ASML新動(dòng)態(tài):ASML已完成1nm芯片EUV光刻機(jī)設(shè)計(jì)

ASML已完成1nm芯片EUV光刻機(jī)設(shè)計(jì)，并加強(qiáng)與臺(tái)積電和三星的合作

ASML對(duì)中國(guó)大陸市場(chǎng)出口持開放態(tài)度，EUV等出口許可證

半導(dǎo)體光刻與刻蝕論壇2020將于2020年12月30-31日上海召開，光刻產(chǎn)業(yè)鏈國(guó)際動(dòng)態(tài)與國(guó)產(chǎn)化發(fā)展機(jī)遇將是重要內(nèi)容。

——ASML已完成1nm芯片EUV光刻機(jī)設(shè)計(jì)

2020年11月中旬，日本東京舉行了 ITF（IMEC Technology Forum,. ITF）論壇。在論壇上，與荷蘭商半導(dǎo)體大廠艾司摩爾（ASML） 合作研發(fā)半導(dǎo)體光刻機(jī)的比利時(shí)半導(dǎo)體研究所(IMEC)正式公布了 3 納米及以下工藝的在微縮層面的相關(guān)技術(shù)細(xì)節(jié)。

根據(jù)其所公布的內(nèi)容來(lái)看，ASML 對(duì)于 3 納米、2 納米、1.5 納米、1 納米，甚至是小于 1 納米的工藝都做了清楚的發(fā)展規(guī)劃，代表著 ASML 基本上已經(jīng)能開發(fā) 1 納米工藝的光刻設(shè)備。

在論壇中，IMEC 公司總裁兼首席技術(shù)官 Luc Van den hove 在主題演說(shuō)中先介紹了公司研究概況，強(qiáng)調(diào)透過與 ASML 的緊密合作，以及將下一代高辨識(shí)率極紫外光 (EUV) 光刻技術(shù)進(jìn)行了商業(yè)化。IMEC公司強(qiáng)調(diào)，將繼續(xù)把工藝規(guī)?？s小到1nm及以下。包括日本在內(nèi)的許多半導(dǎo)體公司相繼退出了工藝小型化，聲稱摩爾定律已經(jīng)走到了盡頭，或者說(shuō)成本太高，無(wú)利可圖。

根據(jù)臺(tái)積電和三星電子介紹，從 7 納米工藝技術(shù)開始，部分工藝技術(shù)已經(jīng)推出了 NA=0.33 的 EUV 光刻設(shè)備，5 納米工藝技術(shù)也達(dá)成了頻率的提升，但對(duì)于 2 納米以后的超精細(xì)工藝技術(shù)，則還是需要能夠達(dá)成更高的辨識(shí)率和更高 NA （NA=0.55） 的光刻設(shè)備。

據(jù)IMEC介紹，ASML已經(jīng)完成了作為NXE:5000系列的高NA EUV光刻系統(tǒng)的基本設(shè)計(jì)，但商業(yè)化計(jì)劃在2022年左右。這套下一代系統(tǒng)將因其巨大的光學(xué)系統(tǒng)而變得非常高大，很有可能頂在傳統(tǒng)潔凈室的天花板下。

ASML目前在售的兩款極紫外光刻機(jī)分別是TWINSCAN NXE:3400B和TWINSCAN NXE:3400C，3600D計(jì)劃明年年中出貨，生產(chǎn)效率將提升18%。

ASML過去一直與IMEC緊密合作開發(fā)光刻技術(shù)，但為了開發(fā)使用高NA EUV光刻工具的光刻工藝，在IMEC的園區(qū)里成立了新的“IMEC-ASML高NA EUV實(shí)驗(yàn)室”，以促進(jìn)共同開發(fā)和開發(fā)使用高NA EUV光刻工具的光刻工藝。該公司還計(jì)劃與材料供應(yīng)商合作開發(fā)掩模和抗蝕劑。

Van den hove最后表示：“邏輯器件工藝小型化的目的是降低功耗、提高性能、減少面積、降低成本，也就是通常所說(shuō)的PPAC。除了這四個(gè)目標(biāo)外，隨著小型化向3nm、2nm、1.5nm，甚至超越1nm，達(dá)到亞1nm，我們將努力實(shí)現(xiàn)環(huán)境友好、適合可持續(xù)發(fā)展社會(huì)的微處理器?！彼硎荆瑢⒗^續(xù)致力于工藝小型化，表現(xiàn)出了極大的熱情。

