0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線(xiàn)課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

韓國(guó)加快研發(fā)EUV光刻技術(shù),專(zhuān)利申請(qǐng)量猛增

如意 ? 來(lái)源:cnBeta.COM ? 作者:cnBeta.COM ? 2020-11-16 17:26 ? 次閱讀

援引韓媒 BusinessKorea 報(bào)道,以三星為代表的韓國(guó)企業(yè)在 EUV 光刻技術(shù)方面取得了極大進(jìn)展。根據(jù)對(duì)韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局(KIPO)過(guò)去十年(2011-2020)的 EUV 相關(guān)專(zhuān)利統(tǒng)計(jì),在 2014 年達(dá)到 88 項(xiàng)的頂峰,2018 年為 55 項(xiàng),2019 年為 50 項(xiàng)。

特別需要注意的是,韓國(guó)企業(yè)在 EUV 光刻技術(shù)上一直不斷縮和國(guó)外企業(yè)之間的差距。在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局 2019 年收錄的 50 項(xiàng)專(zhuān)利中,其中 40 項(xiàng)是由韓國(guó)人提交的,只有 10 項(xiàng)是外國(guó)人提交的。這也是韓國(guó)人提交的專(zhuān)利首次超過(guò)外國(guó)人。到 2020 年,韓國(guó)提交的申請(qǐng)也將是外國(guó)人申請(qǐng)的兩倍以上。

EUV 光刻技術(shù)整合到多種先進(jìn)技術(shù),包括多層反射鏡、多層膜、防護(hù)膜、光源等等。在過(guò)去十年里,包括三星電子在內(nèi)的全球公司進(jìn)行了深入的研究和開(kāi)發(fā),以確保技術(shù)領(lǐng)先。最近,代工公司開(kāi)始使用 5 納米 EUV 光刻技術(shù)來(lái)生產(chǎn)智能手機(jī)的應(yīng)用處理器(AP)。

如果按照公司劃分,前六家公司占到總專(zhuān)利申請(qǐng)量的 59%。其中卡爾蔡司(德國(guó))占18%,三星電子(韓國(guó))占15%,ASML(荷蘭)占11%,S&S Tech(韓國(guó))占8%,臺(tái)積電(中國(guó)臺(tái)灣)為6%,SK海力士(韓國(guó))為1%。

如果按照詳細(xì)的技術(shù)項(xiàng)目來(lái)劃分,處理技術(shù)(process technology)的專(zhuān)利申請(qǐng)量占32%;曝光設(shè)備技術(shù)(exposure device technology)的專(zhuān)利申請(qǐng)量占31%;膜技術(shù)(mask technology)占比為 28%,其他為 9%。

在工藝技術(shù)領(lǐng)域,三星電子占39%,臺(tái)積電占15%,這意味著兩家公司占54%。在膜領(lǐng)域,S&S Tech占28%,Hoya(日本)占15%,Hanyang University(韓國(guó))占10%,Asahi Glass(日本)占10%,三星電子占9%。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 三星電子
    +關(guān)注

    關(guān)注

    34

    文章

    15867

    瀏覽量

    181083
  • 光刻機(jī)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    31

    文章

    1153

    瀏覽量

    47454
  • EUV
    EUV
    +關(guān)注

    關(guān)注

    8

    文章

    607

    瀏覽量

    86064
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    納米壓印光刻技術(shù)旨在與極紫外光刻EUV)競(jìng)爭(zhēng)

    來(lái)源:John Boyd IEEE電氣電子工程師學(xué)會(huì) 9月,佳能交付了一種技術(shù)的首個(gè)商業(yè)版本,該技術(shù)有朝一日可能顛覆最先進(jìn)硅芯片的制造方式。這種技術(shù)被稱(chēng)為納米壓印光刻
    的頭像 發(fā)表于 01-09 11:31 ?5次閱讀

