露笑科技募資不超過10億元用于多個碳化硅項目 將加強公司在碳化硅方面的基礎研究以及新產(chǎn)品開發(fā)能力

4月12日，露笑科技股份有限公司（以下簡稱“露笑科技”）發(fā)布2020年度非公開發(fā)行股票預案。

公告顯示，露笑科技本次非公開發(fā)行采取向特定對象非公開發(fā)行股票的方式，在獲得中國證監(jiān)會核準后由公司在中國證監(jiān)會規(guī)定的有效期內(nèi)選擇適當時機向不超過35名特定對象發(fā)行。

按2019年12月31日股本測算，露笑科技本次非公開發(fā)行股份總數(shù)不超過453，200，530股（含453，200，530股），非公開發(fā)行股票募集資金總額不超過100，000萬元，扣除發(fā)行費用后將用于“新建碳化硅襯底片產(chǎn)業(yè)化項目”、“碳化硅研發(fā)中心項目”和“償還銀行貸款”項目。

Source：露笑科技

其中新建碳化硅襯底片產(chǎn)業(yè)化項目總投資金額為69，456萬元，本次擬使用募集資金投入65，000萬元，該項目建設期24個月，擬生產(chǎn)碳化硅襯底片等產(chǎn)品，項目產(chǎn)品具有尺寸大、更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更大的電子飽和度以及更高的抗輻射能力。

碳化硅研發(fā)中心項目總投資金額為5，010萬元人民幣，其中擬使用募集資金投入5，000萬元，由露笑科技股份有限公司的全資子公司浙江露笑碳硅晶體有限公司組織實施，本項目項目建設期為24個月。該項目主要建設內(nèi)容為研發(fā)場地改造及裝修工程、引進行業(yè)內(nèi)高水平研發(fā)人才以及購置與公司業(yè)務發(fā)展相適應的研發(fā)設備及軟件。

露笑科技表示，新建碳化硅襯底片產(chǎn)業(yè)化項目對于滿足國內(nèi)外快速增長的4英寸、6英寸及以上尺寸級別的碳化硅襯底片市場需求，促進襯底片質(zhì)量與成品率水平的提升將發(fā)揮較為重要作用用。而通過碳化硅研發(fā)中心的建設，將加強公司在碳化硅方面的基礎研究以及新產(chǎn)品開發(fā)能力，有利于提高產(chǎn)品附加值，增強公司核心競爭力。

據(jù)了解，碳化硅是一種第三代寬禁帶半導體材料，具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更大的電子飽和度以及更高的抗輻射能力。目前，碳化硅等第三代半導體是功率半導體的一個投資重點方向?！吨袊圃?025》中四次提到碳化硅為代表的第三代半導體，國家大基金也把碳化硅列為了重點投資方向之一。

從產(chǎn)業(yè)鏈角度看，碳化硅包括單晶襯底、外延片、器件設計、器件制造等環(huán)節(jié)，但目前全球碳化硅市場基本被在國外企業(yè)所壟斷。

2019年11月26日，露笑科技股份有限公司與中科鋼研節(jié)能科技有限公司、國宏中宇科技發(fā)展有限公司開展碳化硅項目戰(zhàn)略合作，共同研發(fā)4英寸、6英寸、8英寸乃至更大尺寸級別的碳化硅長晶設備，目前首批2臺套升華法碳化硅長晶爐已經(jīng)完成設備性能驗收交付使用，經(jīng)過優(yōu)化后的碳化硅長晶爐設備將應用于國宏中宇主導的碳化硅產(chǎn)業(yè)化項目中。

露笑科技表示，將繼續(xù)專注第三代半導體晶體產(chǎn)業(yè)，拓展碳化硅在5G GaN-on-SiC HEMT、SiC SBD、SiCMOSFET、SiC IGBT等元器件芯片方面的應用，生產(chǎn)4-6英寸半絕緣片以及4H晶體N型導電碳化硅襯底片及其他產(chǎn)品制品。
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