國內肯定不會輕易放棄，現(xiàn)在是180nm不代表以后也是180nm，現(xiàn)在無法突破到5nm也不代表以后突破不了！

所以說，我們應該對國產技術和半導體芯片充滿信心，只有相信自己，才能不斷地自我突破。而且最近一段時間，國內傳來了很多好消息，光刻技術也不急于一時。

舉個簡單的例子，華為旗下的海思半導體正在轉型為IDM模式的企業(yè)，不僅要掌握芯片設計技術，還準備進軍芯片制造市場，成為像三星那樣的巨頭。此外，華為也宣布了全面布局光刻機的決定，有了它的加入，國產光刻技術將迎來更大的希望！

寫在最后

一項技術就算再難也有一定的限度，但是科研人員的智慧是無限的，所以在國內這么多科研工作者的共同努力下，再難的技術都會被攻克，光刻和光刻機也不例外。相信以后國內一定能實現(xiàn)技術崛起的目標，取得領先的地位！
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