嵌入式靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)是現(xiàn)代SoC中的重要組成部分;伴隨著工藝前進(jìn)的腳步,對于SRAM的研究也從未終止過。其中雙端口SRAM可以為系統(tǒng)提供更高的通信效率和并行性,隨著系統(tǒng)吞吐率的提升應(yīng)用也越來越廣泛。
從用途來看SRAM可以分為獨立式SRAM和嵌入式SRAM(e-SRAM),其中獨立式SRAM主要應(yīng)用在板級電路中,而集成到芯片中的則稱為嵌入式SRAM;上述中的Cache便屬于嵌入式SRAM。
從讀寫端口的個數(shù)看,SRAM主要可分為單端口SRAM、兩端口SRAM(2P-SRAM)和雙端口SRAM等,后兩者是基于穩(wěn)定性和帶寬的要求發(fā)展起來的。
另外從輸入信號有無時鐘來看,SRAM可分為同步SRAM和異步SRAM。前者的各輸入信號在時鐘的上升沿被采樣,然后根據(jù)采樣的信號對電路進(jìn)行控制;而異步SRAM是根據(jù)某些輸入信號的變化對電路發(fā)起操作。雖然異步SRAM功耗小,但速度較慢、控制也復(fù)雜,而同步SRAM更符合用時鐘進(jìn)行同步的SoC,所以嵌入式的SRAM多是同步類型的。
單端口、兩端口和雙端口SRAM三者除了存儲單元外的其它部分都是大同小異的,在整體結(jié)構(gòu)、存取方法上都極其類似,所以本章主要針對同步單端口SRAM的基本電路結(jié)構(gòu)進(jìn)行研究分析。
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