中微半導(dǎo)體發(fā)公告，這些假消息不能再傳了！

一、事件起因：“中國(guó)最強(qiáng)牛人回國(guó)，美日慌了“在網(wǎng)絡(luò)大量轉(zhuǎn)發(fā)

早在華為發(fā)布麒麟970時(shí)，有媒體報(bào)道華為在100平方毫米，指甲蓋大小的芯片里，安裝了55億顆晶體管。而蘋果最強(qiáng)的也只有33億顆，高通31億顆！還搭載了全球首款準(zhǔn)5G基帶，支持LTE Cat.18。當(dāng)華為余承東，拿著這顆“中國(guó)芯”，穩(wěn)步走上德國(guó)IFA2017世界級(jí)舞臺(tái)，全場(chǎng)尖叫時(shí)；中國(guó)國(guó)內(nèi)一片沸騰時(shí)！自豪的同時(shí)，我們要感謝一個(gè)人！他就是尹志堯！

除此之外，有些媒體發(fā)布了“回來了！中國(guó)最強(qiáng)牛人回國(guó)后，讓中國(guó)芯登上世界舞臺(tái)”的視頻，此視頻在網(wǎng)絡(luò)上被各大媒體平臺(tái)轉(zhuǎn)載，為博取觀眾眼球，這些假消息的傳播給中微半導(dǎo)體的業(yè)務(wù)開展帶了一定影響，同時(shí)也給尹志堯董事長(zhǎng)本人帶來一些困惑，為此中微半導(dǎo)體發(fā)出公告，澄清這些不實(shí)消息。

二、中微公司澄清事實(shí)以正視聽

“中國(guó)最強(qiáng)牛人回國(guó)，美日慌了”等虛假信息在網(wǎng)上流傳給集成電路業(yè)界產(chǎn)生了較大的負(fù)面影響，同時(shí)也使中微公司業(yè)務(wù)開展及中微公司董事長(zhǎng)尹志堯個(gè)人受到困擾。為此中微公司特作以下聲明，澄清事實(shí)，以正視聽：

集成電路產(chǎn)業(yè)是一個(gè)集千百萬人智慧的產(chǎn)業(yè)，是英雄輩出的產(chǎn)業(yè)，并非單靠幾個(gè)“牛人”就把中國(guó)芯推上世界舞臺(tái)，更不存在什么“最強(qiáng)”的牛人。報(bào)道中把中微公司董事長(zhǎng)尹志堯稱為“中國(guó)最強(qiáng)的牛人”或“硅谷最強(qiáng)的牛人”，這些言論都是與事實(shí)不符的夸大之詞。

集成電路的芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)極其復(fù)雜，有幾十層的微觀結(jié)構(gòu)，需要經(jīng)過幾百個(gè)乃至上千個(gè)高度精密的步驟才能制造出來。光刻機(jī)、等離子體刻蝕設(shè)備和化學(xué)薄膜設(shè)備是制造集成電路芯片必需的十大類設(shè)備中非常關(guān)鍵的、同時(shí)也是市場(chǎng)規(guī)模最大的三類設(shè)備。在集成電路設(shè)備領(lǐng)域和泛半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，中微公司專注于開發(fā)和銷售等離子體刻蝕設(shè)備和化學(xué)薄膜設(shè)備，在公司已公告的2019年度半年度報(bào)告中，也披露了公司等離子體刻蝕設(shè)備已在國(guó)際一線客戶從65納米到14納米、7納米和5納米的集成電路加工制造及先進(jìn)封裝中有具體應(yīng)用。

但要制造出集成電路芯片，需要有芯片設(shè)計(jì)、器件集成技術(shù)的開發(fā)和十多類集成電路制造設(shè)備的共同努力。中微公司的主業(yè)為開發(fā)和制造芯片制造的設(shè)備，并非研發(fā)和制造集成電路芯片本身。

此外，中微公司和華為公司沒有業(yè)務(wù)往來，沒有參與華為公司的麒麟-970芯片的開發(fā)，沒有在100平方毫米的芯片上安裝55億顆晶體管，也沒有搭載全球首款人工智能移動(dòng)計(jì)算平臺(tái)，更沒有支持LTE Cat.18。這些芯片技術(shù)均不是中微公司的專長(zhǎng)和業(yè)務(wù)，中微公司只是作為設(shè)備供應(yīng)商給芯片制造公司提供等離子體刻蝕設(shè)備，由芯片制造公司按芯片設(shè)計(jì)公司的設(shè)計(jì)生產(chǎn)芯片前段的晶圓，再由芯片封裝測(cè)試公司外包封裝，最后做成芯片。

上述報(bào)道中也重復(fù)了近年來網(wǎng)上的誤傳內(nèi)容，稱中微公司董事長(zhǎng)尹志堯在2004年回國(guó)創(chuàng)業(yè)時(shí)，美國(guó)政府慌了，對(duì)尹志堯董事長(zhǎng)實(shí)施了層層審查，甚至有的報(bào)道聲稱，沒收了600萬件文件，收走了所有的工藝圖紙和工藝配方，以上說辭完全不符合事實(shí)。

中微公司董事長(zhǎng)尹志堯與其一起回國(guó)創(chuàng)業(yè)的同仁，在硅谷工作多年，充分了解并嚴(yán)格遵守美國(guó)政府及高科技界對(duì)知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)的各項(xiàng)規(guī)定；在離開美國(guó)公司時(shí)，按規(guī)定交回了一切屬于原公司的技術(shù)和商業(yè)機(jī)密文件；在回國(guó)創(chuàng)業(yè)時(shí)，沒有帶回屬于原公司的文件，也沒有受到原公司和美國(guó)政府的審查。同時(shí)，中微公司員工在與中微公司簽署的保密協(xié)議里簽署保證不透露原公司的任何未公開的技術(shù)和商業(yè)機(jī)密，在以后的產(chǎn)品開發(fā)中不違反其他公司的任何專利權(quán)。

