第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品迎來(lái)產(chǎn)業(yè)化機(jī)遇

初級(jí)階段開(kāi)始向成熟階段邁進(jìn)。在二級(jí)市場(chǎng)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)指數(shù)和成交額在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的表現(xiàn)是逆市上揚(yáng)，這說(shuō)明資本對(duì)于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相關(guān)上市公司或者投資標(biāo)的充滿興趣。

具體來(lái)講，逆市上揚(yáng)主要是國(guó)內(nèi)市場(chǎng)情況和國(guó)際市場(chǎng)情況存在反差。全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的產(chǎn)業(yè)規(guī)模出現(xiàn)下降趨勢(shì)，而國(guó)內(nèi)呈現(xiàn)逆勢(shì)發(fā)展的態(tài)勢(shì)。

國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體逆勢(shì)發(fā)展背后的影響因素可以簡(jiǎn)單概括為：一是政策紅利，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為舉國(guó)關(guān)注的領(lǐng)域，在大國(guó)崛起的階段扮演非常特殊的角色，目前國(guó)家政策全面支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。二是資本市場(chǎng)多層次建設(shè)不斷完善，尤其是科創(chuàng)板的推出?？苿?chuàng)板瞄準(zhǔn)的是“硬核”創(chuàng)新，而半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是其中的重要標(biāo)的。

資本撬動(dòng)作用逐漸加大

從半導(dǎo)體行業(yè)投融資特點(diǎn)來(lái)看，目前產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)入加速階段。梳理2010~2020年十年間的主要投融資案例，可以看出結(jié)構(gòu)性的特征變化是：投資越是靠后端，輪次投資增速越高。這間接反映一個(gè)特點(diǎn)，就是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展從初級(jí)階段開(kāi)始向成熟階段邁進(jìn)。

從投融資的區(qū)域分布來(lái)看，不論是融資規(guī)模還是整個(gè)半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模，都有非常明確的地區(qū)集中趨勢(shì)，排名前三位分別是北京、上海、江蘇，這和半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模相匹配。這兩個(gè)數(shù)據(jù)也體現(xiàn)一個(gè)隱含特點(diǎn)，即現(xiàn)在投融資的規(guī)模交叉將要達(dá)到整個(gè)市場(chǎng)規(guī)模的一半，這充分證明資本對(duì)于半導(dǎo)體行業(yè)的認(rèn)可。如果跳出省級(jí)市場(chǎng)這個(gè)單獨(dú)層面，從區(qū)域一體化的角度來(lái)看，長(zhǎng)三角、珠三角、環(huán)渤海地區(qū)是半導(dǎo)體投融資分布非常突出的區(qū)域。

從熱點(diǎn)領(lǐng)域來(lái)看，5G通訊、汽車(chē)電子、物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)該成為下一階段半導(dǎo)體市場(chǎng)應(yīng)用熱點(diǎn)。從投資角度來(lái)說(shuō)，短期內(nèi)雖然有多樣的考量標(biāo)準(zhǔn)，但是在階段性鎖定目標(biāo)領(lǐng)域時(shí)的確難以遵循一個(gè)明確標(biāo)準(zhǔn)。畢竟投資達(dá)到一個(gè)循環(huán)的時(shí)候終將回歸本質(zhì)，投資終將要產(chǎn)生回報(bào)。從產(chǎn)業(yè)發(fā)展角度來(lái)說(shuō)也是同樣的道理。某一個(gè)產(chǎn)業(yè)，在發(fā)展的某個(gè)階段，選擇或放棄某個(gè)方向，如果直到跑到終點(diǎn)依然缺少盈利作為發(fā)展支撐，這個(gè)產(chǎn)業(yè)恐怕難以取得長(zhǎng)久發(fā)展。所以從資本的盈利訴求角度看，資本在投入某個(gè)產(chǎn)業(yè)時(shí)，更需要考慮產(chǎn)業(yè)能夠有真正的市場(chǎng)作為支撐。

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品迎來(lái)產(chǎn)業(yè)化機(jī)遇

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)前兩年一直有兩種說(shuō)法是：產(chǎn)業(yè)發(fā)展到瓶頸期，摩爾定律是否還成立？在硅基的原材料基礎(chǔ)上去做這些產(chǎn)品，這種技術(shù)路線是不是已經(jīng)達(dá)到極限？

目前最先進(jìn)的技術(shù)是2~3納米的制程，1納米基本上是3~5個(gè)硅原子。如果材料或者技術(shù)路線未發(fā)生革命性的變化，也許按技術(shù)路線會(huì)遇到一定瓶頸，例如2~3納米技術(shù)什么時(shí)候能夠成熟？實(shí)驗(yàn)室階段成熟以后，什么時(shí)候能夠量產(chǎn)？慶幸的是，現(xiàn)在已經(jīng)有不同的技術(shù)路線，第三代半導(dǎo)體可能使得技術(shù)路線發(fā)生轉(zhuǎn)移，另外從材料領(lǐng)域要加大努力，以新的材料突破為方向，這可能是未來(lái)要關(guān)注的重點(diǎn)。

需要明確的是，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈有兩個(gè)亟待發(fā)展的方向：一是核心原材料，二是前后端設(shè)備。如果這兩個(gè)領(lǐng)域能夠取得突破性進(jìn)展，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)將取得更好發(fā)展。
責(zé)任編輯：tzh