niPOL穩(wěn)壓器的設計挑戰(zhàn)

更高的集成度、更低的EMI、更高的效率，更快的速度……這些都是電源工程師在設計一個電源系統(tǒng)時面對的目標。但是令人撓頭的是，這些目標彼此之間常?；槊荏w，無法兼得，因此如果沒有新技術的加持，沒有順手的電源管理器件可用，工程師只能無奈做折中，最終交付一個可用但不那么完美的設計。

同樣的挑戰(zhàn)，也發(fā)生在非隔離負載點（niPOL）穩(wěn)壓器領域。在電源系統(tǒng)中，niPOL穩(wěn)壓器的作用是將總線電壓轉換為負載點所需的直流電壓，應用十分廣泛。應用的擴展也在推動相關技術的進步，高集成度、MOSFET、封裝等方面的精進，使得niPOL穩(wěn)壓器在小型化、高功率密度等方面不斷演進。不過在這個過程中，一直有一個困擾電源工程師的問題，那就是穩(wěn)壓器中MOSFET的開關功耗。

niPOL穩(wěn)壓器的設計挑戰(zhàn)

圖1是一個典型的同步降壓穩(wěn)壓器的拓撲結構，由于其是通過MOSFET的開啟/關斷完成能量的轉換，也被稱為“硬開關”轉換器。從其工作原理我們可以分析出，其開關損耗主要是由于功率傳送系統(tǒng)的高側MOSFET的導通特性和米勒柵極電荷，以及體二極管的傳導損耗。

圖1：典型的“硬開關”同步降壓穩(wěn)壓器的拓撲結構

（圖源：Vicor）

由于在硬開關轉換器的高側MOSFET兩端有很高的電壓，在降壓轉換器關-開過渡期間，高側MOSFET中會產生很大的功率損耗，同時也激勵了寄生電感，這將導致開關瞬態(tài)和高頻率振鈴。這個功率損耗與輸入電壓密切相關：輸入電壓越大，功率損耗越高；電壓轉換比越大，穩(wěn)壓器的效率也會越差。而大家知道，目前總線電壓越來越高，48V總線也越來越普遍，硬開關轉化器的這個特點無疑會拖整個電源系統(tǒng)效率的后腿。因此在針對一些高電壓、大轉換比的應用時，為了滿足總能效的要求，電源工程師不得不采用多級轉換架構，但這顯然會增加系統(tǒng)的復雜性和尺寸，與系統(tǒng)優(yōu)化的目標背道而馳。

這種開關損耗帶來的另一個負作用就是限制了開關頻率的提升，因為更頻繁的開關動作勢必會導致總功耗的增加。而眾所周知，開關頻率更高的系統(tǒng)可以選用更小的無源元件，有利于進一步“壓縮”系統(tǒng)的尺寸，因此開關損耗對于提高系統(tǒng)功率密度、實現(xiàn)小型化也是不利的。

所以克服硬開關轉化器的功率損耗，也就成了提升niPOL穩(wěn)壓器性能的一個重要課題。而一個可行且已經過實踐驗證的辦法就是使用“軟開關”。雖然與傳統(tǒng)的硬開關架構相比，軟開關需要更復雜的控制電路，但是由于其可以實現(xiàn)開關時間和開關波形的協(xié)調，規(guī)避掉影響開關損耗的幾個主要因素，很值得一試。

用ZVS軟開關替代硬開關

ZVS（零電壓開關）就是這樣一個“軟開關”的范例。顧名思義，“零電壓開關”就是通過精準的控制，令開關兩端的電壓為零或接近于零時，切換高側MOSFET開關狀態(tài)，這樣就消除了高側MOSFET的導通間隔期間功率損耗和電壓轉換率之間的關聯(lián)。

從圖2看，ZVS降壓穩(wěn)壓器與傳統(tǒng)的硬開關拓撲相比，主要變化是在輸出電感上跨接了一個箝位開關，其主要目的是讓輸出電感器中貯存的能量能夠用于執(zhí)行零電壓開關操作。

圖2：ZVS“軟開關”同步降壓穩(wěn)壓器的拓撲結構

（圖源：Vicor）

這個過程究竟是如何實現(xiàn)的？且看下面詳細講解↓↓↓

ZVS降壓拓撲基本有三大狀態(tài)，它們被定義為Q1導通階段、Q2導通階段和箝位階段。要了解零電壓開關的工作原理，我們必須假定在諧振過渡后Q1在近乎零電壓下開啟。在D-S電壓接近零時，Q1在零電流下開啟。MOSFET和輸出電感器中的電流會慢慢升高，直至由Q1導通時間、電感器間電壓和電感器值共同決定的峰值電流。在Q1導通階段，電能存儲在輸出電感器中，而電荷則提供給輸出電容器。圖3中標黃的區(qū)域顯示的是對應于Q1導通階段的等效電路及電流。在Q1導通階段，Q1的功耗由MOSFET導通電阻主導，開關損耗近可忽略。

接下來，在不足10ns的極短體二極管導通時間后，Q1會迅速關斷。該體二極管傳導時間所增加的功耗可以忽略。在體二極管電流換向時，Q1會發(fā)生與峰值電感器電流成比例的關斷損耗。接著Q2會開啟，而且貯存在輸出電感器中的能量會提供給負載和輸出電容器。在電感器電流下降到零時，同步MOSFET Q2會保持導通，直至將一些能量存儲在輸出電容器的輸出電感器中為止。這表現(xiàn)為電感器電流略變?yōu)樨?。Q2導通階段及等效電路參見圖3的藍色陰影區(qū)。

