項目表示:無需使用任何光罩(mask)就能進(jìn)行芯片生產(chǎn)

近日，有報道指出，Multicolumn電子束光刻技術(shù)（MEBL）領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者M(jìn)ultibeam Corporation早前確認(rèn)已開始一項雄心勃勃的項目，無需使用任何光罩(又叫“光掩?！?，mask)，就能進(jìn)行芯片生產(chǎn)。這聽起來似乎天方夜譚，我們都知道，光罩在芯片生產(chǎn)過程中非常重要。

昂貴的光罩

一般來說，芯片制造主要是這樣一個流程，上游的IC設(shè)計公司依客戶的需求設(shè)計出電路圖，硅晶圓制造公司則以多晶硅為原料制造出硅晶圓。中游的IC制造公司主要的任務(wù)就是把IC設(shè)計公司設(shè)計好的電路圖移植到硅晶圓制造公司制造好的晶圓上。完成后的晶圓再送往下游的IC封測廠實施封裝與測試，就完成了整個制造過程。 光罩產(chǎn)業(yè)位于芯片制造的上游，具體來說，先把IC設(shè)計工程師完成的邏輯設(shè)計圖轉(zhuǎn)化成電路圖，電路完成后，再把電路制作成光罩就大功告成了。之后IC制造的流程較復(fù)雜，但其實IC制造就只做一件事而已：把光罩上的電路圖轉(zhuǎn)移到晶圓上。 光罩代表了實現(xiàn)半導(dǎo)體器件高良率的關(guān)鍵要素，在IC制造過程中，光罩就是用在半導(dǎo)體曝光制程上的母版，這種從光罩母版的圖形轉(zhuǎn)換到晶圓上的過程，就像印鈔機(jī)工作一樣。若掩模版缺陷或圖案放置錯誤，這一結(jié)果將在后續(xù)生產(chǎn)晶圓上的許多芯片中復(fù)制。 為了制造一款芯片需要幾百道工序，光罩當(dāng)然也不只一張，在28nm的時候，設(shè)計的時候需要用到40層光罩，而到了14nm以及10nm，光罩的需求量則上升到50層甚至是80層。 時任三星的晶圓制造資深主管Kelvin Low曾指出：“如果沒有EUV，只是靠ArFi浸沒式光刻去實現(xiàn)三倍甚至四倍pattern，那么我們認(rèn)為在7nm的時候，光罩?jǐn)?shù)量會上升80+層”。

用于邏輯芯片生產(chǎn)的光罩資料來源:Photronics 光罩層數(shù)的增加，也就代表著成本的水漲船高。在一則2017年臺媒的報道中，曾指出聯(lián)發(fā)科2018年將暫緩7nm制程進(jìn)度的主要原因就是為了降低成本。該報道中明確提到：“業(yè)界傳出，聯(lián)發(fā)科為節(jié)省先進(jìn)制程高昂的光罩費(fèi)用，明年新芯片都將以16納米為主要投產(chǎn)制程，借此降低成本，擠出更多潛在獲利，也符合共同執(zhí)行長蔡力行過去習(xí)換降低成本減少研發(fā)支出的作風(fēng)。” 對于晶圓代工廠來說，光罩的高昂費(fèi)用同樣成為他們競逐先進(jìn)制程的巨大阻礙。資料顯示，隨著眾晶圓代工廠的制程辛苦走到7nm節(jié)點，采用多重曝光技術(shù)僅能做單一方向微縮，無法做2個方向的微縮，影響單位面積下所能容納的晶體管數(shù)量，加以所需光罩?jǐn)?shù)與制程數(shù)大幅增加，以往隨著制程微縮，每芯片成本隨之下降情況已不復(fù)見。此前有報道指出，臺積電5nm全光罩流片費(fèi)用大概要3億人民幣，而且費(fèi)用還不包含IP授權(quán)，這其中光罩在其中占了大頭。為此，聯(lián)電止于12nm制程研發(fā)，格芯（GlobalFoundries）也宣告無限期停止7nm及以下先進(jìn)制程發(fā)展。

