ROHM納米級(jí)輸出電容實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定控制的Nano Cap?技術(shù)解析

“Nano Cap?”是一種ROHM自有的電源技術(shù)，即使電源電路的輸出電容為納法（nF）級(jí)，也可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的控制。以搭載Nano Cap技術(shù)的線性穩(wěn)壓器為例，100nF（0.1μF）的輸出電容就可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定工作，因此，通常，只要負(fù)載側(cè)（微控制器等其他IC）的電源引腳上安裝有旁路電容器（通常為100nF），線性穩(wěn)壓器就不再需要輸出電容器。

＜搭載Nano Cap技術(shù)的線性穩(wěn)壓器的亮點(diǎn)＞

?線性穩(wěn)壓器無(wú)需輸出電容器?！?fù)載側(cè)有100nF（0.1μF）電容器的情況。

?與具有低輸出電容優(yōu)勢(shì)的傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，大幅改善了負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)特性。

?無(wú)需輸出電容器，有助于節(jié)省空間和降低成本。

?未來(lái)，在運(yùn)算放大器和LED驅(qū)動(dòng)器等其他模擬IC中也將采用Nano Cap技術(shù)（部分樣品出售中）。

利用Nano Cap技術(shù)優(yōu)勢(shì)，線性穩(wěn)壓器不再需要輸出電容器

Nano Cap技術(shù)是凝聚ROHM“電路設(shè)計(jì)”、“布局”、“工藝”三大模擬技術(shù)優(yōu)勢(shì)而實(shí)現(xiàn)的電源技術(shù)。通過(guò)改善模擬電路的響應(yīng)性能，并盡可能地減少內(nèi)部布線和放大器等內(nèi)部電路的寄生因素，能夠?qū)⑤敵鲭娙萜鞯娜葜到抵烈酝夹g(shù)的1/10以下。

比如通過(guò)線性穩(wěn)壓器向微控制器供給電源時(shí)，傳統(tǒng)的線性穩(wěn)壓器通常是在輸出端配置1μF的輸出電容器，在微控制器的電源引腳（最近處）配置100nF（0.1μF）的旁路電容器。而搭載Nano Cap技術(shù)的線性穩(wěn)壓器，僅需微控制器側(cè)的100nF旁路電容器即可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定工作。

僅100nF的輸出電容也可顯著改善負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)性能

來(lái)看采用Nano Cap技術(shù)的線性穩(wěn)壓器和以往支持100nF輸出電容的產(chǎn)品的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)性能比較示例。比較的是輸出電壓為5V、負(fù)載波動(dòng)為50mA、輸出電容器為1μF時(shí)和100nF時(shí)的特性。

在輸出電容器為100nF的條件下，以往產(chǎn)品的輸出電壓波動(dòng)為±15.6%，而采用Nano Cap技術(shù)的產(chǎn)品僅為±3.6%，Nano Cap表現(xiàn)出非常出色的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)特性。標(biāo)準(zhǔn)的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)性能要求達(dá)到±5%，可見(jiàn)±3.6%已經(jīng)輕松滿足要求。因此，只要在負(fù)載側(cè)添加有100nF的電容器，采用Nano Cap技術(shù)的產(chǎn)品實(shí)質(zhì)上無(wú)需輸出電容器即可穩(wěn)定工作。
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