臺(tái)積電:可集成192GB內(nèi)存在芯片內(nèi)部

10月27日消息，臺(tái)積電是目前芯片制程工藝方面走在前列的廠商，蘋(píng)果、AMD、英偉達(dá)等全球重要品牌的芯片都由他代工，而近期有消息稱臺(tái)積電已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)第六代CoWoS晶圓級(jí)芯片封裝技術(shù)，可集成192GB內(nèi)存在芯片內(nèi)部。

CoWoS的全稱為Chip-on-Wafer-on-Substrate，是一種將芯片、基底都封裝在一起的技術(shù)，能夠降低制造難度和成本，這項(xiàng)技術(shù)常用于HBM高帶寬內(nèi)存的整合封裝，而之前的AMD Radeon VII顯卡、NVIDIA V100計(jì)算卡就使用了這項(xiàng)封裝技術(shù)，目前這項(xiàng)技術(shù)只有臺(tái)積電掌握，技術(shù)細(xì)節(jié)屬于商業(yè)機(jī)密。由于是商業(yè)機(jī)密，臺(tái)積電沒(méi)有披露第六代CoWoS的細(xì)節(jié)，只了解到可在單個(gè)封裝內(nèi)，集成多達(dá)12顆HBM內(nèi)存。

而最新SK海力士的HBM2E內(nèi)存利用TSV硅穿孔技術(shù)垂直堆疊八顆2GB芯片，從而做到單顆容量16GB，理論上更是可以做到十二顆堆疊、單顆容量24GB。也就說(shuō)，臺(tái)積電實(shí)際可做到將192GB高速內(nèi)存封裝在芯片內(nèi)，理論上限是封裝288GB內(nèi)存。在芯片封裝技術(shù)方面，產(chǎn)業(yè)鏈人士透露，臺(tái)積電的第6代CoWoS封裝技術(shù)有望在2023年大規(guī)模投產(chǎn)。
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