韓國EUV光刻技術方面取得極大進展 專利申請是國外的兩倍以上

IT之家 11 月 16 日消息 據(jù)韓國媒體 BusinessKorea 上周報道，韓國本土企業(yè)在 EUV 光刻技術方面取得了極大進展。但并沒有提到是哪一家企業(yè)，合理推測應指代韓國整個半導體光刻產(chǎn)業(yè)。

EUV 光刻技術是多種先進技術的復合體，例如多層反射鏡，多層掩模，防護膜，光源和注冊表（registries）。

在過去的十年中，包括三星電子在內(nèi)的全球公司進行了深入的研究和開發(fā)，以確保技術處于領先地位。最近，代工公司（意指三星）開始使用 5 納米 EUV 光刻技術來生產(chǎn)智能手機的應用處理器（AP）。

按公司劃分，全球六大公司的專利申請數(shù)占了總數(shù)的 59%，卡爾蔡司（德國）占 18%，三星電子（韓國）占 15%，ASML（荷蘭）占 11%，S&S Tech（韓國）占 8%。），臺積電（臺灣）為 6%，SK 海力士（韓國）為 1%。

從具體的技術項目來看，曝光裝置技術申請專利占 31%，掩膜技術申請專利占 28%，其他申請專利占 9%。在工藝技術領域，三星電子占 39%，臺積電占 15%。在光罩領域，S&S 科技占 28%，Hoya（日本）占 15%，漢陽大學 （韓國）占 10%，朝日玻璃 （日本）占 10%，三星電子占 9%。

IT之家了解到，韓媒還提到了韓國專利數(shù)量，據(jù)韓國知識產(chǎn)權局 （KIPO）發(fā)布的《近 10 年 （2011-2020 年）專利申請報告》顯示，2019 年，韓國提交的專利申請數(shù)量為 40 件，超過了國外企業(yè)的 10 件。

韓媒稱這是韓國提交的專利申請量首次超過國外企業(yè)。到 2020 年，韓國提交的專利申請也將是國外企業(yè)申請的兩倍以上。

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