——臺(tái)積電大規(guī)模購(gòu)買EUV光刻機(jī)，保持業(yè)界領(lǐng)先地位

近期媒體報(bào)道，臺(tái)積電表示其部署的極紫外光(EUV)光刻工具已占全球安裝和運(yùn)行總量的50%左右，這意味著其使用的EUV機(jī)器數(shù)量超過了業(yè)內(nèi)其他任何一家公司。為了保持領(lǐng)先，臺(tái)積電已經(jīng)下單訂購(gòu)了至少13臺(tái)ASML的Twinscan NXE EUV光刻機(jī)，將會(huì)在2021年全年交付，不過具體的交付和安裝時(shí)間表尚不清楚。同時(shí)，明年臺(tái)積電實(shí)際需求的數(shù)量可能是高達(dá)16到17臺(tái)EUV光刻機(jī)。

目前，臺(tái)積電使用ASML的Twinscan NXE EUV光刻機(jī)在其N7+以及N5節(jié)點(diǎn)上制造芯片，但在未來(lái)幾個(gè)季度，該公司將增加N6（實(shí)際上將在2020年第四季度或2021年第一季度進(jìn)入HVM）以及同樣具有EUV層的N5P工藝。臺(tái)積電對(duì)EUV工具的需求正在增加是因?yàn)槠浼夹g(shù)越來(lái)越復(fù)雜，更多地方需要使用極紫外光刻工具處理。臺(tái)積電的N7+使用EUV來(lái)處理最多4層，以減少制造高度復(fù)雜的電路時(shí)多圖案技術(shù)的使用。

根據(jù)ASML的官方數(shù)據(jù)，2018年至2019年，每月產(chǎn)能約4.5萬(wàn)片晶圓（WSPM），一個(gè)EUV層需要一臺(tái)Twinscan NXE光刻機(jī)。隨著工具生產(chǎn)效率的提高，WSPM的數(shù)量也在增長(zhǎng)。如果要為一個(gè)準(zhǔn)備使用N3或更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)制造工藝的GigaFab（產(chǎn)能高于每月10萬(wàn)片）配備設(shè)備，臺(tái)積電在該晶圓廠至少需要40臺(tái)EUV光刻設(shè)備。

ASML最新推出的Twinscan NXE:3400B和NXE:3400C光刻系統(tǒng)價(jià)格相當(dāng)昂貴。早在10月份，ASML就透露，其訂單中的4套EUV系統(tǒng)價(jià)值5.95億歐元(約合7.03億美元)，因此單臺(tái)設(shè)備的成本可能高達(dá)1.4875億歐元(1.7575億美元)。也就是說(shuō)，13套EUV設(shè)備可能要花費(fèi)臺(tái)積電高達(dá)22.84億美元。

但在EUV工具方面，錢并不是唯一的考慮因素。ASML是唯一生產(chǎn)和安裝EUV光刻機(jī)的公司，它的生產(chǎn)和安裝能力相對(duì)有限。在對(duì)其生產(chǎn)工藝進(jìn)行調(diào)整后，該公司認(rèn)為可以將單臺(tái)機(jī)器的周期縮減到20周，這樣一來(lái)，每年的產(chǎn)能將達(dá)到45到50套系統(tǒng)。

2020年前三季度，ASML已經(jīng)出貨了23臺(tái)EUV光刻機(jī)，預(yù)計(jì)全年銷售量比2020年原計(jì)劃的35臺(tái)少一點(diǎn)。截至目前，ASML已累計(jì)出貨83臺(tái)商用EUV光刻機(jī)（其中包括2015年第一季度至2020年第三季度銷售的NXE:3350B、NXE:3400B和NXE:3400C）。如果臺(tái)積電官方關(guān)于擁有全球已安裝和運(yùn)行Twinscan NXE光刻機(jī)中約50%這個(gè)說(shuō)法是正確的，那么目前可能已經(jīng)擁有30至40臺(tái)EUV光刻機(jī)。

臺(tái)積電不是唯一采購(gòu)大量EUV光刻機(jī)的半導(dǎo)體制造商。三星目前只使用EUV工藝來(lái)生產(chǎn)其7LPP和5LPE SoC以及一些DRAM，但隨著三星晶圓廠擴(kuò)大EUVL工藝在生產(chǎn)上的應(yīng)用，三星半導(dǎo)體也提高了基于EUV工藝的DRAM的生產(chǎn)，最終將不可避免地采購(gòu)更多的Twinscan NXE光刻機(jī)。預(yù)計(jì)英特爾也將在2022年開始使用其7nm節(jié)點(diǎn)生產(chǎn)芯片時(shí)，將開始部署EUVL設(shè)備，很可能在未來(lái)幾年成為EUVL設(shè)備的主要采用者之一。

