EUV工藝已拉響戰(zhàn)局 美光計(jì)劃在2021年持續(xù)加碼投資DRAM

美光計(jì)劃在 2021 年提出建設(shè) A5 廠項(xiàng)目的申請(qǐng)，持續(xù)加碼投資 DRAM，將用于 1Znm 制程之后的微縮技術(shù)發(fā)展。

據(jù)悉，目前美光在臺(tái)灣地區(qū)布局，包括中科的前段晶圓制造 A1、A2 廠和后段封裝廠，在桃園有 A、B 兩廠，其中 1Znm 產(chǎn)線主要位于臺(tái)中廠，而桃園廠則以 1ynm 量產(chǎn)技術(shù)為主。此外，美光正在新建 A3 工廠潔凈室，預(yù)估將在 2021 年投入量產(chǎn) 1Znm 或 1α技術(shù)，進(jìn)一步擴(kuò)大先進(jìn)技術(shù)的量產(chǎn)規(guī)模。

圖源：美光

美光 2021 年 A5 廠建設(shè)計(jì)劃主要彰顯了美光對(duì) DRAM 未來發(fā)展的樂觀看法，也提高了美光在臺(tái)灣地區(qū) DRAM 生產(chǎn)基地的重要戰(zhàn)略地位。不過，目前美光沒有透露 A5 投產(chǎn)計(jì)劃的細(xì)節(jié)，對(duì)于新廠地址也不予評(píng)論。

美光投資建廠不斷，對(duì)短期 DRAM 市場影響有限，新產(chǎn)能將在 2021 年放量

據(jù)中國閃存市場 ChinaFlashMarket 數(shù)據(jù)，2020 年第二季度 DRAM 整體銷售額 170.6 億美元，環(huán)比增長 15%，同比增長 16%，三星、SK 海力士、美光三大原廠占據(jù) 95%以上的市場份額，一直處于全球壟斷地位，而美光市場份額占比 21.2%，排名第三，原廠 DRAM 擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)作對(duì)市場影響深遠(yuǎn)。

圖源：中國閃存市場 ChinaFlashMarket

2020 年由于受“疫情”影響，導(dǎo)致全球經(jīng)濟(jì)不景氣，尤其是到下半年，據(jù)中國閃存市場 ChinaFlashMarket 報(bào)價(jià)，在近 2 個(gè)月的時(shí)間里，服務(wù)器 DRAM 出現(xiàn)了小幅度的價(jià)格下滑，消費(fèi)類內(nèi)存條價(jià)格跌幅也超過 10%，部分產(chǎn)品價(jià)格跌幅甚至已超過了 20%，包括原廠、品牌廠等存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)出貨和獲利均面臨壓力。

9 月份是傳統(tǒng)的“備貨時(shí)期”，再加上華為備貨、物流緊張等影響，行業(yè)市場訂單略有好轉(zhuǎn)，渠道市場詢單也有所增加，市場價(jià)格初現(xiàn)回溫跡象。然而，A5 工廠是繼 A3 新工廠之后，美光又一新廠建設(shè)項(xiàng)目，意在持續(xù)加碼在 DRAM 領(lǐng)域的投資。面對(duì)美光投資擴(kuò)產(chǎn)消息，業(yè)內(nèi)人士不免會(huì)擔(dān)憂，恐會(huì)抑制當(dāng)前市場需求回暖。

不過，根據(jù)投資建廠的進(jìn)度，美光正在新建 A3 工廠潔凈室，預(yù)估將在 2021 年 Q1 投入量產(chǎn) 1Znm 或 1α技術(shù)，而 A5 工廠規(guī)劃的是在 2021 年開始建設(shè)，預(yù)估投產(chǎn)的時(shí)間節(jié)點(diǎn)將在 2022 年，也就是說美光投資導(dǎo)致的 DRAM 產(chǎn)出明顯增加將從 2021 年開始，所以短期對(duì) DRAM 市場的影響是有限的。

EUV 工藝已拉響戰(zhàn)局，美光新建 A5 工廠或?yàn)閷?dǎo)入 EUV 工藝準(zhǔn)備

2020 年三大原廠三星、美光、SK 海力士等 DRAM 技術(shù)主要是從 1Ynm 全面向 1Znm 推進(jìn)，這也是 DRAM 第三代 10nm 級(jí)技術(shù)。但是 DRAM 到第四代 10nm 級(jí)之后，原廠將會(huì)大規(guī)模的導(dǎo)入 EUV 工藝。

