0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

Microchip推出700和1200V碳化硅肖特基勢壘二極管

璟琰乀 ? 來源:Microchip微芯 ? 作者:Microchip微芯 ? 2020-11-05 10:20 ? 次閱讀

汽車電氣化浪潮正席卷全球,電動(dòng)汽車搭載的電機(jī)、車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器高壓汽車系統(tǒng)都需要碳化硅(SiC)等創(chuàng)新電源技術(shù)。Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)今日宣布推出最新通過認(rèn)證的700和1200V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)功率器件,為電動(dòng)汽車(EV)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供了符合嚴(yán)苛汽車質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的解決方案,同時(shí)支持豐富的電壓、電流和封裝選項(xiàng)。

Microchip新推出的器件通過了AEC-Q101認(rèn)證,對(duì)于需要在提高系統(tǒng)效率的同時(shí)保持高質(zhì)量的電動(dòng)汽車電源設(shè)計(jì)人員來說,可以最大限度地提高系統(tǒng)的可靠性和耐用性,實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定和持久的應(yīng)用壽命。新器件卓越的雪崩整流性能使設(shè)計(jì)人員可以減少對(duì)外部保護(hù)電路的需求,降低系統(tǒng)成本和復(fù)雜性。

Microchip分立產(chǎn)品業(yè)務(wù)部副總裁Leon Gross表示:“作為汽車行業(yè)的長期供應(yīng)商,Microchip持續(xù)拓展車用電源解決方案,引領(lǐng)汽車電氣化領(lǐng)域的電源系統(tǒng)轉(zhuǎn)型。我們一直專注于提供汽車解決方案,幫助客戶輕松過渡到碳化硅(SiC),同時(shí)將質(zhì)量、供應(yīng)和支持挑戰(zhàn)的風(fēng)險(xiǎn)降至最低?!?/p>

Microchip作為汽車行業(yè)供應(yīng)商的歷史已經(jīng)超過25年。公司擁有碳化硅(SiC)技術(shù)以及多個(gè)通過IATF 16949:2016認(rèn)證的制造工廠,可通過靈活的制造方案提供高質(zhì)量器件,幫助最大限度地降低供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)。

經(jīng)過Microchip內(nèi)部以及第三方測試,關(guān)鍵可靠性指標(biāo)已經(jīng)證明,與其他廠商生產(chǎn)的SiC器件相比,Microchip 的器件性能更加卓越。與其他在極端條件下出現(xiàn)性能下降的碳化硅( SiC) 器件不同,Microchip 器件性能保持穩(wěn)定,有助于延長應(yīng)用壽命。Microchip 碳化硅(SiC)解決方案的可靠性和耐用性在業(yè)界處于領(lǐng)先水平。其耐用性測試表明,Microchip 的碳化硅肖特基二極管(SiC SBD)在非箝位電感開關(guān)(UIS)中的能量承受能力提升20%,在高溫下電流泄漏水平最低,從而可以延長系統(tǒng)壽命,實(shí)現(xiàn)更可靠的運(yùn)行。

Microchip 的 SiC 汽車功率器件進(jìn)一步拓展了其豐富的控制器、模擬和連接解決方案產(chǎn)品組合,為設(shè)計(jì)人員提供電動(dòng)汽車和充電站的整體系統(tǒng)解決方案。Microchip還利用最新一代碳化硅(SiC)裸片,提供700、1200和1700V 碳化硅肖特基二極管(SiC SBD)和金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MOSFET功率模塊的廣泛產(chǎn)品組合。此外,Microchip推出的dsPIC?數(shù)字信號(hào)控制器可提供高性能、低功耗和靈活的外設(shè)。Microchip的AgileSwitch?系列數(shù)字可編程驅(qū)動(dòng)器進(jìn)一步加快了從設(shè)計(jì)階段到生產(chǎn)的進(jìn)程。這些解決方案還可應(yīng)用于可再生能源、電網(wǎng)、工業(yè)、交通、醫(yī)療、數(shù)據(jù)中心、航空航天和國防系統(tǒng)。

開發(fā)工具

Microchip 通過 AEC-Q101 認(rèn)證的碳化硅肖特基二極管(SiC SBD) 器件支持 SPICE 和 PLECS 仿真模型以及 MPLAB? Mindi? 模擬仿真器。同時(shí)還提供Microchip SBD(1200V, 50A)作為功率級(jí)的一部分的PLECS參考設(shè)計(jì)模型,即Vienna三相功率因數(shù)校正(PFC)參考設(shè)計(jì)。

供貨與定價(jià)

Microchip車用的700和1200V SiC SBD器件(也可作為功率模塊的裸片)已經(jīng)通過AEC-Q101認(rèn)證,現(xiàn)已開始接受批量訂單。如需了解更多信息,請聯(lián)系Microchip銷售代表、全球授權(quán)經(jīng)銷商或訪問Microchip網(wǎng)站。

責(zé)任編輯:haq

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 電動(dòng)汽車
    +關(guān)注

    關(guān)注

    156

    文章

    12087

    瀏覽量

    231286
  • 二極管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    147

    文章

    9641

    瀏覽量

    166533
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    肖特基二極管應(yīng)用領(lǐng)域 肖特基二極管在開關(guān)電源中的應(yīng)用

    肖特基二極管是一種由金屬與半導(dǎo)體接觸形成的層為基礎(chǔ)制成的二極管,也可稱為肖特基勢壘二極管,屬
    的頭像 發(fā)表于 12-13 16:17 ?374次閱讀