在控制器確定電感器中貯存有足夠的能量后，同步MOSFET會關斷，箝位開關會開啟，從而會將VS節(jié)點鉗至VOUT。箝位開關不僅可將輸出電感器電流與輸出隔離開來，同時還能夠近乎無損耗地以電流方式循環(huán)貯存能量。在極短的箝位時間段里，輸出由輸出電容器提供。

在箝位階段結束時，箝位開關斷開。輸出電感器中存儲的能量會與Q1及Q2輸出電容的并行組合諧振，導致VS節(jié)點電壓諧振到VIN的幅值。這種振鈴會為Q1的寄生輸出電容放電，減少Q2的寄生米勒電荷并為Q2的寄生輸出電容充電。這允許Q1在VS節(jié)點接近VIN時，無損開啟。包括諧振過渡和等效電路在內的鉗位工作階段顯示為綠色區(qū)域。這里需要指出的是，當箝位開關導通時，電流按粉色電流環(huán)路循環(huán)；當鉗位開關斷開時，電流則按紅色箭頭流動。

圖3：ZVS的工作原理（圖源：Vicor）

從圖4中可看到采用ZVS軟開關技術后，對于消除了轉換器高側器件開啟時的大電壓尖峰和振鈴，有非常明顯的效果。

圖4：ZVS軟開關（a）與硬開關轉換器（b）架構的波形比較（圖源：Vicor）

歸納一下采用ZVS技術可以為niPOL穩(wěn)壓器性能提升帶來的價值：

基本上消除了開啟損耗。

只要有箝位階段，在高側MOSFET開啟前就不會需要高反向恢復電流的體二極管導通。

高側MOSFET柵極驅動不受寄生電感的影響。由于ZVS的作用以及無開啟電流沖擊，高側MOSFET開啟時消除了米勒效應，這有助于縮小高側柵極驅動器的尺寸，并減少功耗。

低開關損耗使得轉換器可以在更高的頻率下工作。許多ZVS軟開關產品的速度要比硬開關產品快2-3倍，有利于進一步減小系統(tǒng)體積和增加功率密度。

Vicor ZVS穩(wěn)壓器系列

人們對ZVS的上述性能優(yōu)勢早有認識，不過想要真正“吃透”這個軟開關技術，并在產品中成功應用，且形成廣泛的產品線，這樣的實力“玩家”就不多了，Vicor公司就是其中的翹楚。

在多年前發(fā)現(xiàn)ZVS技術對于niPOL穩(wěn)壓器的價值之后，Vicor就一直在這個領域不輟耕耘，目前已經形成了涵蓋12V、24V或48V輸入電壓的寬輸入范圍ZVS穩(wěn)壓器系列產品，包括降壓穩(wěn)壓器和升降壓穩(wěn)壓器兩大類別，產品組合十分豐富。

1 降壓負載點穩(wěn)壓器系列

Vicor的niPOL降壓開關穩(wěn)壓器已經形成了PI33/PI34/PI35xx三個系列，可以為電源工程師提供一個高效率、高功率密度和高靈活性的解決方案。這些降壓穩(wěn)壓器在高密度系統(tǒng)級封裝（SiP）中集成了控制電路、電源半導體和支持組件，并可通過配置，在恒流模式下工作。

圖5：ZVS降壓穩(wěn)壓器的典型應用

（圖源：Vicor）

得益于采用了ZVS軟開關拓撲，ZVS降壓穩(wěn)壓器能夠在高輸入電壓和大降壓轉化比例的情況下，提供高達98%的效率。以下分別展示了PI34xx（輸入電壓12V）、PI33xx（輸入電壓24V）、PI35xx（輸入電壓48V）系列代表產品的效率表現(xiàn)。

圖6：PI33/PI34/PI35xx系列降壓穩(wěn)壓器的效率表現(xiàn)

（圖源：Vicor）

同時，由于支持更高的開關頻率，ZVS降壓穩(wěn)壓器可以選擇更小的外圍濾波元件，在獲得更佳動態(tài)響應的同時提高功率密度。

圖7：PI33xx出色的高頻特性有利于實現(xiàn)系統(tǒng)小型化

（圖源：Vicor）

2 升降壓負載點穩(wěn)壓器系列

在ZVS降壓穩(wěn)壓器成功的基礎上，Vicor還推出了升降壓負載點穩(wěn)壓器PI37xx系列。在寬輸入范圍下，該系列的穩(wěn)壓器可提供高效率的升降壓轉換。以PI3740系列為例，其輸入電壓范圍可達8-60V，輸出為10-50V。

圖8：PI37xx系列升降壓負載點穩(wěn)壓器

（圖源：Vicor）

與其他采用ZVS技術的產品類似，PI37xx系列穩(wěn)壓器不僅可在不影響效率的情況下，保持高達額定輸入電壓的高開關頻率，而且還支持大的DC-DC轉換比，效率可以達到98%（>800kHz FSW）。

圖9：PI37xx系列升降壓負載點穩(wěn)壓器的效率表現(xiàn)

（圖源：Vicor）

憑借產品的高集成度，PI37xx只需一個外部電感器和極少量的電容器，即可形成完整的DC-DC開關模式升降壓穩(wěn)壓器。同時，優(yōu)化的高開關頻率特性同樣可以縮小外部濾波組件的尺寸，提高功率密度，并可實現(xiàn)針對線路及負載瞬態(tài)的極快速動態(tài)響應。

圖10：PI37xx系列升降壓負載點穩(wěn)壓器的典型應用

（圖源：Vicor）