在 EUV 工藝方面，三星從 1Znm 制程就在導(dǎo)入 EUV 工藝，可謂搶占了先機(jī)。今年 3 月，三星率先宣布已經(jīng)成功出貨 100 萬個(gè)業(yè)界首款基于極紫外光（EUV）技術(shù)的 10nm 級(jí)（D1x）DDR4 模塊。8 月三星再次宣布位于韓國平澤市的第二條生產(chǎn)線（P2 工廠）已開始導(dǎo)入極紫外（EUV）技術(shù)批量生產(chǎn) 16Gb LPDDR5。新 16Gb LPDDR5 采用的是三星第三代 10nm 級(jí)（1znm）工藝為基礎(chǔ)，擁有更高容量和更高性能，能夠滿足下一代智能手機(jī)中 5G 和 AI 功能的應(yīng)用。

為了加快下一代技術(shù)的發(fā)展，SK 海力士內(nèi)部也已經(jīng)成立了研究小組，專門針對(duì) DRAM 技術(shù)的 EUV 光刻展開相關(guān)研究，并著手研發(fā) 1anm DRAM 技術(shù)，內(nèi)部的代號(hào)為“南極星”，工藝節(jié)點(diǎn)將在 15nm 左右，預(yù)計(jì)將會(huì)在該制程中引入 EUV 光刻技術(shù)。

此外，SK 海力士也在建設(shè)利川“ M16”工廠，目前該工廠還在建設(shè)中，安裝設(shè)備后計(jì)劃于 2021 年 1 月投產(chǎn)，初期 12 英寸晶圓產(chǎn)出 1.5 萬 -2 萬片 / 月，或用于擴(kuò)大新一代 DDR5 產(chǎn)量，以及導(dǎo)入 EUV 工藝，量產(chǎn) 1anm DRAM。

至于美光，DRAM 1Ynm 和 1Znm 技術(shù)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)量已超過 50%，根據(jù)規(guī)劃，1Znm DRAM 技術(shù)之后將向 1α、1β、1γ發(fā)展。在 2 年前，美光曾表示在 1α及 1β工藝之前不會(huì)用到 EUV。但是，隨著三星導(dǎo)入 EUV 工藝，以及 DRAM 價(jià)格在近 2 年時(shí)間里持續(xù)下滑，使得美光重新評(píng)估 EUV 工藝的導(dǎo)入時(shí)間節(jié)點(diǎn)，而將在 2021 年規(guī)劃開建的 A5 或是未雨綢繆，以便帶來更優(yōu)的 DRAM 成本效益。

就在幾年前，美光在加工技術(shù)方面遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于競爭對(duì)手。今天，該公司仍然落后于三星，但似乎已經(jīng)能夠超越 SK 海力士?；谄湫碌穆肪€圖，該公司仍然積極推出基于 DUV 的節(jié)點(diǎn)，因此它將向感興趣的各方提供具有競爭力的 DDR 和 LPDDR 設(shè)備。此外，DDR5 的開發(fā)似乎在技術(shù)和制造過程方面都在走上正軌。

美光還在擴(kuò)大其 DRAM 生產(chǎn)能力（下一代工藝和下一代存儲(chǔ)器所需），因此假設(shè)其產(chǎn)品足夠好，它將能夠保持其市場份額。了解美光之后，我們知道美光更感興趣的是利潤豐厚的專業(yè) / 顛覆性解決方案，而不是 DRAM 產(chǎn)品本身。

看起來有點(diǎn)令人不安的是，美光似乎對(duì) EUV 光刻過于謹(jǐn)慎。根據(jù)最近的評(píng)論，該公司只是在評(píng)估技術(shù)，但（據(jù)我們所知）沒有投資為 EUV 準(zhǔn)備的潔凈室。極紫外光刻并不是一個(gè)短期或中期的問題，但是看到美光如此害羞地談?wù)撍悬c(diǎn)奇怪。

總體而言，美光對(duì) DRAM 市場的前景以及未來的競爭地位持樂觀態(tài)度，預(yù)計(jì)各種新興應(yīng)用（自動(dòng)駕駛汽車，AI / ML，物聯(lián)網(wǎng)等）將被廣泛采用。
編輯：hfy