射頻/微波將在2021年引領(lǐng)功率晶體管的復(fù)蘇

在連續(xù)三年創(chuàng)下銷售新高后，由于全球新冠疫情帶來(lái)的經(jīng)濟(jì)影響，導(dǎo)致了廣泛系統(tǒng)的需求下降，預(yù)計(jì)2020年功率晶體管市場(chǎng)將下降7%。根據(jù)IC Insights的《2020 O-S-D報(bào)告》，功率晶體管的復(fù)蘇預(yù)計(jì)將在2021年出現(xiàn)，其全球銷售額將增長(zhǎng)7%，達(dá)到169億美元，出貨量將增長(zhǎng)9%，達(dá)到590億美元。2020年版的O-S-D報(bào)告顯示，功率晶體管市場(chǎng)將在2022年重新回到歷史最高水平，屆時(shí)銷售額預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)5%，達(dá)到177億美元，這將超過(guò)2019年創(chuàng)下的171億美元的當(dāng)前年度峰值。

由于第五代(5G)蜂窩網(wǎng)絡(luò)的建立，將使用一系列新的傳輸頻率，包括毫米波(mmWave)頻譜的頻率，因此射頻和微波功率晶體管的增長(zhǎng)預(yù)計(jì)將引領(lǐng)2021年的市場(chǎng)復(fù)蘇。新的5G基站也在采用更多的天線和多個(gè)信號(hào)，以確保與智能手機(jī)和物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)（如自動(dòng)駕駛汽車）的高速連接，需要實(shí)時(shí)通信。預(yù)計(jì)到2024年，射頻/微波器件將引領(lǐng)功率晶體管市場(chǎng)的增長(zhǎng)（圖1）。

IC Insights的2020 OSD報(bào)告預(yù)測(cè)，RF /微波產(chǎn)品（+ 9％至13億美元），低壓（<40V）功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（+ 8％至37億美元）的增長(zhǎng)將帶動(dòng)2021年功率晶體管的復(fù)蘇，雙極電源模塊（增長(zhǎng)8％，達(dá)到5400萬(wàn)美元）。該報(bào)告還顯示，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）模塊的銷售額將在2021年增長(zhǎng)7％，達(dá)到41億美元，而IGBT分立晶體管的收入將增長(zhǎng)7％，達(dá)到當(dāng)年的創(chuàng)紀(jì)錄的16億美元。OSD報(bào)告稱，電池驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品，更多移動(dòng)系統(tǒng)的不斷普及，電源效率的提高以及電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車的改進(jìn)，將在未來(lái)四年中繼續(xù)推動(dòng)功率FET和IGBT產(chǎn)品的增長(zhǎng)。

2021年功率晶體管的復(fù)蘇將由RF/微波產(chǎn)品(增長(zhǎng)9%至13億美元)、低壓(<40V)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(增長(zhǎng)8%至37億美元)和雙極功率模塊(增長(zhǎng)8%至5400萬(wàn)美元)的增長(zhǎng)引領(lǐng)。報(bào)告還顯示，絕緣柵雙極晶體管(IGBT)模塊的銷售額在2021年增長(zhǎng)7%，達(dá)到41億美元，而IGBT分立晶體管的收入增長(zhǎng)7%，達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的16億美元。報(bào)告稱，電池驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品的不斷普及，更多的移動(dòng)系統(tǒng)，電力供應(yīng)效率的提高，以及電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車的改進(jìn)，將繼續(xù)推動(dòng)電力FET和IGBT產(chǎn)品在未來(lái)四年的增長(zhǎng)。

根據(jù)OSD報(bào)告的預(yù)測(cè)，2019年至2024年，預(yù)計(jì)功率晶體管的總銷售在2019年至2024年之間將以1.7％的復(fù)合年增長(zhǎng)率（CAGR）增長(zhǎng)，并在最后一年達(dá)到186億美元。這個(gè)預(yù)測(cè)的銷售增長(zhǎng)率比過(guò)去五年（2014-2019）的5.3％的復(fù)合年增長(zhǎng)率低3.6個(gè)百分點(diǎn)，這主要是由于新冠疫情大流行導(dǎo)致了2020年的下滑。