X-FAB攜手合作伙伴推出高性?xún)r(jià)比的OTP存儲(chǔ)器解決方案

10月13日消息，X-FAB硅晶圓廠(chǎng)與I-fuse OTP IP解決方案的創(chuàng)新者Attopsemi達(dá)成合作，以滿(mǎn)足5G技術(shù)的存儲(chǔ)器需求。兩家公司已成功將I-fuse OTP存儲(chǔ)器與X-FAB的XR013開(kāi)放平臺(tái)代工130納米RF-SOI技術(shù)聯(lián)系起來(lái)。該認(rèn)證使客戶(hù)能夠從將緊湊（<2mm2表面積）和堅(jiān)固的OTP塊納入核心XR013技術(shù)模塊中獲益，但無(wú)需進(jìn)一步或定制加工。讀取操作可在2.5V和1.8V下實(shí)現(xiàn)，以實(shí)現(xiàn)MIPI兼容性。

Attopsemi董事長(zhǎng)Shine Chung說(shuō)：“我們對(duì)我們的I-fuse IP現(xiàn)在有資格納入X-FAB XR013工藝的前景感到非常興奮，我們很高興我們的OTP被X-FAB的客戶(hù)選擇用于5G應(yīng)用。得益于高可靠性、高質(zhì)量和完全可測(cè)試的IP，我們的I-fuse已被證明能夠滿(mǎn)足X-FAB在其先進(jìn)工藝中的嚴(yán)格要求?！?/p>

X-FAB射頻技術(shù)總監(jiān)Greg U‘Ren博士補(bǔ)充道：“與Attopsemi的緊密合作為我們的客戶(hù)使用XR013創(chuàng)造了一個(gè)高性?xún)r(jià)比的OTP存儲(chǔ)器解決方案，這將對(duì)我們的客戶(hù)增加其片上功能起到關(guān)鍵作用，為他們進(jìn)一步創(chuàng)新打下堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)，并使不同地理位置的要求得到關(guān)注?！?br /> 責(zé)任編輯:tzh