單片機小知識總結(jié)

①RST復(fù)位電路

51單片機是高電平復(fù)位，低電平正常工作

上電瞬間以及按下按鍵（電容相當于導(dǎo)線），RST為高電平。

按鍵按下的瞬間會產(chǎn)生大電流沖擊，會局部產(chǎn)生較大的電磁干擾。為了減小這種干擾，加一個一個限流電阻。

②有關(guān)RAM和FLASH

STC89C52RC系列單片機有512B的RAM以及8K的Flash（程序存儲空間）

RAM就是平時存儲變量的，比如你定義了一個什么bit、uint8、 uint16 、uint32等等這些都是在RAM中定義的。

512B的RAM雖然名字一樣，但是在物理結(jié)構(gòu)以及用法是有區(qū)別的。

沿襲老8051單片機的叫法，依舊叫為片內(nèi)RAM和片外RAM。所謂的片內(nèi)和片外是指芯片內(nèi)部和芯片外部，但是現(xiàn)在的單片機的芯片拓展基本上都在內(nèi)部，不存在什么片外拓展RAM。但是我們?nèi)砸琅f這么叫，知道這回事就行了。

片內(nèi)RAM分為 data、idata一般我們直接定義的變量都是直接在data里面的，data是直接尋址的，是速度最快的。而其他都是通過寄存器間接尋址的，其速度當然不可同日而語。

其中data的范圍是從片內(nèi)的0x00~0x7F共128字節(jié)

而idata范圍是從片內(nèi)的0x80~0xFF也是128B但是它同時不用來存儲變量，當然也不希望程序能訪問到這里，它主要的用途就是用來中斷與函數(shù)的調(diào)用。

片外RAM分為pdata、xdata如上所述，均是通過寄存器來間接尋址的。

pdata的尋址范圍是片外的0x00~0xFF共256B。尋址速度相對來講比xdata快

xdata的尋址范圍是片尾的0x0000~0xFFFF共64K。尋址范圍最廣，如要使用還得專門配置兩個字節(jié)寄存器DPTRH和DPTRL，尋址范圍的廣，也就意味著速度是最慢的。

所以呢，總結(jié)一下就是：一般變量存儲在data區(qū)域，當data不夠了，在去尋xdata區(qū)域，idata不要觸碰。pdata不到萬不得已也不要?。。?/p>

看似高字節(jié)拓展的128RAM是和寄存器的地址相重疊，但是物理上并不重疊

③三極管

用途主要有：驅(qū)動和控制兩個

三極管的特性：截止、飽和、放大。

（在數(shù)電中主要用到的是三極管的開關(guān)作用，用到的是截止和飽和特性(有一個β因數(shù))。而在模電當中用到的是則是它的放大特性）

④按字節(jié)編碼尋址以及按字編碼尋址

按字節(jié)編碼尋址，1M = 2^20B 而 1B=8bit所以2^20B/1B = 2^20

可尋地址為1~2^20-1

需要二十根總線

按字編碼尋址，1字的4B，其他同上，那么2^20/1字=2^20/4B=2^18

可尋地址為1~2^18-1

需要十八跟總線

對了，除此之外還要注意一個東西，就是MB和M的區(qū)別

MB是一個容量單位，兆字節(jié)

而M是一個數(shù)量單位，兆

LED壓降為2V，工作電流1~20mA**一般在1~5,mA之內(nèi)的變化可以直接體現(xiàn)在燈的亮程度，超過5mA就沒那么明顯了所以選取的串聯(lián)電阻可以選**150歐~3K

⑤三八譯碼器快速記住對應(yīng)的，其實左邊三個可以看成二進制是幾，對應(yīng)的右邊哪一位就是0

比如左邊A2 A1 A0為0 0 0那么右邊Y0 Y1 Y2 Y3 Y4 Y5 Y6 Y7 對應(yīng)的值就是 0 1 1 1 1 1 1 1

⑥關(guān)于IO口

IO口有四種狀態(tài)，準雙向，開漏，強推挽，高阻

應(yīng)用最多的得數(shù)準雙向和開漏了，兩者的主要區(qū)別就是開漏內(nèi)部是沒有上上拉電阻的。51單片機的P0默認就是開漏，而其他口均是準雙向IO對于P0在自己DIY小電路的時候切記不要忘了加外部加上拉電阻！

對于準雙向IO要特別注意：51單片機的一個重要知識準雙向IO口，如果要正確讀取外部信號的狀態(tài)，首先必須保證自己是高電平

⑦上拉電阻和下拉電阻

上拉電阻的主要應(yīng)用場合有：

OC門即是開漏輸出

需要增大電流輸出時，加一個上拉相當于并聯(lián)一個電阻。

也能起到限流作用，如5V轉(zhuǎn)12V系統(tǒng)

抵抗EMI（電磁干擾）

sbit

sbit用于定義單字節(jié)可位尋址對象的某位，“單字節(jié)可位尋址”包括可位尋址特殊功能寄存器和RAM中可位尋址區(qū)的16個字節(jié)。

bata 關(guān)鍵字可將變量定位到內(nèi)部的RAM的可位尋址。

eg：

char bdata bittest;

sbit RIbit = bittest^0;

sbit TIbit = bittest^1;

sbit P1_0 = P1^0;

⑧ 有關(guān)IO口拉成高電平的總結(jié)

通常我們會遇到在普通的準雙向IO口下，出現(xiàn)IO口拉不到高電平的情況。這個時候怎么辦呢？

嘗試所有的IO口狀態(tài)，有的比較特殊，比如IO口外接上上拉電阻，必須開漏才能拉成高電平。

單片機是否速度過快，可以適當延時。。

⑨關(guān)于繼電器

模塊接口:

1、DC+：接電源正極（電壓按繼電器要求，有5V.9V.12V和24V選擇）

2、DC-：接電源負極

3、IN：可以高或低電平控制繼電器吸合

繼電器輸出端：

1、NO：繼電器常開接口，繼電器吸合前懸空，吸合后與COM短接

2、COM：繼電器公用接口

3、NC：繼電器常閉接口，繼電器吸合前與COM短接，吸合后懸空

高低電平觸發(fā)*選擇端：*

1.跳線與LOW短接時為低電平觸發(fā);

2.跳線與high短接時為高電平觸發(fā)。

⑩、關(guān)于DS18B20的引腳

簡而言之，就是。平面面向自己以后，三個腳分別是GND、VOUT和VCC

上張圖明白一切

11、DHT11

DHT11 是一款含有已校準單總線數(shù)字信號輸出的溫濕度復(fù)合傳感器，它包括一個電阻式感濕元件和一個 NTC 測溫元件，并與一個高性能 8 位單片機相連接。DHT11 是屬于民用型器件，測量值僅精確到個位，即小數(shù)點后無數(shù)據(jù)，如果要使用于工業(yè)產(chǎn)品或更精確的應(yīng)用，建議使用 DHT21 或 SHT10。

注意的是那個NA或者NC引腳，表示是空引腳。