未來(lái)幾年全球?qū)UV光刻機(jī)的需求只會(huì)增加，但從目前的情況來(lái)看，在未來(lái)一段時(shí)間內(nèi)，臺(tái)積電仍將是這些光刻設(shè)備的主要采購(gòu)者，三星和英特爾將緊隨其后。

——三星加強(qiáng)與ASML的技術(shù)和投資合作

近日，包括CEO Peter Burnink在內(nèi)的ASML高管于訪問了三星的半導(dǎo)體工廠，討論了在EUV光刻機(jī)供應(yīng)和開發(fā)方面的合作。

ASML高管與三星副董事長(zhǎng)金基南進(jìn)行了會(huì)談。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，三星在此次會(huì)談中要求ASML供應(yīng)更多的EUV光刻機(jī)，并討論了雙方在開發(fā)下一代EUV光刻機(jī)方面的合作。

據(jù)悉，三星需要更多的EUV光刻機(jī)來(lái)擴(kuò)大其在全球晶圓制造市場(chǎng)的份額。然而，作為世界上唯一的EUV光刻機(jī)制造商，ASML向臺(tái)積電提供的設(shè)備要多于三星。因此三星希望與ASML建立技術(shù)聯(lián)盟，以確保下一代EUV光刻機(jī)的供應(yīng)。對(duì)于ASML來(lái)說(shuō)，與三星的投資合作是必要的，因?yàn)殚_發(fā)下一代EUV光刻機(jī)需要大量投資。

該報(bào)道指出，三星希望投資開發(fā)高數(shù)值孔徑的EUV光刻機(jī)，以提高半導(dǎo)體微制造所需的電路分辨率。該設(shè)備的價(jià)格預(yù)計(jì)為每臺(tái)5000億韓元，比目前的EUV設(shè)備高出2到3倍。ASML計(jì)劃在2023年年中推出該設(shè)備的原型，三星則希望優(yōu)先獲得ASML的供應(yīng)，以在技術(shù)上領(lǐng)先臺(tái)積電。

不過，三星一位官員表示，會(huì)議并沒有做出具體的投資決定。他說(shuō)，ASML高管到訪三星是為了回應(yīng)李在镕10月份訪問ASML總部。另有消息稱，ASML的高管此次還會(huì)面了SK海力士總裁李石熙，雙方討論了擴(kuò)大UV設(shè)備供應(yīng)和促進(jìn)合作的途徑。

——對(duì)中國(guó)大陸出口持開放態(tài)度，EUV等出口許可證

2020年11月上旬， ASML全球副總裁、中國(guó)區(qū)總裁沈波透露，2020年二、三季度，該公司發(fā)往中國(guó)大陸地區(qū)的光刻機(jī)臺(tái)數(shù)超過了全球總臺(tái)數(shù)的20%。然而在2020年的進(jìn)博會(huì)上，ASML僅展示了DUV光刻機(jī)，并沒有展示新的EUV光刻機(jī)。

對(duì)此，沈波表示，EUV光刻機(jī)目前還在等荷蘭政府的出口許可證。該公司須在遵守法律法規(guī)的前提下進(jìn)行光刻機(jī)出口。沈波強(qiáng)調(diào)，該公司對(duì)向中國(guó)出口光刻機(jī)保持很開放態(tài)度。自30年前進(jìn)入中國(guó)市場(chǎng)以來(lái)，該公司在中國(guó)總計(jì)為客戶提供了700多臺(tái)裝機(jī)。

半導(dǎo)體光刻與刻蝕論壇2020將于2020年12月30-31日上海召開，光刻產(chǎn)業(yè)鏈國(guó)際動(dòng)態(tài)與國(guó)產(chǎn)化發(fā)展機(jī)遇將是重要內(nèi)容。

【半導(dǎo)體光刻與刻蝕材料、設(shè)備與技術(shù)論壇2020】

在政策和市場(chǎng)需求的雙重驅(qū)動(dòng)下，半導(dǎo)體光刻和刻蝕產(chǎn)業(yè)鏈將加速國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。參與企業(yè)將面臨空前的發(fā)展機(jī)遇。然而材料、技術(shù)與設(shè)備的競(jìng)爭(zhēng)力提升，也將面臨挑戰(zhàn)。半導(dǎo)體光刻與刻蝕材料、設(shè)備與技術(shù)論壇2020將于12月30-31日在上海召開。會(huì)議由亞化咨詢主辦，多家國(guó)內(nèi)外企業(yè)重點(diǎn)支持和參與，將對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)核心工藝——光刻和刻蝕產(chǎn)業(yè)鏈的重點(diǎn)議題展開深入探討。

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