0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

EPFL研究人員研制納米器件,速度是當(dāng)前晶體管的100倍

獨(dú)愛72H ? 來源:cnBeta ? 作者:cnBeta ? 2020-03-28 22:35 ? 次閱讀

(文章來源:cnBeta)
EPFL研究人員已經(jīng)開發(fā)出一種比當(dāng)今最快的晶體管運(yùn)行速度快十倍的器件。新設(shè)備的運(yùn)行速度也比目前計(jì)算機(jī)中的晶體管快100倍左右。他們發(fā)明的納米級(jí)設(shè)備能夠產(chǎn)生高功率太赫茲波。這位科學(xué)家說,眾所周知,這些波很難產(chǎn)生。由于很難產(chǎn)生這種波,因此它有著廣泛的應(yīng)用前景,包括成像或傳感以及高速無線通信

研究人員還說,該裝置的高功率皮秒操作有望用于先進(jìn)的醫(yī)療技術(shù),包括癌癥治療。太赫茲波在電磁頻譜中介于微波紅外輻射之間,以每秒10億至30萬億次的頻率振蕩。太赫茲波因其獨(dú)特的特性而受到追捧,包括穿透紙張、衣物、木材和墻壁的能力。這些電波還能夠攜帶數(shù)據(jù),這可能為更快的無線通信打開了大門。這些波也是非電離的,不會(huì)對(duì)人體健康造成危害??茖W(xué)家們創(chuàng)造的技術(shù)可以安裝在芯片上,也可以是柔性介質(zhì),有朝一日可以安裝在智能手機(jī)或其他手持設(shè)備上。所描述的設(shè)備是緊湊和廉價(jià)的,能夠在短時(shí)間內(nèi)從一個(gè)微小的源產(chǎn)生高強(qiáng)度的波。

它通過在10皮秒范圍內(nèi)產(chǎn)生從10V到100V的電壓尖峰來產(chǎn)生“火花”。該設(shè)備每秒可以接受多達(dá)5000萬個(gè)信號(hào),從而以近乎連續(xù)的方式產(chǎn)生火花。結(jié)構(gòu)包括一對(duì)金屬板,它們之間的距離接近20納米。通過向其中一塊板施加電壓電子浪涌形成納米等離子體。
(責(zé)任編輯:fqj)

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 晶體管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    77

    文章

    9693

    瀏覽量

    138204
  • 納米器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    19

    瀏覽量

    7937
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    麻省理工學(xué)院研發(fā)全新納米級(jí)3D晶體管,突破性能極限

    11月7日,有報(bào)道稱,美國(guó)麻省理工學(xué)院的研究團(tuán)隊(duì)利用超薄半導(dǎo)體材料,成功開發(fā)出一種前所未有的納米級(jí)3D晶體管。這款晶體管被譽(yù)為迄今為止最小的3D晶體
    的頭像 發(fā)表于 11-07 13:43 ?366次閱讀

    NMOS晶體管和PMOS晶體管的區(qū)別

    NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)類型,它們?cè)诙鄠€(gè)方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景等方面詳細(xì)闡述NMOS晶體管
    的頭像 發(fā)表于 09-13 14:10 ?3447次閱讀

    晶體管,場(chǎng)效應(yīng)是什么控制器件

    晶體管和場(chǎng)效應(yīng)是兩種非常重要的電子控制器件,它們?cè)诂F(xiàn)代電子技術(shù)中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。 一、晶體管 晶體管的工作原理
    的頭像 發(fā)表于 08-01 09:14 ?556次閱讀

    晶體管處于放大狀態(tài)的條件是什么

    晶體管是一種半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中。它具有三個(gè)主要的引腳:基極(B)、發(fā)射極(E)和集電極(C)。晶體管的工作原理是通過控制基極和發(fā)射極之間的電流,來控制集電極和發(fā)射極之間的電流。
    的頭像 發(fā)表于 07-18 18:15 ?1555次閱讀

    PNP晶體管符號(hào)和結(jié)構(gòu) 晶體管測(cè)試儀電路圖

    PNP晶體管是一種雙極性晶體管,用于電子電路中放大、開關(guān)和控制電流的器件。與NPN晶體管相對(duì)應(yīng),PNP晶體管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)在于其三個(gè)不同的半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 07-01 17:45 ?2582次閱讀
    PNP<b class='flag-5'>晶體管</b>符號(hào)和結(jié)構(gòu) <b class='flag-5'>晶體管</b>測(cè)試儀電路圖

