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通過半導(dǎo)體和封裝分析來了解和解決問題

汽車電子工程知識(shí)體系 ? 來源:汽車電子硬件設(shè)計(jì) ? 作者:汽車電子硬件設(shè)計(jì) ? 2020-11-17 14:37 ? 次閱讀

故障分析

失效分析(FA)需要大量分析方法和技術(shù)來了解產(chǎn)品的制造或應(yīng)用中可能出現(xiàn)的問題。我們的FA工程師或分析師具備解決復(fù)雜過程的能力,因?yàn)樗麄兙ㄔO(shè)計(jì),工藝,組裝和測(cè)試以及應(yīng)用,并具備物理,電氣,化學(xué)和機(jī)械工程方面的深厚知識(shí)。

配備了最先進(jìn)的儀器和工程專業(yè)知識(shí),通過半導(dǎo)體和封裝分析來了解和解決問題。分析實(shí)驗(yàn)室可在全球范圍內(nèi)使用,以支持客戶退貨,可靠性故障,制造影響和設(shè)計(jì)。這些實(shí)驗(yàn)室包括許多用于單元分析,過程表征,破壞性物理分析和結(jié)構(gòu)分析的工具。我們的FA站點(diǎn)自主運(yùn)營,但與世界各地的TI站點(diǎn)合作共享信息和資源。

失敗分析過程

FA過程通過直觀但復(fù)雜的分析測(cè)量系統(tǒng),臺(tái)式設(shè)備以及一系列其他技術(shù)發(fā)現(xiàn)電氣和物理證據(jù),以清楚地識(shí)別故障原因。使用適當(dāng)?shù)脑O(shè)備和工作程序,確定故障原因的位置,將其隔離在芯片上并進(jìn)行物理表征。FA團(tuán)隊(duì)隨后與其他工程學(xué)科(產(chǎn)品,測(cè)試,設(shè)計(jì),裝配和工藝)合作,推動(dòng)分析。將進(jìn)展,結(jié)果和結(jié)論傳達(dá)給支持流程的內(nèi)部和外部聯(lián)系人,實(shí)施限制和/或消除失敗原因的變更。

信息審查,失敗確認(rèn)

客戶報(bào)告的故障文檔對(duì)于高效的FA非常重要。所有客戶都必須提交一份客戶退貨信息表格,該表格由FA分析師保留以供審查。它包括設(shè)備歷史記錄,使用情況,故障特征以及返回設(shè)備之前的任何分析結(jié)果的清晰詳細(xì)的說明。這些信息將有助于調(diào)查并確保及時(shí)解決問題。

客戶在報(bào)告失敗時(shí)應(yīng)包含的最小背景信息集包括:

在收到組件處理。拆卸和搬運(yùn)部件時(shí)應(yīng)采取預(yù)防措施,以確保不會(huì)發(fā)生電氣或物理損壞,并保持包裝的可測(cè)性。

客戶現(xiàn)場的故障歷史和故障率。這是新產(chǎn)品還是在這個(gè)時(shí)間框架內(nèi)發(fā)生了變化?

發(fā)生故障的應(yīng)用條件。

應(yīng)用程序的失敗模式以及它與返回的組件的關(guān)系。

FA團(tuán)隊(duì)審查歷史數(shù)據(jù)庫以提供更多的觀點(diǎn)和指導(dǎo)。經(jīng)過對(duì)所有信息的審查后,形成了初步的分析策略。在進(jìn)一步的分析步驟之前應(yīng)確認(rèn)報(bào)告的故障模式。與報(bào)告失敗模式良好的相關(guān)性可確保后續(xù)調(diào)查結(jié)果的可信度。臺(tái)式測(cè)試設(shè)備,如曲線追蹤儀或基于應(yīng)用的臺(tái)架測(cè)試,以及生產(chǎn)級(jí)自動(dòng)測(cè)試設(shè)備('ATE')可用于電氣特性分析。

非破壞性測(cè)試

FA本身就是逆向工程,可能會(huì)破壞返回的產(chǎn)品。由于封裝將至少部分被破壞以暴露裸片,所以首先執(zhí)行非破壞性技術(shù)以觀察封裝或組件相關(guān)的故障機(jī)制。使用的最常用技術(shù)是聲學(xué)顯微鏡和X射線(XRAY)檢查,以查找內(nèi)部裝配或成型異常情況。

內(nèi)部檢查

進(jìn)行內(nèi)部光學(xué)檢查以檢查是否有任何明顯的組裝異常或晶圓制造問題。還建議重新測(cè)試以確定故障模式是否已更改。

全局隔離

在很多情況下,內(nèi)部檢查不會(huì)發(fā)現(xiàn)明顯的失效機(jī)制。根據(jù)可測(cè)試性的技術(shù)和水平,F(xiàn)A實(shí)驗(yàn)室將利用一種或多種技術(shù)來隔離故障點(diǎn)。這些技術(shù)中的大多數(shù)試圖觀察失效位置的性質(zhì),例如熱耗散或光子發(fā)射。

本地隔離

將故障點(diǎn)局部隔離到裸片上的塊或單個(gè)節(jié)點(diǎn)是一個(gè)常見但非常關(guān)鍵的步驟。但是,這也可能是耗時(shí)的。在大多數(shù)情況下,需要廣泛的內(nèi)部探測(cè),并且通常是迭代的,逐層進(jìn)行解除處理。去加工是一次去除一層晶粒的過程,這可能需要濕化學(xué),干法等離子刻蝕和機(jī)械拋光技術(shù)來揭示下面的結(jié)構(gòu)。由于過程的破壞性和重要信息的潛在損失,適當(dāng)?shù)募夹g(shù)是至關(guān)重要的。在此過程中,F(xiàn)A分析師執(zhí)行探測(cè)和其他特定技術(shù)來突出潛在的異常情況。從探測(cè)觀點(diǎn)來看,采用布局/示意導(dǎo)航工具和聚焦離子束(FIB)來輔助組件和電路隔離。

失效現(xiàn)場分析

一旦確定或揭示了潛在的地點(diǎn),就要進(jìn)行文件和分析。取決于是否需要形態(tài)學(xué)或材料組成,采用進(jìn)一步的分析技術(shù)。

報(bào)告結(jié)論

一旦分析完成,將在書面報(bào)告中記錄工作,說明物理異常與故障模式之間的關(guān)系,并包括足夠的文件以進(jìn)行根本原因分析。

責(zé)任編輯:lq

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原文標(biāo)題:故障分析

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