0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 實(shí)現(xiàn)帶FET的維恩橋振蕩器

電子設(shè)計(jì) ? 來(lái)源:eeweb ? 作者:Andrew Carter ? 2021-06-14 03:45 ? 次閱讀

反饋振蕩器

振蕩器中使用正反饋來(lái)保持運(yùn)行或振蕩。振蕩器基本上是一個(gè)放大器,它具有從輸出返回到輸入的反饋路徑。這允許一部分輸出信號(hào)返回到輸入以保持振蕩。反饋必須是積極的,這樣才能使舞臺(tái)能夠保持振蕩。如果反饋為負(fù),它將起到抑制振蕩的作用。

poYBAGDAOO-ABlKoAAAsCKQ0RDE036.png

具有電壓增益的放大器pYYBAGDAOWWALj8TAAACEVC3zAk402.png,其中輸出和輸入通過(guò)反饋網(wǎng)絡(luò)連接。這會(huì)產(chǎn)生poYBAGDAOXOADC5gAAACaTtMwh4951.png放大器輸入輸出電壓的一小部分。放大器的增益和反饋因子都與頻率有關(guān)。因此,放大器和反饋網(wǎng)絡(luò)都會(huì)改變信號(hào)的幅度和相位。

放大器和反饋網(wǎng)絡(luò)形成一個(gè)回路。初始信號(hào)波動(dòng)為:

通常,振蕩器設(shè)法啟動(dòng),其振蕩幅度迅速增加,直到受到系統(tǒng)的某些過(guò)程或特征的限制。這個(gè)限制過(guò)程的作用是最小化有效環(huán)路增益,直到模數(shù)為1。然后振蕩以基本恒定幅度的波形繼續(xù)。

相移振蕩器

運(yùn)算放大器實(shí)現(xiàn)

所有的反饋振蕩器都需要一些提供增益的設(shè)備與反饋裝置相結(jié)合,在適當(dāng)?shù)臅r(shí)間延遲后將系統(tǒng)的一些輸出發(fā)送回重新放大。相移振蕩器通過(guò)反相放大器進(jìn)行正反饋,并增加另一個(gè) 180 度與三個(gè)高通濾波器電路相移。它僅對(duì)一個(gè)頻率產(chǎn)生 180 度相移。

pYYBAGDAOYSAXuymAAACIlCxXtg815.png

場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 實(shí)現(xiàn)

帶 FET 的維恩橋振蕩器

維恩橋振蕩器是正弦波振蕩器。它可以產(chǎn)生最大的頻率。振蕩器基于橋式電路,由四個(gè)電阻器和兩個(gè)電容器組成。振蕩器也可以看作是正增益放大器與提供正反饋的帶通濾波器相結(jié)合。場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) Q1 工作在線性電阻區(qū)提供自動(dòng)增益控制。對(duì)于零相移顫振頻率下的RC網(wǎng)絡(luò)減少三分之一。

poYBAGDAORyAOMPJAAFDhBMmM8k279.png

FET移位振蕩器的基本電路

該電路顯示了放大器和反饋網(wǎng)絡(luò)。該電路由一個(gè)共源 FET 放大器和一個(gè)三段 RC 相移網(wǎng)絡(luò)組成。放大器級(jí)通過(guò)電容器旁路源極電阻Rs 和漏極偏置電阻 Rd 自偏置。最后一部分的輸出被提供回門。如果可以預(yù)期放大器上相移網(wǎng)絡(luò)的負(fù)載可以忽略不計(jì),則放大器本身會(huì)在放大的輸出電壓 Vout 和柵極輸入電壓 Vin 之間產(chǎn)生 180 度的相移。在 FET 相移振蕩器中,電壓串聯(lián)反饋電壓與輸出電壓成正比,并在柵極與輸入信號(hào)串聯(lián)提供。

pYYBAGDAOSqAZLk8AADEOnOGVEo934.png

編輯:hfy

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 振蕩器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    28

    文章

    3843

    瀏覽量

    139209
  • 場(chǎng)效應(yīng)晶體管

    關(guān)注

    6

    文章

    364

    瀏覽量

    19542
  • 增益放大器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    100

    瀏覽量

    29067
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    增強(qiáng)型和耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管

    總的來(lái)說(shuō),場(chǎng)效應(yīng)晶體管可區(qū)分為耗盡型和增強(qiáng)型兩種。耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(D-FET)就是在0柵偏壓時(shí)存在溝道、能夠?qū)щ姷?b class='flag-5'>FET;增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
    發(fā)表于 02-02 11:55 ?2.2w次閱讀