    日本首臺(tái)EUV光刻機(jī)就位

    據(jù)日經(jīng)亞洲 12 月 19 日?qǐng)?bào)道,Rapidus 成為日本首家獲得極紫外 (EUV) 光刻設(shè)備的半導(dǎo)體公司,已經(jīng)開(kāi)始在北海道芯片制造廠(chǎng)內(nèi)安裝極紫外光刻系統(tǒng)。 它將分四個(gè)階段進(jìn)行安裝,設(shè)備安裝預(yù)計(jì)在
    的頭像 發(fā)表于 12-20 13:48 ?232次閱讀
    日本首臺(tái)<b class='flag-5'>EUV</b><b class='flag-5'>光刻</b>機(jī)就位

    Prolith和HyperLith?主要用于mask-in-stepper lithography仿真、光刻設(shè)計(jì)

    32/64位版本的Windows和Linux系統(tǒng)?1。 這些特點(diǎn)使得HyperLith成為一個(gè)既強(qiáng)大又易于使用的仿真工具,適用于各種光刻技術(shù)研發(fā)和優(yōu)化。
    發(fā)表于 11-29 22:18

    今日看點(diǎn)丨 2011億元!比亞迪單季營(yíng)收首次超過(guò)特斯拉;三星將于2025年初引進(jìn)High NA EUV光刻機(jī)

    1. 三星將于2025 年初引進(jìn)High NA EUV 光刻機(jī),加快開(kāi)發(fā)1nm 芯片 ? 據(jù)報(bào)道,三星電子正準(zhǔn)備在2025年初引入其首款High NA EUV(極紫外)
    發(fā)表于 10-31 10:56 ?827次閱讀

    中國(guó)半導(dǎo)體專(zhuān)利申請(qǐng)激增,萬(wàn)年芯134項(xiàng)專(zhuān)利深耕行業(yè)

    據(jù)知識(shí)產(chǎn)權(quán)法律事務(wù)所Mathys&Squire報(bào)告顯示:2023至2024年期間,中國(guó)半導(dǎo)體相關(guān)專(zhuān)利申請(qǐng)數(shù)量呈井噴式增長(zhǎng),不僅遠(yuǎn)超美國(guó),更在全球范圍內(nèi)引起廣泛關(guān)注。在中國(guó)半導(dǎo)體公司數(shù)量下降
    的頭像 發(fā)表于 10-28 17:30 ?262次閱讀
    中國(guó)半導(dǎo)體<b class='flag-5'>專(zhuān)利申請(qǐng)</b>激增,萬(wàn)年芯134項(xiàng)<b class='flag-5'>專(zhuān)利</b>深耕行業(yè)

    日本與英特爾合建半導(dǎo)體研發(fā)中心,將配備EUV光刻機(jī)

    英特爾將在日本設(shè)立先進(jìn)半導(dǎo)體研發(fā)中心,配備EUV光刻設(shè)備,支持日本半導(dǎo)體設(shè)備和材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展,增強(qiáng)本土研發(fā)能力。 據(jù)日經(jīng)亞洲(Nikkei Asia)9月3日?qǐng)?bào)導(dǎo),美國(guó)處理器大廠(chǎng)英特爾已
    的頭像 發(fā)表于 09-05 10:57 ?390次閱讀

    韓國(guó)在LTPO OLED面板技術(shù)專(zhuān)利申請(qǐng)數(shù)量居全球第一

    8月26日訊,最新統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)揭示了全球低溫多晶硅氧化物(LTPO)發(fā)光二極管(OLED)面板技術(shù)領(lǐng)域的專(zhuān)利布局格局,韓國(guó)在此領(lǐng)域展現(xiàn)出強(qiáng)大的創(chuàng)新能力與領(lǐng)導(dǎo)地位。
    的頭像 發(fā)表于 08-26 15:26 ?596次閱讀

    日本大學(xué)研發(fā)出新極紫外(EUV)光刻技術(shù)

    近日,日本沖繩科學(xué)技術(shù)大學(xué)院大學(xué)(OIST)發(fā)布了一項(xiàng)重大研究報(bào)告,宣布該校成功研發(fā)出一種突破性的極紫外(EUV光刻技術(shù)。這一創(chuàng)新
    的頭像 發(fā)表于 08-03 12:45 ?1073次閱讀

