國(guó)內(nèi)氮化鎵、碳化硅等產(chǎn)值或達(dá)70億元

日前，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長(zhǎng)吳玲在2020國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇上透露，雙循環(huán)模式推動(dòng)國(guó)產(chǎn)化替代，2020年中國(guó)SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）電力電子和微波射頻產(chǎn)值預(yù)計(jì)將約為70億元。

其中，中國(guó)的GaN微波射頻產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值2020年將達(dá)到33.75億元，比去年的26.15億元將增長(zhǎng)29%；SiC、GaN電力電子產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值2020年將達(dá)到35.35億元，比去年的29.03億元將增長(zhǎng)21.77%。

市場(chǎng)規(guī)模擴(kuò)大，5G加速推進(jìn)GaN射頻應(yīng)用迅猛增長(zhǎng)，2020年中國(guó)GaN射頻器件市場(chǎng)規(guī)模約170億元；新能源汽車及消費(fèi)電子成為突破口，2020年中國(guó)電力電子器件應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模58.2億元。

吳玲建議，探索構(gòu)建第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新生態(tài)，摸索“平臺(tái)+孵化器+基金+基地”以及大中小企業(yè)融通發(fā)展的新模式，加強(qiáng)精準(zhǔn)的國(guó)際與區(qū)域深度合作，共同努力使全鏈條進(jìn)入世界先進(jìn)行列。

吳玲預(yù)計(jì)，到2025年，5G通信基站所需GaN射頻器件的國(guó)產(chǎn)化率將達(dá)到80%；第三代半導(dǎo)體功率器件將在高速列車、新能源汽車、工業(yè)電機(jī)、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域規(guī)模應(yīng)用；Mini/Micro LED、深紫外等材料及芯片產(chǎn)業(yè)化可實(shí)現(xiàn)在健康醫(yī)療、公共安全、信息交互等領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用。到2030年，國(guó)內(nèi)將形成1~3家世界級(jí)龍頭企業(yè)，帶動(dòng)產(chǎn)值超過(guò)3萬(wàn)億元，年節(jié)電萬(wàn)億度。
責(zé)任編輯:pj