長江存儲在3DNAND存儲工藝上去的重大突破

近日美國對華為的芯片禁令正式生效了，在美國政府的持續(xù)打壓下，世界上主要的存儲芯片生產(chǎn)商按照美國政府的禁令對華為進(jìn)行了斷供。

雖然華為在芯片領(lǐng)域內(nèi)面臨著嚴(yán)重的困境，但是近日在芯片領(lǐng)域內(nèi)傳出了一個好消息，有消息人士透露中國的存儲芯片企業(yè)長江存儲在芯片上取得了重大突破。

該企業(yè)實(shí)現(xiàn)了對192層3DNAND存儲工藝的突破，并且發(fā)布了一款消費(fèi)級固態(tài)硬盤產(chǎn)品。該企業(yè)所取得的成就意味著中國的存儲芯片計劃已經(jīng)取得了一定的效果。

在刻蝕設(shè)備領(lǐng)域，中國企業(yè)生產(chǎn)的設(shè)備已經(jīng)開始進(jìn)入臺積電的供應(yīng)鏈中，不過在臺積電的供應(yīng)鏈中美國的企業(yè)占絕大部分。

在化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備方面，中國的可以替代美國的設(shè)備，不過在性能上要差一些。清洗設(shè)備上中國國產(chǎn)的設(shè)備能夠滿足中低端需求，但是在高端設(shè)備上還面臨著較大難度。

綜合來看中國的企業(yè)所使用的設(shè)備在很大程度上依賴外國的企業(yè)，中國企業(yè)所能夠提供的設(shè)備占比比較低。

光刻機(jī)是芯片制造過程中不可缺少的設(shè)備，這個設(shè)備是又貴又精密。在光刻機(jī)領(lǐng)域，能夠生產(chǎn)該設(shè)備的企業(yè)只有兩個，荷蘭的阿斯麥爾在該領(lǐng)域占有絕對優(yōu)勢，日本的佳能只占很少的一部分。

其實(shí)在半導(dǎo)體技術(shù)方面，中國企業(yè)雖然在技術(shù)上都取得了很多突破。但是中國企業(yè)在該領(lǐng)域?qū)γ绹囊蕾嚦潭群芨摺?/p>

以長江存儲為例，雖然取得192層3DNAND存儲工藝的突破，但是在生產(chǎn)設(shè)備上嚴(yán)重依賴美國公司。

在芯片制造上，中國企業(yè)不僅面臨著設(shè)備問題，還面臨著人才缺失的問題。想要發(fā)展芯片產(chǎn)業(yè)不僅需要技術(shù)，還需要資金。

在人才方面，中國的缺口是比較大的，所以很多企業(yè)開始花大力氣從芯片制造大廠開始延攬人才了。

美國在芯片上對中國卡脖子，給中國企業(yè)的發(fā)展帶來了非常多的困難。但是也正是因為美國的打壓，促使中國在芯片領(lǐng)域內(nèi)開始全力發(fā)展。

從世界上各大主流的存儲芯片制造廠商的進(jìn)展上看，他們基本上實(shí)現(xiàn)了128層NAND存儲芯片的量產(chǎn)，產(chǎn)品上市的時間預(yù)計在2020年。

長江存儲在192層3DNAND存儲工藝既然已經(jīng)研制成功，預(yù)計將會在明年的六月份實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。從目前長江存儲的水平來看，至少追趕上了世界的主流水平。

芯片的制造過程是一個非常復(fù)雜的過程，但是中國在不斷努力，雖然長江存儲所取得成就在芯片研制上是一小步，但是在中國的不斷努力之下，中國終將會在芯片領(lǐng)域取得突破。