中微公司及其員工嚴(yán)格按照國(guó)際知識(shí)產(chǎn)權(quán)規(guī)則處理知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)，視知識(shí)產(chǎn)權(quán)為公司發(fā)展的戰(zhàn)略性資源和國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的核心要素；中微公司開發(fā)的設(shè)備產(chǎn)品均采用獨(dú)特的設(shè)計(jì)并采取了與之相應(yīng)的專利保護(hù)。成立以來，中微公司成功應(yīng)對(duì)來自三家國(guó)際領(lǐng)先半導(dǎo)體設(shè)備公司的數(shù)輪國(guó)際知識(shí)產(chǎn)權(quán)訴訟挑戰(zhàn)，涵蓋商業(yè)秘密和專利，或贏得訴訟，或與對(duì)方和解，均取得滿意結(jié)果。在過去的15年里，中微公司和美國(guó)商務(wù)部及下屬工業(yè)安全局也經(jīng)常進(jìn)行溝通。2013年美國(guó)商務(wù)部工業(yè)安全局授予中微公司“合法終端用戶”（Validated End-User）資格；由于中微公司開發(fā)出與美國(guó)設(shè)備公司具有同等質(zhì)量和相當(dāng)數(shù)量的等離子體刻蝕設(shè)備并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，美國(guó)商務(wù)部工業(yè)安全局在2015年將等離子體刻蝕設(shè)備從商業(yè)控制清單中移除。

對(duì)于個(gè)別違反真實(shí)、客觀原則誤導(dǎo)公眾的媒體，中微公司建議他們通過直接采訪和調(diào)研的方式，在充分收集第一手材料的基礎(chǔ)上，做出理性分析判斷思考，不要發(fā)布沒有事實(shí)依據(jù)的報(bào)道和內(nèi)容；公司的相關(guān)信息以公司官網(wǎng)、信息披露公告為準(zhǔn)；要實(shí)事求是，不要夸大事實(shí)，更不要用夸張和有誤導(dǎo)性的標(biāo)題來吸引公眾的注意。真正有價(jià)值的信息，是真實(shí)動(dòng)人的故事和深刻的論理，而不是夸張的標(biāo)題和虛構(gòu)的故事。同時(shí)，中微公司也希望有關(guān)方面能加強(qiáng)對(duì)自媒體、新媒體的引導(dǎo)和管理，使媒體的宣傳作用落到實(shí)處。唯有在這樣的環(huán)境中，才會(huì)有更多的人才積極投入到高科技產(chǎn)業(yè)建設(shè)，集成電路產(chǎn)業(yè)才能夠?qū)崿F(xiàn)健康發(fā)展。

三、中微半導(dǎo)體搶占全球市場(chǎng)份額

中微半導(dǎo)體設(shè)備股份有限公司致力于為全球集成電路和LED芯片制造商提供領(lǐng)先的加工設(shè)備和工藝技術(shù)解決方案。中微公司的等離子體刻蝕設(shè)備已被廣泛應(yīng)用于國(guó)際一線客戶從65納米到5納米工藝的眾多刻蝕應(yīng)用。

中微半導(dǎo)體是我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)中極少數(shù)能與全球頂尖設(shè)備公司直接競(jìng)爭(zhēng)并不斷擴(kuò)大市場(chǎng)占有率的公司，是國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)界公認(rèn)的后起之秀，從某種角度上看已很成功。但亦有業(yè)界人士提醒稱，目前中微半導(dǎo)體還只不過從國(guó)際巨頭的嘴里撕下來一小塊肉。

中微半導(dǎo)體所銷售的刻蝕設(shè)備以電容性刻蝕設(shè)備為主，其電容性刻蝕設(shè)備的全球市場(chǎng)份額占比約在1.4%。由此可見，雖然中微半導(dǎo)體的國(guó)產(chǎn)高端刻蝕設(shè)備在國(guó)際市場(chǎng)上已擁有一席之地，但在銷售規(guī)模和市場(chǎng)份額等方面仍與國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備巨頭有所差距。公司刻蝕設(shè)備在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的占有率，公司刻蝕設(shè)備正在逐步打破國(guó)際領(lǐng)先企業(yè)在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的壟斷。

2018年中微半導(dǎo)體的MOCVD設(shè)備占據(jù)全球氮化鎵基LED用MOCVD新增市場(chǎng)的41%，尤其2018年下半年更是占據(jù)了60%以上。2018年，中微半導(dǎo)體在全球氮化鎵基LED MOCVD設(shè)備市場(chǎng)占據(jù)主導(dǎo)地位。

總體而言，中微半導(dǎo)體在仍有待進(jìn)一步擴(kuò)大銷售規(guī)模、搶占市場(chǎng)份額，面對(duì)技術(shù)的快速迭代、國(guó)際巨頭的虎視眈眈，中微半導(dǎo)體絲毫不能掉以輕心。所幸的是，全球半導(dǎo)體產(chǎn)能向中國(guó)大陸轉(zhuǎn)移以成大勢(shì)所趨，加上國(guó)家政府出臺(tái)扶持政策等，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)迎來前所未有的發(fā)展契機(jī)，中微半導(dǎo)體亦有望借此契機(jī)快速成長(zhǎng)。

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