三星電子正在研發(fā)第七代V-NAND,預計明年批量生產
12月7日，韓國半導體公司SK海力士表示，近期已成功研發(fā)出基于三層存儲單元（TLC）的176層512Gb（千兆位）NAND閃存。
據韓聯(lián)社12月7日報道，SK海力士介紹，第三代4D NAND閃存達到業(yè)界最高水平，比上一代128層產品提高了35%以上生產率，增強了產品成本競爭力。另外，SK海力士新產品的讀取速度比上一代加快20%，數(shù)據傳輸速度達到每秒1.6Gb，提高了33%。
上月，SK海力士于向控制器企業(yè)提供了NAND樣品，計劃明年6月左右批量生產，并依次推出消費者級SSD、企業(yè)級SSD等產品，擴大各應用領域的市場。另一方面，韓國的三星電子也正在研發(fā)第七代V-NAND，預計明年批量生產。
責任編輯:tzh
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工商網監(jiān)
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