傳中芯國(guó)際國(guó)產(chǎn)芯片工藝已追上Intel

據(jù)科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)報(bào)道稱，中芯國(guó)際的第二代FinFET已進(jìn)入小量試產(chǎn)。

科創(chuàng)板中芯國(guó)際在互動(dòng)平臺(tái)表示，公司第一代FinFET14納米已于2019年四季度量產(chǎn)；第二代FinFETN+1已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段，可望于2020年底小批量試產(chǎn)。

此外，中芯國(guó)際方面還重申，目前公司營(yíng)運(yùn)和采購(gòu)如常。

其實(shí)去年11月就曾有消息稱，中芯國(guó)際已經(jīng)啟動(dòng)了14nm FinFET工藝芯片的量產(chǎn)，且計(jì)劃2019年年底前進(jìn)行12nm FinFET的風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)。

按照中芯國(guó)際當(dāng)時(shí)在2019年Q3季度財(cái)報(bào)公布的情況，公司第一代FinFET已成功量產(chǎn)，四季度將貢獻(xiàn)有意義的營(yíng)收；第二代FinFET研發(fā)穩(wěn)步推進(jìn)，客戶導(dǎo)入進(jìn)展順利。

12nm工藝相比14nm晶體管尺寸進(jìn)一步縮微，功耗降低20%、性能提升10%，錯(cuò)誤率降低20%。

前不久，中芯國(guó)際在互動(dòng)平臺(tái)上也表示，目前公司正常運(yùn)營(yíng)，公司和美國(guó)相關(guān)政府部門等進(jìn)行了積極交流與溝通。

公司客戶需求強(qiáng)勁，訂單飽滿，第三季度產(chǎn)能利用率接近滿載。展望2020年全年，公司的收入目標(biāo)上修為24%至26%的年增長(zhǎng)。全年毛利率目標(biāo)高于去年。
責(zé)編AJX