    華寶新能全球專(zhuān)利申請(qǐng)總量突破1520件

    近日,便攜儲(chǔ)能全球領(lǐng)導(dǎo)者和全場(chǎng)景家庭綠電開(kāi)創(chuàng)者華寶新能對(duì)外宣布,其全球專(zhuān)利申請(qǐng)總量已達(dá)到1520件,其中海外專(zhuān)利申請(qǐng)已達(dá)到255件。這一里程碑式的成就標(biāo)志著公司在行業(yè)科技創(chuàng)新方面的引領(lǐng)地位,更印證
    的頭像 發(fā)表于 07-26 10:26 ?498次閱讀

    EPO發(fā)布2023年專(zhuān)利指數(shù),美國(guó)、德國(guó)、日本領(lǐng)跑,中國(guó)、韓國(guó)緊隨其后

    值得關(guān)注的是,新興經(jīng)濟(jì)體如韓國(guó)(增幅21.0%)及中國(guó)(增幅8.8%)在本次申請(qǐng)高潮中的表現(xiàn)尤為突出。其中,韓國(guó)首次躋身前五強(qiáng),而中國(guó)的專(zhuān)利申請(qǐng)自2018年至今翻番。
    的頭像 發(fā)表于 03-20 09:30 ?875次閱讀

    歐洲專(zhuān)利局2023年專(zhuān)利申請(qǐng)創(chuàng)新紀(jì)錄

    值得注意的是,韓國(guó)和中國(guó)在過(guò)去一年成為了EPO專(zhuān)利申請(qǐng)增長(zhǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力。韓國(guó)成功躋身前五之列,而中國(guó)則從2018年起,專(zhuān)利申請(qǐng)翻番。
    的頭像 發(fā)表于 03-19 15:28 ?638次閱讀

    華為領(lǐng)跑2023年國(guó)際專(zhuān)利體系申請(qǐng)

    華為領(lǐng)跑2023年國(guó)際專(zhuān)利體系申請(qǐng) 根據(jù)世界知識(shí)產(chǎn)權(quán)組織發(fā)布的最新統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示,華為、三星電子和高通是2023年產(chǎn)權(quán)組織國(guó)際專(zhuān)利體系的全球領(lǐng)先用戶(hù)。
    的頭像 發(fā)表于 03-14 15:44 ?1224次閱讀

    京東方PCT專(zhuān)利申請(qǐng)全球第五,展現(xiàn)半導(dǎo)體顯示行業(yè)創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)力

    近日,世界知識(shí)產(chǎn)權(quán)組織(WIPO)公布了2023年全球PCT國(guó)際專(zhuān)利申請(qǐng)排名,中國(guó)以顯著優(yōu)勢(shì)繼續(xù)領(lǐng)跑全球,其中,半導(dǎo)體顯示領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)京東方以1988件PCT專(zhuān)利申請(qǐng)位列全球第五,成為該榜單前五
    的頭像 發(fā)表于 03-11 09:46 ?585次閱讀

    京東方連續(xù)8年進(jìn)入全球PCT專(zhuān)利申請(qǐng)TOP10

    (京東方)以1988件PCT專(zhuān)利申請(qǐng)位列全球第5,成為榜單前五名中唯一的半導(dǎo)體顯示企業(yè)。這已是京東方連續(xù)8年進(jìn)入全球PCT專(zhuān)利申請(qǐng)TOP10,在全球科技創(chuàng)新舞臺(tái)上的持續(xù)領(lǐng)跑,全面展現(xiàn)了京東方強(qiáng)大的
    的頭像 發(fā)表于 03-09 15:58 ?2126次閱讀

    寧德時(shí)代申請(qǐng)電池新專(zhuān)利

    寧德時(shí)代申請(qǐng)電池新專(zhuān)利 近期寧德時(shí)代電池新專(zhuān)利申請(qǐng)陸續(xù)上菜, 比如“端蓋組件、電池單體、電池以及用電裝置“的專(zhuān)利,該專(zhuān)利能夠降低泄壓機(jī)構(gòu)被腐
    的頭像 發(fā)表于 01-17 16:23 ?751次閱讀