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明年新iPhone將使用增強(qiáng)版5nm芯片

lhl545545 ? 來(lái)源:電子產(chǎn)業(yè)觀察者 36氪 ? 作者:電子產(chǎn)業(yè)觀察者 ? 2020-11-22 11:15 ? 次閱讀

據(jù)報(bào)道,市場(chǎng)情報(bào)公司TrendForce最新報(bào)告預(yù)測(cè),蘋(píng)果2021年iPhone中的A15芯片將堅(jiān)持使用5nm工藝,但會(huì)轉(zhuǎn)向增強(qiáng)型的“5nm+”版本。臺(tái)積電將5nm+稱(chēng)為N5P,并將其描述為性能增強(qiáng)版,將更大的電量與更高的效率相結(jié)合,從而提高電池壽命。到目前為止,iPhone 12是唯一使用臺(tái)積電5nm先進(jìn)制程能力的智能手機(jī)。

據(jù)報(bào)道,蘋(píng)果今年下半年推出新款 iPad 及 iPhone 12 產(chǎn)品線,采用自家設(shè)計(jì)的 A14 系列處理器,其中,iPad Air 及 iPhone 12 全系列都采用 A14 應(yīng)用處理器,至于即將在 11 月發(fā)表的 Arm 架構(gòu) Macbook 則會(huì)采用自行研發(fā)的 A14X 處理器。蘋(píng)果 A14 以及 A14X 均已在臺(tái)積電采用 5納米制程量產(chǎn)。

消息稱(chēng),蘋(píng)果已著手進(jìn)行新一代A15系列處理器開(kāi)發(fā),預(yù)期會(huì)采用臺(tái)積電5nm加強(qiáng)版(N5P)制程,明年第三季開(kāi)始投片。

晶圓代工龍頭臺(tái)積電及微影設(shè)備大廠 ASML 于上周法人說(shuō)明會(huì)透露了更多 3 納米細(xì)節(jié)。臺(tái)積電 3 納米采用鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)架構(gòu)及極紫外光(EUV)微影技術(shù),邏輯密度與 5 納米相較將大幅增加 70%,且 EUV 光罩層數(shù)將倍增且超過(guò) 20 層。因此,臺(tái)積電積極采購(gòu) EUV 曝光機(jī)設(shè)備,未來(lái)三~ 五年仍將是擁有全球最大 EUV 產(chǎn)能的半導(dǎo)體廠,包括家登及崇越等供應(yīng)商可望受惠。

臺(tái)積電 EUV 微影技術(shù)已進(jìn)入量產(chǎn)且制程涵蓋 7 + 納米、6納米、5納米。據(jù)設(shè)備業(yè)者消息,臺(tái)積電 7 + 納米采用 EUV 光罩層最多達(dá)四層,超微新一代 Zen 3 架構(gòu)處理器預(yù)期是采用該制程量產(chǎn)。6 納米已在第四季進(jìn)入量產(chǎn),EUV 光罩層數(shù)較 7 + 納米增加一層,包括聯(lián)發(fā)科、輝達(dá)、英特爾等大廠都將采用 6 納米生產(chǎn)新一代產(chǎn)品。

臺(tái)積電下半年開(kāi)始量產(chǎn) 5 納米制程,主要為蘋(píng)果量產(chǎn) A14 及 A14X 處理器,包括超微、高通、輝達(dá)、英特爾、博通、邁威爾等都會(huì)在明年之后導(dǎo)入 5 納米制程量產(chǎn)新一代產(chǎn)品。5 納米 EUV 光罩層數(shù)最多可達(dá) 14 層,所以 Fab 18 廠第一期至第三期已建置龐大 EUV 曝光機(jī)臺(tái)設(shè)備因應(yīng)強(qiáng)勁需求,臺(tái)積電明年將推出 5 納米加強(qiáng)版 N5P 制程并導(dǎo)入量產(chǎn),后年將推出 5 納米優(yōu)化后的 4 納米制程,設(shè)備業(yè)者預(yù)期 N5P 及 4 納米的 EUV 光罩層數(shù)會(huì)較 5 納米增加。

臺(tái)積電在日前的法說(shuō)會(huì)中宣布,3 納米研發(fā)進(jìn)度符合預(yù)期且會(huì)是另一個(gè)重大制程節(jié)點(diǎn),與 5 納米制程相較,3 納米的邏輯密度可增加 70%,在同一功耗下可提升 15% 的運(yùn)算效能,在同一運(yùn)算效能下可減少 30% 功耗。3 納米制程采用的 EUV 光罩層數(shù)首度突破 20 層,業(yè)界預(yù)估最多可達(dá) 24 層。

ASML 執(zhí)行長(zhǎng) Peter Wennink 在日前法說(shuō)會(huì)中指出,5 納米邏輯制程采用的 EUV 光罩層數(shù)將超過(guò) 10 層,3 納米制程采用的 EUV 光罩層數(shù)會(huì)超過(guò) 20 層,隨著制程微縮 EUV 光罩層數(shù)會(huì)明顯增加,并取代深紫外光(DUV)多重曝光制程。

臺(tái)積電 5 納米及 3納米的 EUV 光罩層數(shù)倍數(shù)增加,提供 EUV 光罩盒(EUV Pod)的家登受惠最大,今、明兩年產(chǎn)能均已被大客戶(hù)預(yù)訂一空。至于 EUV 產(chǎn)能大幅提高,代理 EUV 光阻液的崇越接單暢旺,訂單同樣排到明年下半年。
責(zé)任編輯:pj

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