拋棄光罩

光罩造價如此高昂，使得無掩膜光刻引起了人們的廣泛關(guān)注。無掩模光刻技術(shù)相比傳統(tǒng)的有掩模光刻技術(shù)，不僅省去了掩模板的制作，降低了生產(chǎn)成本，而且還能根據(jù)需求快速制作數(shù)字掩模圖像，該技術(shù)更加靈活方便。 多電子束光刻技術(shù)（Muti-Electron Beam Lithography）就是其中的一種，該技術(shù)使用聚焦電子束在晶圓表面進(jìn)行掃描并在光刻膠中形成預(yù)定義電路圖形的技術(shù)，即在保持電子束光刻高分辨率特點基礎(chǔ)上，多電子束光刻技術(shù)通過獨立控制多束聚焦電子束實現(xiàn)并行寫入，從而提高寫入速度和光刻效率。 Multibeam Corporation顯然是該技術(shù)的積極倡導(dǎo)者。Multibeam Corporation總部位于加利福尼亞州圣克拉拉，是領(lǐng)先的Multicolumn電子束光刻技術(shù)（MEBL）開發(fā)商。Multibeam開發(fā)了微型全靜電柱，用于電子束光刻。電子束柱陣列同時并行工作，可以提高晶圓加工速度。 Multibeam Corporation認(rèn)為，MEBL可以在小批量生產(chǎn)ASIC以及多項目晶圓MPW計劃中大展宏圖。Multibeam董事長兼首席執(zhí)行官David K. Lam博士表示：“隨著IC的激增，PC和手機(jī)等傳奇性的‘殺手級應(yīng)用’正被眾多物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用（數(shù)字和模擬）所取代?！? IoT芯片通常是小型，簡單的SoC，可以執(zhí)行特定任務(wù)，并且在Internet上無處不在。此類芯片因大多數(shù)政府，商業(yè)，工業(yè)和消費(fèi)產(chǎn)品中IC含量的急劇增加而得到認(rèn)可。總體而言，物聯(lián)網(wǎng)芯片制造商是大批量生產(chǎn)商。但是它們的單一產(chǎn)品批量相對較小，因為物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用程序多種多樣且物聯(lián)網(wǎng)市場分散。在這個對成本敏感的市場中競爭是一個真正的挑戰(zhàn)。 小批量，采用成熟工藝節(jié)點的物聯(lián)網(wǎng)芯片制造商得不到光學(xué)光刻設(shè)備領(lǐng)導(dǎo)者的支持。導(dǎo)致自2007年光學(xué)分辨率達(dá)到極限以來，DUV（193nm ArF干法或浸沒式）光刻系統(tǒng)的進(jìn)展一直很少。 因此，Multibeam Corporation認(rèn)為這一領(lǐng)域是巨大的機(jī)會,通過創(chuàng)新的多功能MEBL平臺支持這些服務(wù)水平不高但快速增長的市場。公司宣布的全晶圓全無掩模構(gòu)圖計劃以及已經(jīng)開始的安全芯片ID嵌入將引領(lǐng)這一潮流。 對此，Multibeam項目是這樣進(jìn)行的：將其創(chuàng)新的MEBL用于在45nm及先進(jìn)工藝節(jié)點上對整個晶圓進(jìn)行圖形化，無需使用任何掩模，就可以用于后段金屬連線層生產(chǎn)（ BEOL）處理。 其專有的MEBL技術(shù)的核心是一個小型化的電子束柱（6英寸高；1英寸直徑）。柱的緊湊尺寸得益于創(chuàng)新的全靜電設(shè)計，消除了傳統(tǒng)電子束柱所需的大磁線圈。 Multibeam在緊湊的模塊中以陣列的形式排列其微型柱。陣列中的每一個小列產(chǎn)生一束電子束，控制其形狀和軌跡，并將其聚焦到晶圓上以寫入電路圖案。陣列中的所有列都獨立并行寫入，以在生產(chǎn)環(huán)境中實現(xiàn)前所未有的電子束寫入速度。 MEBL的快速，可擴(kuò)展的寫作是由一個專有的數(shù)據(jù)準(zhǔn)備系統(tǒng)。由于MEBL是無掩模的，DPS將行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)GDSII或Oasis格式的數(shù)據(jù)庫（其中存儲了每層和所有層的IC布局?jǐn)?shù)據(jù)）連接到所有MEBL列控制器。每一個MEBL列控制器分別指導(dǎo)其電子束在晶圓上書寫圖案，所有這些都是同時進(jìn)行的。 每個模塊包括多列陣列、精密晶圓臺和高精度反饋控制，這些高精度反饋控制與高精度光刻所需的其他傳感器和子系統(tǒng)無縫集成。小型MEBL設(shè)備模組占地面積（約2英尺×2.5英尺）約為等離子蝕刻設(shè)備模組的大小，使其與商用晶圓處理大型機(jī)臺兼容，并簡化了多個模組的集成。

