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武漢國家存儲器基地復工 總投資達1600億元

半導體動態(tài) ? 來源:全球半導體觀察 ? 作者:全球半導體觀察 ? 2020-04-16 10:06 ? 次閱讀

隨著武漢重啟,新興建設(shè)承建的國家級高科技重點項目武漢國家存儲器基地,經(jīng)過前期科學有序的疫情防控和復工復產(chǎn)準備,日前,項目施工生產(chǎn)加速推進,現(xiàn)場300余名工人已經(jīng)投入到各項工作。

據(jù)中國新興建設(shè)指出,該項目于4月2日獲得復工批復,目前正在進行二次施工及部分高層主體結(jié)構(gòu)施工。

武漢國家存儲器項目位于武漢東湖高新區(qū)武漢未來科技城,總投資1600億元,工程建筑面積32.9萬平方米,是我國芯片國產(chǎn)化的重要支撐,規(guī)劃建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND閃存制造廠房,預計2020年,整個項目完成,總產(chǎn)能將達到30萬片/月,年產(chǎn)值將超過100億美元。目前,長江存儲器基地一期已實現(xiàn)量產(chǎn)。

長江存儲科技有限責任公司副董事長楊道虹此前在湖北省兩會期間召開的首場新聞發(fā)布會上表示,當前及今后一段時間,他們的核心任務(wù)是推動產(chǎn)能爬坡提升,如期達成月產(chǎn)能10萬片,并盡快啟動二期建設(shè),建成30萬片/月產(chǎn)能,提升國家存儲器基地的規(guī)模效應(yīng),帶動全省產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

湖北省2020年政府工作報告也指出,湖北將加快培育壯大以“芯屏端網(wǎng)”為重點的世界級產(chǎn)業(yè)集群,加快國家存儲器基地二期項目的建設(shè)。

中國新興建設(shè)表示,新興建設(shè)武漢國家存儲器基地項目將結(jié)合當前實際情況,按照目標不變、標準不降、信心不減、干勁不松的原則,科學調(diào)整施工工序,加快施工進度,加強重點區(qū)域工作的指導和協(xié)調(diào)力度,努力克服疫情影響,確保完成全年施工目標。
責任編輯:wv

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