    ROHM推出表面貼裝型SiC肖特基勢壘二極管

    全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出引腳間爬電距離*1更長、絕緣電阻更高的表面貼裝型SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SBD”)。目前產(chǎn)品陣容中已經(jīng)擁有適用于車載充電器(OBC
    的頭像 發(fā)表于 11-26 15:42 ?234次閱讀
    ROHM<b class='flag-5'>推出</b>表面貼裝型SiC<b class='flag-5'>肖特基勢壘二極管</b>

    肖特基二極管的工作原理和優(yōu)缺點(diǎn)

    肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡稱。
    的頭像 發(fā)表于 11-05 15:24 ?534次閱讀
    <b class='flag-5'>肖特基</b><b class='flag-5'>二極管</b>的工作原理和優(yōu)缺點(diǎn)

    光伏板碳化硅二極管怎么選

    選擇光伏板碳化硅二極管需考慮以下因素。
    的頭像 發(fā)表于 09-29 14:33 ?394次閱讀
    光伏板<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>二極管</b>怎么選

    肖特基二極管的結(jié)構(gòu)和封裝形式

    肖特基二極管,又稱熱載流子二極管肖特基勢壘二極管(Schottky Barrier Diode,縮寫為SBD),是一種基于金屬-半導(dǎo)體結(jié)(M-S結(jié))的特殊
    的頭像 發(fā)表于 09-26 17:43 ?2035次閱讀
    <b class='flag-5'>肖特基</b><b class='flag-5'>二極管</b>的結(jié)構(gòu)和封裝形式

    碳化硅JBS二極管 結(jié)肖特基二極管 UIS前沿感性負(fù)載開關(guān)能力顯著:開關(guān)損耗降低60%

    華芯邦科技已推出了以碳化硅為基礎(chǔ)的MOSFET和碳化硅JBS二極管(結(jié)
    的頭像 發(fā)表于 09-26 17:32 ?418次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>JBS<b class='flag-5'>二極管</b> 結(jié)<b class='flag-5'>勢</b><b class='flag-5'>壘</b><b class='flag-5'>肖特基</b><b class='flag-5'>二極管</b> UIS前沿感性負(fù)載開關(guān)能力顯著:開關(guān)損耗降低60%

    SiC二極管概述和技術(shù)參數(shù)

    SiC二極管,全稱SiC碳化硅二極管,也被稱為SiC碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 09-10 14:55 ?1136次閱讀

    STPSC12C065-Y汽車650V功率肖特基碳化硅二極管規(guī)格書

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《STPSC12C065-Y汽車650V功率肖特基碳化硅二極管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 09-05 11:36 ?0次下載

    支持電子設(shè)備進(jìn)一步降低功耗的第5代平面型肖特基勢壘二極管

    ROHM第5代平面肖特基勢壘二極管的效率比上一代產(chǎn)品又提高了25%,有助于進(jìn)一步提高開關(guān)電源的效率。
    的頭像 發(fā)表于 08-09 15:21 ?1.4w次閱讀
    支持電子設(shè)備進(jìn)一步降低功耗的第5代平面型<b class='flag-5'>肖特基勢壘二極管</b>

    肖特基二極管與其他二極管的區(qū)別

    肖特基二極管(Schottky Diode),也被稱為肖特基勢壘二極管,是一種具有特殊結(jié)構(gòu)和優(yōu)異性能的半導(dǎo)體器件。它與其他類型的二極管(如普通二極管
    的頭像 發(fā)表于 07-24 15:05 ?6756次閱讀

    華燊泰:碳化硅二極管低能耗和高效率的秘密#SiC碳化硅 #第三代半導(dǎo)體 #肖特基二極管

    肖特基二極管碳化硅
    秦仲弘
    發(fā)布于 :2024年07月19日 16:54:37

    肖特基勢壘二極管的特征有什么

    肖特基勢壘二極管(SBD)是一種基于金屬-半導(dǎo)體接觸的二極管,而非傳統(tǒng)的PN結(jié)。這種特殊的結(jié)構(gòu)賦予了SBD獨(dú)特的電氣特性,使其在高頻和高效率的電子電路中具有重要的應(yīng)用。 Si-SBD(硅
    的頭像 發(fā)表于 02-23 11:30 ?943次閱讀
    <b class='flag-5'>肖特基勢壘二極管</b>的特征有什么

    20 V,1 A低VF肖特基勢壘二極管PMEG2010EA數(shù)據(jù)手冊

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《20 V,1 A低VF肖特基勢壘二極管PMEG2010EA數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 02-19 14:15 ?0次下載
    20 <b class='flag-5'>V</b>,1 A低VF<b class='flag-5'>肖特基勢壘二極管</b>PMEG2010EA數(shù)據(jù)手冊

    肖特基勢壘二極管RB751S40數(shù)據(jù)手冊

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《肖特基勢壘二極管RB751S40數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 02-19 13:45 ?0次下載
    <b class='flag-5'>肖特基勢壘二極管</b>RB751S40數(shù)據(jù)手冊

    具有低導(dǎo)通電阻的GaN-on-SiC肖特基勢壘二極管設(shè)計(jì)

    北京工業(yè)大學(xué)和中國北京大學(xué)報(bào)道了碳化硅襯底(GaN/SiC)上由氮化鎵制成的全垂直結(jié)構(gòu)肖特基勢壘二極管(SBD)的性能
    的頭像 發(fā)表于 02-19 11:23 ?1386次閱讀
    具有低導(dǎo)通電阻的GaN-on-SiC<b class='flag-5'>肖特基勢壘二極管</b>設(shè)計(jì)