    研究人員開發(fā)出高性能p型非晶氧化物半導(dǎo)體

    和 107 的開/關(guān)電流比,與早期 n 型氧化物薄膜晶體管的關(guān)鍵電氣屬性非常相似。此外,薄膜晶體管在長(zhǎng)時(shí)間偏置應(yīng)力下表現(xiàn)出顯著的穩(wěn)定性以及大面積薄膜的均勻性。 圖源:浦項(xiàng)工科大學(xué) 研究人員合作開發(fā)了碲硒復(fù)合氧化物半導(dǎo)體材料。他們
    的頭像 發(fā)表于 04-30 14:58 ?512次閱讀
    <b class='flag-5'>研究人員</b>開發(fā)出高性能p型非晶氧化物半導(dǎo)體

    基于量子干涉技術(shù)的單分子晶體管問世

    隨著晶體管變得越來越小,以便在更小的占地面積內(nèi)容納更多的計(jì)算能力。一個(gè)由英國(guó)、加拿大和意大利研究人員組成的團(tuán)隊(duì)開發(fā)了一種利用量子效應(yīng)的單分子晶體管,利用量子干涉來控制電子流。
    的頭像 發(fā)表于 04-08 11:40 ?634次閱讀

    如何提高晶體管的開關(guān)速度,讓晶體管快如閃電

    咱們今天講講電子世界的跑步選手——晶體管。這小東西在電子產(chǎn)品里就像是繼電賽跑的選手,開關(guān)的速度決定了電子設(shè)備的快慢。那么,如何才能提高晶體管的開關(guān)速度呢?來一探究竟。如果把
    的頭像 發(fā)表于 04-03 11:54 ?701次閱讀
    如何提高<b class='flag-5'>晶體管</b>的開關(guān)<b class='flag-5'>速度</b>,讓<b class='flag-5'>晶體管</b>快如閃電

    什么是達(dá)林頓晶體管?達(dá)林頓晶體管的基本電路

    達(dá)林頓晶體管(Darlington Transistor)也稱為達(dá)林頓對(duì)(Darlington Pair),是由兩個(gè)或更多個(gè)雙極性晶體管(或其他類似的集成電路或分立元件)組成的復(fù)合結(jié)構(gòu)。通過這種結(jié)構(gòu),第一個(gè)雙極性晶體管放大的電流
    的頭像 發(fā)表于 02-27 15:50 ?5434次閱讀
    什么是達(dá)林頓<b class='flag-5'>晶體管</b>?達(dá)林頓<b class='flag-5'>晶體管</b>的基本電路

    晶體管Ⅴbe擴(kuò)散現(xiàn)象是什么?

    晶體管并聯(lián)時(shí),當(dāng)需要非常大的電流時(shí),可以將幾個(gè)晶體管并聯(lián)使用。因?yàn)榇嬖赩BE擴(kuò)散現(xiàn)象,有必要在每一個(gè)晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個(gè)小電阻。電阻R用以保證流過每個(gè)晶體管的電流近似相同。電阻值R
    發(fā)表于 01-26 23:07

    用于混合應(yīng)用的絲基晶體管將絲作為絕緣體 賦予晶體管新的傳感能力

    賦予它們新的能力,例如直接對(duì)環(huán)境或人體做出反應(yīng)的能力。 在一項(xiàng)新研究中,研究人員嘗試在晶體管中使用蠶絲。"這項(xiàng)研究的資深作者、馬薩諸塞州梅德福塔夫茨大學(xué)應(yīng)用物理學(xué)家Fiorenzo O
    的頭像 發(fā)表于 01-22 19:47 ?270次閱讀

    利用莫爾圖樣開發(fā)的莫爾突觸晶體管

    受人腦的啟發(fā),研究人員開發(fā)出了一種新的突觸晶體管,它可以像人腦一樣同時(shí)處理和存儲(chǔ)信息,進(jìn)行更高層次的思考。
    的頭像 發(fā)表于 01-13 11:12 ?715次閱讀

    有什么方法可以提高晶體管的開關(guān)速度呢?

    在其內(nèi)部移動(dòng)的時(shí)間越短,從而提高開關(guān)速度。因此,隨著技術(shù)的進(jìn)步,晶體管的尺寸不斷縮小。例如,從70納米(nm)縮小到現(xiàn)在的7納米。 2. 新材料:
    的頭像 發(fā)表于 01-12 11:18 ?1283次閱讀

    如何根據(jù)管腳電位判斷晶體管

    晶體管是一種常用的電子器件,用于放大和控制電信號(hào)。判斷晶體管的一種常見方法是根據(jù)管腳電位來識(shí)別晶體管的類型和狀態(tài)。本文將詳細(xì)介紹如何根據(jù)管腳電位來判斷
    的頭像 發(fā)表于 01-09 17:29 ?2535次閱讀

    FET晶體管電路設(shè)計(jì)參數(shù)

    與作為電流控制器件的雙極晶體管不同,場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓控制的。這使得FET電路的設(shè)計(jì)方式與雙極晶體管電路的設(shè)計(jì)方式大不相同。
    的頭像 發(fā)表于 01-09 15:38 ?915次閱讀