PMOS管背靠背用法詳解

這篇文章來自于微信群的一次交流，主角就是下面的這個電路。

2個PMOS并聯(lián)

電路描述： Q3是三極管，Q1和Q2是PMOS管，左右兩邊的+12V是輸入，VIN是輸出，用來給模塊供電，PHONE_POWER是控制信號。

電路邏輯： PHONE_POWER 輸出高電平時，Q3導通，Q1和Q2導通，VIN=+12V； PHONE_POWER輸出低電平時，Q3截止，Q和Q2截止，VIN=0V；

所以看起來這個電路很簡單， 問：為什么用兩個PMOS，Q1和Q2，用一個PMOS是不是也可以？

懂得人一看就知道了，Q1和Q2導通時，左右兩邊12V并聯(lián)增加電流，為的是提高VIN的帶載能力，或者換個說法是：VIN負載電流比較大，用兩個PMOS管分流。

舉個例子： 如果VIN負載最大電流為1A，用一個PMOS管，電流都會加在這個MOS管的DS上，選型時PMOS的IDS電流至少得1A以上； 如果用兩個PMOS，每個PMOS管的IDS電流是不是在0.5A以上即可。

所以這么設計的目的是為了節(jié)省成本 ，可能1個IDS=1A電流的管子比2個IDS=0.5A的管子貴。

問題來了，流過Q1和Q2的電流都是0.5A嗎？

如果流過Q1的電流是0.6A，流過Q2的電流是0.4A，那Q1過流發(fā)熱不就燒壞了？可能有人說了Q1燒壞了，還有Q2，難道Q2不會再燒壞嗎？答案是Q2肯定會壞。

那有人說了，Q1和Q2用同樣型號的PMOS管不就行了，這樣兩個管子的Rdson（導通內(nèi)阻）一樣，流過的電流肯定也一樣。

但是實際上，因為制造工藝的影響，同一型號同一批次的兩個管子，Rdson和其他參數(shù)不可能做到完全一樣。

看到這里你可能覺得很有道理，就算用一樣的型號，流過兩個MOS管的電流也不一樣！那是不是這個電路就無法使用了？

上述電路可以使用，使用時需要注意的點：

第1：Q1和Q2最好用同一型號，且IDS需要留有一定的余量，負載電流如果最大1A，兩個PMOS的IDS可以選擇0.6~0.7A左右，這樣就有200mA~400mA的余量。

第2：這一點非常重要，這也是我沒有想到的，被一位大佬一語點醒，這個電路可以實現(xiàn)「均流」，什么叫均流，也就是流過Q1和Q2的電流肯定是一樣的。

流過Q1和Q2的電流大小取決于Rdson參數(shù)。

第1點已經(jīng)說了，Q1和Q2使用同一型號的管子，可能因為制造工藝影響，假設Q1的Rdson比Q2的Rdson小，那么流過Q1的電流會比流過Q2的電流大。

但是有一點我們需要注意 ，MOS管的導通內(nèi)阻和溫度是呈正系數(shù)關系，也就是說隨著溫度的升高，內(nèi)阻會變大，因為流過Q1的電流比Q2大，所以Q1的溫升肯定比Q2高，這時候Q1的內(nèi)阻會變大，內(nèi)阻變大帶來的效果是流過Q1的電流又會變小，這不是個完整的負反饋嗎，完美的實現(xiàn)了均流。

2個PMOS串聯(lián)

如果說上面的是兩個MOS管并聯(lián)，下面這個圖是兩個MOS管串聯(lián)，VIN是輸入，VOUT是輸出。

電路邏輯： PHONE_POWER輸出高電平時，Q3導通，Q1和Q2導通，VIN=VOUT； PHONE_POWER輸出低電平時，Q3截止，Q和Q2截止，VIN=0V；

電路作用： 針對上面后一點，在2個MOS管關閉的情況下，如果調(diào)試需要外接VOUT， 可以防止VOUT的電串到VIN上面 ，利用的是Q1體二極管反向截止特性（左正右負）。

如果沒有Q1，那么VOUT直接從Q2的體二極管（左負右正）串電到VIN上面。

小結(jié)一下

兩個電路都是常用的電路，第一個電路剛開始在理解上會有一點偏差，理解的沒有那么透徹，通過大佬的點撥，瞬間懂了，可能這就是技術交流的魅力所在。

2個人分享思想，就有兩份思想，一群人分享思想，就有多個思想，博采眾長，才能提高自己。

今天的文章內(nèi)容到這里就結(jié)束了，希望對你有幫助，我們下一期見。

責任編輯：haq