    場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類及作用

    場(chǎng)效應(yīng)晶體管(英語(yǔ):field-effecttransistor,縮寫:FET)是一種通過(guò)電場(chǎng)效應(yīng)控制電流的電子元件。它依靠電場(chǎng)去控制導(dǎo)電溝道形狀,因此能控制半導(dǎo)體材料中某種類型載流子的溝道的導(dǎo)電性
    發(fā)表于 05-08 09:26

    場(chǎng)效應(yīng)晶體管的選用經(jīng)驗(yàn)分享

    音頻放大器的差分輸入電路及調(diào)制、較大、阻抗變換、穩(wěn)流、限流、自動(dòng)保護(hù)等電路,可選用結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。音頻功率放大、開(kāi)關(guān)電源、逆變器、電源轉(zhuǎn)換、鎮(zhèn)流器、充電器、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)、繼電器驅(qū)動(dòng)等電路,可選
    發(fā)表于 05-13 07:10

    場(chǎng)效應(yīng)晶體管相關(guān)資料下載

    場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為雙極型
    發(fā)表于 05-24 06:27

    MOSFET和鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的不同器件配置及其演變

      在本文中,我們將探討 MOSFET 和鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的不同器件配置及其演變。我們還看到 3D 配置如何允許每個(gè)集成電路使用更多晶體管?! ∑矫媾c三 (3D)  平面MOSFET(圖1)在Lg
    發(fā)表于 02-24 15:20

    什么是鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管?鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管有哪些優(yōu)缺點(diǎn)?

    電場(chǎng)控制材料的電導(dǎo)率?! ■捠?b class='flag-5'>場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種非平面器件,即不受單個(gè)平面的限制。它也被稱為3D,因?yàn)榫哂械谌?b class='flag-5'>維度?! 楸苊饣煜?,必須了解不同的文獻(xiàn)在提及鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件時(shí)使用不同的標(biāo)簽
    發(fā)表于 02-24 15:25

    場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類及使用

    場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類及使用 場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型;P溝耗盡型和
    發(fā)表于 01-13 16:01 ?133次下載

    什么是場(chǎng)效應(yīng)晶體管

    場(chǎng)效應(yīng)晶體管 場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FieldEffectTransistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即
    發(fā)表于 05-24 23:11 ?7130次閱讀

    結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管是什么?

    結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管是什么? 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 利用場(chǎng)效應(yīng)原理工作的晶體管,簡(jiǎn)稱FET。場(chǎng)效應(yīng)就是
    發(fā)表于 03-04 15:58 ?3814次閱讀

    場(chǎng)效應(yīng)晶體管開(kāi)關(guān)電路

    場(chǎng)效應(yīng)晶體管開(kāi)關(guān)電路 場(chǎng)效應(yīng)晶體管(簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管)有結(jié)型(J-FET)和絕緣柵型(MOS-FET)兩類。
    發(fā)表于 05-24 15:26 ?1.2w次閱讀

    功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作特性

    功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管,即MOSFET,其原意是:MOS(MetalOxideSemiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),FET(FieldEffectTransistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)
    的頭像 發(fā)表于 10-11 10:26 ?1.1w次閱讀
    功率<b class='flag-5'>場(chǎng)效應(yīng)晶體管</b>的工作特性

    FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管掃盲

    一、什么是FET FET是Field Effect Transistor的縮寫,稱為場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它是晶體管的一種。通常所說(shuō)的晶體管是指雙極
    發(fā)表于 03-23 11:03 ?1.3w次閱讀
    <b class='flag-5'>FET</b><b class='flag-5'>場(chǎng)效應(yīng)晶體管</b>掃盲

    場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理和結(jié)構(gòu)

      場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,簡(jiǎn)稱FET)是一種半導(dǎo)體器件,它是一種基于電場(chǎng)效應(yīng)的三極。與普通的三極
    的頭像 發(fā)表于 05-17 15:15 ?7226次閱讀
    <b class='flag-5'>場(chǎng)效應(yīng)晶體管</b>的工作原理和結(jié)構(gòu)

    場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極電流是多大

    場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極電流是多大 場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,FET)是一種基于電場(chǎng)控制的電子器件,常用于放大、開(kāi)關(guān)和調(diào)制等電子電路中。在FET中,柵極電流
    的頭像 發(fā)表于 12-08 10:27 ?1647次閱讀

    結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管有什么區(qū)別

    FET)在本質(zhì)上都屬于場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱FET)的范疇,但它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、工作原理、特性以及應(yīng)用等方面存在一定的區(qū)別。以下將詳細(xì)闡述這兩者的區(qū)別。
    的頭像 發(fā)表于 10-07 17:28 ?502次閱讀