5nm、7nm工藝訂單暴增，臺(tái)積電營(yíng)收創(chuàng)新高

得益于先進(jìn)的工藝，臺(tái)積電今年的營(yíng)收又要?jiǎng)?chuàng)新高，即便是沒(méi)有了華為這樣的客戶，也絲毫不受影響。

臺(tái)積電昨日舉行南科3nm米晶圓廠上梁典禮，董事長(zhǎng)劉德音透露，臺(tái)積電規(guī)劃的3nm廠廠房基地面積約為35公頃，當(dāng)3nm進(jìn)入量產(chǎn)時(shí)，當(dāng)年產(chǎn)能預(yù)估將超過(guò)每月60萬(wàn)片12寸晶圓。

劉德音還表示，臺(tái)積電營(yíng)收去年已經(jīng)連續(xù) 10 年創(chuàng)下紀(jì)錄，今年也將再刷新紀(jì)錄，南科營(yíng)收 2019 年產(chǎn)值高達(dá)新臺(tái)幣 3，800 億元，占臺(tái)積電營(yíng)業(yè)額的37%，今年預(yù)估將突破新臺(tái)幣4400億元。

報(bào)告顯示，今年臺(tái)積電營(yíng)收之所以猛增，主要還是跟5nm、7nm工藝有關(guān)，因?yàn)槭袌?chǎng)需求非常的高，特別是蘋(píng)果的訂單，完全供應(yīng)不上。

為了保持領(lǐng)先，臺(tái)積電已經(jīng)下單訂購(gòu)了至少13臺(tái)ASML的Twinscan NXE EUV光刻機(jī)，將會(huì)在2021年全年交付，不過(guò)具體的交付和安裝時(shí)間表尚不清楚。同時(shí)，明年臺(tái)積電實(shí)際需求的數(shù)量可能是高達(dá)16到17臺(tái)EUV光刻機(jī)。

目前，臺(tái)積電使用ASML的Twinscan NXE EUV光刻機(jī)在其N7+以及N5節(jié)點(diǎn)上制造芯片，但在未來(lái)幾個(gè)季度，該公司將增加N6（實(shí)際上將在2020年第四季度或2021年第一季度進(jìn)入HVM）以及同樣具有EUV層的N5P工藝。

臺(tái)積電對(duì)EUV工具的需求正在增加是因?yàn)槠浼夹g(shù)越來(lái)越復(fù)雜，更多地方需要使用極紫外光刻工具處理。臺(tái)積電的N7+使用EUV來(lái)處理最多4層，以減少制造高度復(fù)雜的電路時(shí)多圖案技術(shù)的使用。
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