半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展趨勢值得關(guān)注

Gartner預(yù)估2020年，AI相關(guān)產(chǎn)值包含產(chǎn)品及服務(wù)將達(dá)3，000億美元，2021年前產(chǎn)業(yè)將有30%新增營收與AI相關(guān)技術(shù)，包含處理器、網(wǎng)路架構(gòu)、HPC、個(gè)人終端裝置、機(jī)器人、無人機(jī)與自動駕駛車等等，帶動整體相關(guān)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

宏遠(yuǎn)投顧副總陳國清說，因此看好臺積電、聯(lián)電、聯(lián)發(fā)科、創(chuàng)意、智原、世芯、譜瑞、祥碩、晶心科、瑞昱、聯(lián)詠等公司發(fā)展。智慧型手機(jī)新趨勢改變，帶動屏下指紋、高階Sensor、TWS等產(chǎn)業(yè)，臺股受惠廠商包含瑞昱、原相、矽創(chuàng)、聯(lián)發(fā)科、神盾、臺積電等等。

此外，電動車產(chǎn)業(yè)與5G產(chǎn)業(yè)興起，帶動功率元件需求增加，其中較看好耐壓性較高、轉(zhuǎn)換效率較好的WBG材料產(chǎn)品；臺股受惠廠商臺積電、世界先進(jìn)、漢磊、嘉晶等廠商。

據(jù)SEMI預(yù)測，由于DRAM及NAND Flash價(jià)格仍看跌，記憶體廠今（2019）年資本支出計(jì)畫謹(jǐn)慎保守，加上晶圓代工廠的新廠裝機(jī)時(shí)間遲延到下半年，造成北美半導(dǎo)體設(shè)備出貨金額出現(xiàn)連續(xù)六個(gè)月年減。根據(jù)SEMI報(bào)導(dǎo)，2018年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售金額為621億美元，而2019年受到代工景氣與記憶體跌價(jià)等因素影響，預(yù)估全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售金額596億美元，整體衰退金額為4%。

研調(diào)機(jī)構(gòu)Gartner預(yù)測，2019年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值預(yù)估將達(dá)4，290億美元、年減9.6％，這是去年第四季以來第三度下修預(yù)估值。由于美中貿(mào)易戰(zhàn)、記憶體晶片跌價(jià)等因素，將使全球半導(dǎo)體營收寫下10年以來最大衰退幅度。

陳國清說，接下來發(fā)展趨勢有幾大領(lǐng)域值得關(guān)注：

●臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)優(yōu)于全球市場：臺積電首推出7nm制程，快速搶占高階手機(jī)AP、GPU、AI、CPU等應(yīng)用晶片市場；臺灣記憶體業(yè)者持續(xù)提高先進(jìn)制程比例，持續(xù)深耕利基型市場，產(chǎn)能維持于高檔。

●AI將帶動半導(dǎo)體動起來：根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)調(diào)查，年復(fù)合成長率約57%，預(yù)估到2025年達(dá)368億美元規(guī)模，帶動車用、深度學(xué)習(xí)、語音辨識與記憶體等半導(dǎo)體產(chǎn)品需求大增。

●AMOLED滲透率提升帶動屏下指紋大幅成長：由于AMOLED大量滲透到高階智慧型手機(jī)，帶動屏下指紋辨識模組大幅成長，預(yù)期今年約1億套，大幅成長。

●TDDI為驅(qū)動IC廠最大成長動能：隨著內(nèi)嵌式面板滲透率不斷提升，帶動TDDI需求不斷成長，2018年出貨量約4億顆，預(yù)估2019年TDDI數(shù)量約成長至5~6億顆以上。

●全面屏趨勢帶動高階P-Sensor大幅成長：受惠智慧型手機(jī)全面屏趨勢已形成，2018年出貨量約5億只，預(yù)估2019年出貨量大幅攀升至8億只，帶動高階P -Sensor成長。

●TWS為耳機(jī)應(yīng)用新趨勢：AirPods熱賣帶動TWS（真無線立體聲）藍(lán)牙耳機(jī)市場需求大增，市場調(diào)查機(jī)構(gòu)預(yù)估，TWS耳機(jī)全球出貨將從2018年的6，500多萬支，上升至2019年的1億支，復(fù)合成長率53%。

●2019年5G手機(jī)成為聚光燈焦點(diǎn)：MWC 2019各業(yè)者展示多款5G終端，類型包含家用網(wǎng)路設(shè)備（Router、CPE）、行動分享器（Hotspot）、及小型基地臺（Small Cell）、手機(jī)等，其中以智慧手機(jī)為發(fā)布重點(diǎn)。

●車用市場興起，功率半導(dǎo)體需求大增：MOSFET（金屬氧化半導(dǎo)體場效電晶體），通常用于所有電子裝置的中低電壓轉(zhuǎn)換/管理，包括消費(fèi)性電子、電腦、工業(yè)、再生能源、通訊及汽車等。IGBT（絕緣柵雙極電晶體），通常用于高功率應(yīng)用。

●WBG（Wide Band Gap）效能遠(yuǎn)大于Silicon：WBG（Wide Band Gap）產(chǎn)品的功率元件，效能遠(yuǎn)高于矽制成的功率元件，終端產(chǎn)品節(jié)能效果將會大大提升。

電動車時(shí)代帶領(lǐng)WBG需求未來將呈現(xiàn)大爆發(fā)：根據(jù)IHS分析結(jié)果來看，未來WBG產(chǎn)品將呈現(xiàn)倍數(shù)成長，其主要成長動能為電動車領(lǐng)域。
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