芯派科技：在原有單管功率循環(huán)設(shè)備上增購(gòu)了IGBT模塊功率循環(huán)測(cè)試系統(tǒng)

隨著電子行業(yè)的飛速發(fā)展，IGBT模塊在新能源汽車/充電樁、智能裝備制造、物聯(lián)網(wǎng)電子電力系統(tǒng)、智能電網(wǎng)、新能源裝備等新型產(chǎn)業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域得到了更廣泛的應(yīng)用，與此同時(shí)，針對(duì)IGBT模塊的可靠性能力也提出了更高的挑戰(zhàn)，尤其是與熱相關(guān)的器件壽命方面，IGBT模塊在大功率應(yīng)用場(chǎng)合中的可靠性更顯得尤為重要。

常見(jiàn)與熱相關(guān)的器件老化降級(jí)現(xiàn)象：

焊線老化降級(jí)

金屬層錯(cuò)位

焊接失效

硅芯片和基板的分層

功率循環(huán)試驗(yàn)是一種業(yè)界公認(rèn)有效評(píng)估功率器件壽命的試驗(yàn)方法。為了進(jìn)一步研究IGBT模塊的可靠性，我司在原有單管功率循環(huán)設(shè)備上增購(gòu)了西門(mén)子的子品牌Mentor IGBT模塊功率循環(huán)測(cè)試系統(tǒng) ——MicReD Industrial Power Tester 1800A

Mentor IGBT模塊功率循環(huán)測(cè)試系統(tǒng) ——MicReD Industrial Power Tester 1800A

Mentor IGBT模塊功率循環(huán)測(cè)試系統(tǒng)是結(jié)合了功率循環(huán)測(cè)試功能和瞬態(tài)熱測(cè)試功能的特殊測(cè)試系統(tǒng)。在功率循環(huán)測(cè)試過(guò)程中，通過(guò)瞬態(tài)熱測(cè)試功能可以實(shí)時(shí)采集待測(cè)器件結(jié)溫隨時(shí)間的變化，得到完整的瞬態(tài)熱阻響應(yīng)曲線，同時(shí)采用T3ster的數(shù)據(jù)處理功能，擬合器件的結(jié)構(gòu)函數(shù)，更直觀的展示在封裝器件中熱量的傳遞路徑，實(shí)時(shí)監(jiān)控試驗(yàn)過(guò)程中的結(jié)構(gòu)變化，更精確的定位器件的工藝缺陷。通過(guò)實(shí)時(shí)監(jiān)控來(lái)分析和確認(rèn)器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)的老化降級(jí)過(guò)程。

Mentor IGBT模塊功率循環(huán)測(cè)試系統(tǒng)

主要技術(shù)優(yōu)勢(shì)

輸出功率大，3通道加載功率（最大輸出電流1800A，最大輸出電壓12V），覆蓋市場(chǎng)主流IGBT模塊功率循環(huán)試驗(yàn)等級(jí)需求，滿足AGQ324 IEC60749測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)；

12個(gè)測(cè)量通道連續(xù)監(jiān)控導(dǎo)通電壓 VCE和門(mén)電流 IGATE，結(jié)溫實(shí)時(shí)檢測(cè)，分辨率可達(dá)0.01度；

配備6臺(tái)高精度電源，電壓采樣率1us，電源切換時(shí)間1us，每個(gè)測(cè)試通道具有最高 16μV 的電壓分辨率；

可以依據(jù)結(jié)構(gòu)函數(shù)分析散熱路徑的熱傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)，支持JEDEC JESD 51-14標(biāo)準(zhǔn)定義的雙界面瞬態(tài)熱測(cè)試法測(cè)試結(jié)殼熱阻RthJC；

支持恒定電流，恒定殼溫差ΔTC，恒定結(jié)溫差ΔTJ，以及恒定功率四種試驗(yàn)?zāi)Ｊ剑?/p>

除IGBT模塊之外，該系統(tǒng)也滿足其他產(chǎn)品，例如晶體管、功率二極管、MOSFET 等電力電子器件的功率循環(huán)試驗(yàn)。

責(zé)任編輯：xj

原文標(biāo)題：【會(huì)員風(fēng)采】芯派科技功率循環(huán)試驗(yàn)?zāi)芰υ黾?！——IGBT模塊功率循環(huán)測(cè)試系統(tǒng)已就位，誠(chéng)邀您來(lái)測(cè)試

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