國(guó)內(nèi)新基建浪潮來襲，眾多芯片廠商大力推動(dòng)5G芯片進(jìn)入市場(chǎng)

技術(shù)新突破，長(zhǎng)電科技成功量產(chǎn)雙面封裝SiP產(chǎn)品

進(jìn)入2020年，國(guó)內(nèi)新基建浪潮來襲，眾多芯片廠商大力推動(dòng)5G芯片進(jìn)入市場(chǎng)。芯片飛速發(fā)展的背后，封裝技術(shù)也乘勢(shì)進(jìn)入快速發(fā)展階段。長(zhǎng)電科技敏銳感知市場(chǎng)需求和技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)，成功研發(fā)出更高密度的雙面封裝SiP工藝。

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，為了滿足越來越多的應(yīng)用需求，電子封裝體正朝著小型化、微型化發(fā)展，因此系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)（SiP）越來越受到重視。在5G通訊被快速推廣的今天，SiP技術(shù)可節(jié)省開發(fā)時(shí)間和避免試錯(cuò)成本，因而被廣泛地應(yīng)用于移動(dòng)終端設(shè)備中，具有很高的商業(yè)和技術(shù)價(jià)值。

隨著5G時(shí)代的來臨，Sub-6G和毫米波頻段上的移動(dòng)終端產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用。如何滿足5G毫米波的射頻需求，并將更多元器件“塞”進(jìn)體積微小的射頻前端模組是未來技術(shù)的關(guān)鍵點(diǎn)。

作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體微系統(tǒng)集成和封裝測(cè)試服務(wù)提供商，長(zhǎng)電科技選擇直面挑戰(zhàn)，攻克技術(shù)難題，成功于2020年4月通過全球行業(yè)領(lǐng)先客戶的認(rèn)證，實(shí)現(xiàn)雙面封裝SiP產(chǎn)品的量產(chǎn)。

在這項(xiàng)突破性技術(shù)工藝中，長(zhǎng)電科技設(shè)計(jì)的雙面封裝SiP產(chǎn)品成功應(yīng)用了雙面高密度、高精度SMT工藝，將大量的主被動(dòng)元器件貼裝在基板兩面，器件間的間距更是小到只有幾十微米。

其次，雙面封裝SiP產(chǎn)品應(yīng)用C-mold工藝，實(shí)現(xiàn)了芯片底部空間的完整填充，并有效減少了封裝后的殘留應(yīng)力，保證了封裝的可靠性。Grinding工藝的采用，使封裝厚度有了較大范圍的選擇，同步實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)控制產(chǎn)品的厚度公差。

此外，雙面封裝SiP產(chǎn)品應(yīng)用Laserablation工藝，去除多余塑封料，為后續(xù)錫球再成型工藝預(yù)留了空間，確保了更好的可焊性。

面對(duì)5G芯片需求爆發(fā)，先進(jìn)晶圓制程價(jià)格高企，SiP封裝技術(shù)使封裝環(huán)節(jié)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的價(jià)值得到大幅提升?？梢灶A(yù)見，雙面封裝SiP的應(yīng)用將迎來繁盛期，而長(zhǎng)電科技通過實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，成功將雙面SiP產(chǎn)品導(dǎo)入量產(chǎn)，將及時(shí)為國(guó)內(nèi)外客戶提供更先進(jìn)、更優(yōu)質(zhì)的技術(shù)服務(wù)。