臺(tái)積電3納米試產(chǎn)進(jìn)度如期 ASML宣布5nm半導(dǎo)體多光束檢測(cè)機(jī)問(wèn)世?

編者按：在美國(guó)對(duì)華為制裁的期間，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的重組不可避免。針對(duì)先進(jìn)工藝制程，臺(tái)積電和三星進(jìn)行了激烈的角力。6月1日，晶圓代工龍頭臺(tái)積電正面回應(yīng)，包括5納米、3納米制程，均按照進(jìn)度進(jìn)行中，3納米將如期在2021年試產(chǎn)，2022年下半年量產(chǎn)。6月1日，荷蘭ASML公司近日在官網(wǎng)宣布，完成了用于5nm及更先進(jìn)工藝的第一代HMI多光束檢測(cè)機(jī)HMI eScan1000的測(cè)試。

6月1日，對(duì)外界傳出5納米擴(kuò)產(chǎn)及3納米試產(chǎn)延遲的市場(chǎng)傳聞，晶圓代工龍頭臺(tái)積電正面回應(yīng)，包括5納米、3納米制程，均按照進(jìn)度進(jìn)行中，按照臺(tái)積電規(guī)劃，今年資本支出中80%將用于3納米、5納米與7納米等先進(jìn)制程技術(shù)，其余10%用于先進(jìn)封裝與光罩，另外10%用于特殊級(jí)制程技術(shù)。

臺(tái)積電在日前的法說(shuō)會(huì)上表示，即使肺炎疫情帶來(lái)不確定性，但看好未來(lái)幾年高效運(yùn)算、5G需求，將持續(xù)布局先進(jìn)制程技術(shù)，重申今年投資150億美元到180億美元目標(biāo)不變。

在美國(guó)擴(kuò)大封鎖華為夏，臺(tái)積電表示，5納米、3納米制程，按照進(jìn)度進(jìn)行中，3納米將如期在2021年試產(chǎn)，2022年下半年量產(chǎn)。

ASML宣布全新5nm第一代HMI多光束檢測(cè)機(jī)問(wèn)世

6月1日，荷蘭ASML公司近日在官網(wǎng)宣布，完成了用于5nm及更先進(jìn)工藝的第一代HMI多光束檢測(cè)機(jī)HMI eScan1000的測(cè)試。

據(jù)介紹，HMI eScan1000能夠同時(shí)產(chǎn)生、控制九道電子束，與單個(gè)電子束檢查工具相比，將使吞吐量提高達(dá)600％。

國(guó)內(nèi)媒體了解到，新的MBI系統(tǒng)包括一個(gè)電子光學(xué)系統(tǒng)，能夠創(chuàng)建和控制多個(gè)初級(jí)電子波束，然后收集和處理產(chǎn)生的次級(jí)電子波束，將波束之間的串?dāng)_限制在2%以內(nèi)，并提供一致的成像質(zhì)量。它還具有提高系統(tǒng)總體吞吐量的高速階段和實(shí)時(shí)處理來(lái)自多個(gè)波束的數(shù)據(jù)流的高速計(jì)算體系結(jié)構(gòu)。

目前，首臺(tái)多波束檢測(cè)系統(tǒng)已于本周交付客戶進(jìn)行鑒定。ASML計(jì)劃增加光束數(shù)量和光束分辨率，以滿足未來(lái)幾代芯片制造商的產(chǎn)品路線圖要求。

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