靜電防護保護元器件，ESD二極管

（文章來源：東沃）

ESD（Electrostatic Discharge Protection Devices），靜電保護元器件，又稱瞬態(tài)電壓抑制二極管陣列（TVS Array），是由多個TVS晶?；蚨O管采用不同的布局設計成具有特定功能的多路或單路ESD保護器件，主要應用于各類通信接口靜電保護，比如USB、HDMI、RS485、RS232、VGA、RJ11、RJ45、BNC、SIM、SD等接口中。專業(yè)保護器件供應商東沃電子ESD靜電保護器件，封裝形式多樣，從單路的SOD-323到多路的SOT-23、SOT-143、SOT23-6L、SOIC-8、QFN-10等。電路設計工程師可以根據(jù)電路板布局及接口類型選擇不同封裝形式的ESD靜電保護二極管。

ESD靜電二極管特性：低電容，最低可達到零點幾皮法；快速響應時間：通常小于1.0PS；體積小，小型化器件，節(jié)約PCB空間；工作電壓可以根據(jù)IC的工作電壓設計，比如：2.8V、3.3V、5V、12V、15V等等；靈活度高，可以根據(jù)應用需求設計電容、封裝形式、浪涌承受能力等參數(shù)。

封裝形式多樣化，目前東沃電子擁有的ESD封裝有：QFN-0201、SOD-882、DFN1006-3L、SOT-523、SOD-523、QFN-10、SOD-123S、SOD-323、 SOT-23、SOT-143、SOT-363、SOT23-6L、SOIC-8等。

ESD靜電二極管選型指南：ESD靜電二極管的截止電壓要大于電路中最高工作電壓；脈沖峰值電流IPP 和最大箝位電壓VC 的選擇，要根據(jù)線路上可能出現(xiàn)的最大浪涌電流來選擇合適IPP的型號，需要注意的是，此時的VC 應小于被保護晶片所能耐受的最大峰值電壓。

用于信號傳輸電路保護時，一定要注意所傳輸信號的頻率或傳輸速率，當信號頻率或傳輸速率較高時，應選用低電容系列的ESD靜電二極管；根據(jù)電路設計布局及被保護線路數(shù)選擇合適的封裝。ESD封裝的大小從一定程度上可以反應器件的防護等級大小，一般封裝越大的器件可容納的ESD芯片面積也越大，防護等級也越高，反之亦然。

ESD靜電二極管參數(shù)詳解。VRWM：反向截止電壓、通俗地講，就是ESD允許施加的最大工作電壓，在該電壓下ESD處于截止狀態(tài)，此時ESD的漏電流很小，為幾微安甚至更低。VBR：擊穿電壓，擊穿電壓是ESD要開始動作（雪崩擊穿）的電壓，一般在規(guī)定的電流下測量，通常在大小為1mA的 電流下測量。IR：反向漏電流，即在ESD器件兩端施加VRWM電壓下測得ESD的漏電流。

IPP：峰值脈沖電流，一般采用8/20μs的波形測量。VC： 鉗位電壓，在給定大小的IPP下測得ESD兩端的電壓。大部分ESD產(chǎn)品VC與VBR及IPP成正比關系。C J：結(jié)電容，ESD的結(jié)電容與ESD的芯片面積、工作電壓有關系。對于相同電壓ESD產(chǎn)品，芯片面積越大結(jié)電容越大；對于相同芯片面積的ESD，工作電壓越高結(jié)電容就越低。

ESD靜電二極管選型事項：ESD一般用于各類通信端口靜電防護，在一些高速數(shù)據(jù)線路，比如USB3.0、HDMI、IEEE1394等接口，ESD靜電保護二極管的結(jié)電容應盡量選擇小的，以避免影響通信質(zhì)量；ESD有單向（A）和雙向（C）之分，根據(jù)工作的信號進行選擇，單極性的信號可以選擇單向的 ESD或雙向的ESD， 雙極性的信號要選擇雙向的ESD。

具體選擇什么型號的ESD靜電二極管做靜電防護，還需要在專業(yè)的電子工程師指導下選擇；ESD靜電保護二極管廣泛應用于通信、安防、工業(yè)、汽車、消費類產(chǎn)品、智能穿戴設備等電子產(chǎn)品的通信線及I/O口等靜電保護。
（責任編輯：fqj）