在多模組(chamber) MEBL系統(tǒng)中，每個模組都可以針對特定的過程或應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化?；蛘?，所有模組都可以運(yùn)行相同的進(jìn)程以獲得更高的吞吐量。模塊化的可擴(kuò)展性使其具有非凡的靈活性，以滿足IC生產(chǎn)工廠的吞吐量和其他要求。 Multibeam還在研究如何將MEBL用于阻止IC偽造。據(jù)悉，MEBL的使用可以在常規(guī)制造過程中將獨特的ID嵌入每個IC內(nèi)部。在“芯片級”上對ID進(jìn)行硬編碼，使其幾乎可以防篡改；無需昂貴的驅(qū)動電路，額外的掩膜步驟和/或特殊包裝；并且可以鏈接到安全的數(shù)據(jù)庫，以存儲單個芯片數(shù)據(jù)，包括產(chǎn)銷監(jiān)管鏈記錄，這對于驗證芯片的來源至關(guān)重要。 Multibeam執(zhí)著于創(chuàng)新技術(shù)的精神與其創(chuàng)始人Lam博士脫不開關(guān)系。 Lam博士畢業(yè)于MIT，之后在Texas Instruments和Hewlett-Packard 從事等離子刻蝕研究和工程。盡管等離子蝕刻在1970年代被廣泛用于研發(fā)，但尚未在生產(chǎn)環(huán)境中證明其實用性。林發(fā)現(xiàn)蝕刻工藝制程波動變異的原因部分是技術(shù)原因，部分是人為原因。于是設(shè)想了一種新型的量產(chǎn)級等離子刻蝕機(jī)，不但可以節(jié)約人力，提高準(zhǔn)確性，還能減少環(huán)境污染。于是，他在1980年創(chuàng)立了Lam Research Corporation，并在大約一年后展示了全自動蝕刻機(jī)。 幾年后，Lam博士創(chuàng)立Multibeam Corporation并擔(dān)任董事長，繼續(xù)發(fā)揮其大膽的創(chuàng)新精神，憑借36項專利申請，Multibeam為四大應(yīng)用開發(fā)多列電子束系統(tǒng)和平臺：互補(bǔ)電子束光刻（CEBL）、直接電子寫入（DEW）、直接沉積/蝕刻（DDE）和電子束檢測（EBI）。

同行者們

Multibeam Corporation并不是第一家想到無掩膜生產(chǎn)芯片的廠商。在2007年，荷蘭積體電路微影設(shè)備制造業(yè)者M(jìn)APPER就展示過無掩膜大量平行電子束微影技術(shù)。 以創(chuàng)新科技為集成電路產(chǎn)業(yè)開發(fā)下一世代具成本效益的微影設(shè)備，其運(yùn)用大量平行的電子數(shù)，使高解析度的電子束達(dá)到超高的晶圓生產(chǎn)量，同時不需使用光罩，可望大幅降低未來世代集成電路制造成本。 臺積電于 2008年10月宣布和MAPPER合作，以MAPPER第一臺12吋無掩膜電子束微影設(shè)備，提供臺積電進(jìn)一步研究22奈米及更先進(jìn)制程。 近來，日本也在進(jìn)行相關(guān)的計劃。據(jù)報道，日本橫河電機(jī)將日本最早的AIST 最小晶圓廠（Mini Fab）項目投入生產(chǎn)。它使用0.5英寸的晶圓，并且不需要潔凈室即可操作。 這個由經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省主導(dǎo)，由140間日本企業(yè)、團(tuán)體聯(lián)合開發(fā)的新世代制造系統(tǒng)，目標(biāo)是透過成本與技術(shù)門檻的大幅降低，讓汽車與家電廠商能自己生產(chǎn)所需的半導(dǎo)體及感應(yīng)器。形同推翻臺積電董事長張忠謀 30 年前所創(chuàng)的晶圓代工模式，重回早年飛利浦、Sony 等大廠都自己生產(chǎn)半導(dǎo)體的垂直整合時代。售賣這種生產(chǎn)系統(tǒng)的，是日本橫河電機(jī)集團(tuán)旗下的橫河解決方案。每臺外型流線、美觀的制造設(shè)備，大小約與飲料自動販賣機(jī)差不多，但各自具備清洗、加熱、曝光等功能。每一臺設(shè)備，都相當(dāng)于一條半導(dǎo)體制造的生產(chǎn)線。一條「迷你晶圓廠」產(chǎn)線，所需的最小面積是大約是兩個網(wǎng)球場的大小。也僅是一座 12 吋晶圓廠的百分之一面積?！该阅憔A廠」能夠做到如此廉價、體積小，首先是挑戰(zhàn)業(yè)界常識的創(chuàng)新做法──不需要無塵室。另一個特點，就是不需要用到光罩，這又可大幅降低成本。

總結(jié)

在芯片制造成本越來越昂貴的今天，有些廠商開始退出先進(jìn)制程舞臺，也有廠商開始另辟蹊徑，尋找降低成本的方法。無掩膜光刻技術(shù)作為一項有前途的技術(shù)，一直受到大家的關(guān)注。 在2005年International Sematech舉辦的一個會議的技術(shù)專家曾指出,現(xiàn)有的(無掩膜光刻)工具技術(shù)問世不久,總體產(chǎn)出率仍然低下。不過走到2020年，橫河電機(jī)已經(jīng)宣布將其mini fab投產(chǎn)，這對產(chǎn)業(yè)來說，將成為重要一步。 目前，無掩膜光刻技術(shù)仍然只適用于“小批量、高混合”的芯片，也就是適合細(xì)分市場，仍然不能用于替代主流方法,如ArFi浸沒式和EUV極紫外光刻技術(shù)。

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