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戴爾侵權(quán)GoodmanDDR4專利 遭起訴

jf_f8pIz0xS ? 來源:與非網(wǎng) ? 作者:與非網(wǎng) ? 2020-08-08 10:20 ? 次閱讀

近日,戴爾公司、戴爾技術(shù)公司和戴爾技術(shù)有限責(zé)任公司(統(tǒng)稱“戴爾”)在美國德克薩斯州西區(qū)地方法院被 James B. Goodman 起訴。

據(jù)悉,Goodman 的訴訟專利是美國專利號 4617624B2;6243315B1(“315 專利”)和 6257911b1,分別命名為多組態(tài)存儲電路、低功耗模式下的計算機存儲系統(tǒng)和低插入力擦除連接器。戴爾被指控在美國制造、進口和銷售的侵權(quán)產(chǎn)品侵犯了這些專利。

Goodman 在專利文件中指出,戴爾提供的一種用于計算機系統(tǒng)的存儲系統(tǒng),至少侵犯了“315 專利”的第 5 項權(quán)利要求,該計算機系統(tǒng)具有多個易失性固態(tài)存儲設(shè)備,這些設(shè)備在施加電源時會保留信息。所述存儲器件處于預(yù)定電壓范圍內(nèi),并且能夠置于自刷新模式。據(jù)稱,戴爾采用的 DDR4 內(nèi)存產(chǎn)品符合美國聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會固態(tài)技術(shù)協(xié)會(JEDEC)的要求,意味著該產(chǎn)品符合規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)和要求。

投訴還進一步解釋了 DDR4 SDRAM 內(nèi)部配有 16 個存儲區(qū)的高速動態(tài)隨機存取存儲器,這意味著存儲系統(tǒng)中有兩個或多個存儲設(shè)備可以向其中寫入數(shù)據(jù)或從中寫入數(shù)據(jù)。可以在將電源施加到存儲設(shè)備上時檢索數(shù)據(jù),并且當(dāng)電壓達到該范圍之外的預(yù)定閾值時,存儲設(shè)備將不再保留其當(dāng)前信息狀態(tài)。

另外,Goodman 聲稱該芯片需要 JEDEC 規(guī)定的“特定范圍的施加電壓來保留數(shù)據(jù)”。因此,原告使用這一所謂的信息,即 DDR4 假設(shè)使用多個需要電源的易失性狀態(tài)存儲設(shè)備,作為其指控戴爾使用這項專利技術(shù)的證據(jù)。

此外,如專利權(quán)利要求所述,DDR4 SDRAM 據(jù)稱“能夠被置于自刷新模式中”。權(quán)利要求 5 指出,當(dāng)“存儲器設(shè)備被電隔離時,在地址線和控制線上接收到的任何信號都不會到達所述存儲設(shè)備”。

根據(jù)投訴,Goodman 正在尋求宣告性判決,損害賠償,成本和費用賠償,特許權(quán)使用費賠償以及其他救濟。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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