ASML研發(fā)新一代EUV光刻機 分辨率能提升70%左右
在EUV光刻機方面，荷蘭ASML（阿斯麥）公司壟斷了目前的EUV光刻機，去年出貨26臺，創(chuàng)造了新紀錄。據(jù)報道，ASML公司正在研發(fā)新一代EUV光刻機，預(yù)計在2022年開始出貨。
根據(jù)ASML之前的報告，去年他們出貨了26臺EUV光刻機，預(yù)計2020年交付35臺EUV光刻機，2021年則會達到45臺到50臺的交付量，是2019年的兩倍左右。
目前ASML出貨的光刻機主要是NXE:3400B及改進型的NXE:3400C，兩者基本結(jié)構(gòu)相同，但NXE:3400C采用模塊化設(shè)計，維護更加便捷，平均維修時間將從48小時縮短到8-10小時，支持7nm、5nm。
此外，NXE:3400C的產(chǎn)能也從之前的125WPH（每小時處理晶圓數(shù)）提升到了175WPH。
不論NXE:3400B還是NXE:3400C，目前的EUV光刻機還是第一代，主要特點是物鏡系統(tǒng)的NA（數(shù)值孔徑）為0.33。
ASML最近紕漏他們還在研發(fā)新一代EUV光刻機EXE:5000系列，NA指標達到了0.55，主要合作伙伴是卡爾蔡司、IMEC比利時微電子中心。
與之前的光刻機相比，新一代光刻機意味著分辨率提升了70%左右，可以進一步提升光刻機的精度，畢竟ASML之前的目標是瞄準了2nm甚至極限的1nm工藝的。
不過新一代EUV光刻機還有點早，至少到2022年才能出貨，大規(guī)模出貨要到2024年甚至2025年，屆時臺積電、三星等公司確實要考慮3nm以下的制程工藝了。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
光刻機
+關(guān)注
關(guān)注
31文章
1159瀏覽量
47755 -
ASML
+關(guān)注
關(guān)注
7文章
722瀏覽量
41550
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
光刻機巨頭ASML業(yè)績暴雷，芯片迎來新一輪“寒流”？
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）作為芯片制造過程中的核心設(shè)備，光刻機決定著芯片工藝的制程。尤其是EUV光刻機已經(jīng)成為高端芯片（7nm及以下）芯片量產(chǎn)的關(guān)鍵，但目前EUV
如何提高光刻機的NA值
本文介紹了如何提高光刻機的NA值。 為什么光刻機希望有更好的NA值？怎樣提高？ ? 什么是NA值？ ? 如上圖是某型號的光刻機配置，每代光刻機
光刻機的分類與原理
本文主要介紹光刻機的分類與原理。 ? 光刻機分類 光刻機的分類方式很多。按半導(dǎo)體制造工序分類，光刻設(shè)備有前道和后道之分。前道光刻機包括芯片
組成光刻機的各個分系統(tǒng)介紹
納米級別的分辨率。本文將詳細介紹光刻機的主要組成部分及其功能。 光源系統(tǒng) ? 光源系統(tǒng)是光刻機的心臟，負責(zé)提供曝光所需的能量。早期的光刻機使用汞燈作為光源，但隨著技術(shù)的進步，目前多采用
日本首臺EUV光刻機就位
本月底完成。 Rapidus 計劃 2025 年春季使用最先進的 2 納米工藝開發(fā)原型芯片，于 2027 年開始大規(guī)模生產(chǎn)芯片。 EUV 機器結(jié)合了特殊光源、鏡頭和其他技術(shù)，可形成超精細電路圖案。該系統(tǒng)體積小，不易受到振動和其他干擾。 ASML 是全球唯
用來提高光刻機分辨率的浸潤式光刻技術(shù)介紹
? 本文介紹了用來提高光刻機分辨率的浸潤式光刻技術(shù)。 芯片制造：光刻技術(shù)的演進 過去半個多世紀，摩爾定律一直推動著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，但當
ASML擬于2030年推出Hyper-NA EUV光刻機，將芯片密度限制再縮小
ASML再度宣布新光刻機計劃。據(jù)報道，ASML預(yù)計2030年推出的Hyper-NA極紫外光機（EUV），將縮小最高電晶體密度芯片的設(shè)計限制。
后門！ASML可遠程鎖光刻機！
來源：國芯網(wǎng)，謝謝 編輯：感知芯視界 Link 5月22日消息，據(jù)外媒報道，臺積電從ASML購買的EUV極紫外光刻機，暗藏后門，可以在必要的時候執(zhí)行遠程鎖定！ 據(jù)《聯(lián)合早報》報道，荷蘭方面在
ASML考慮推出通用EUV光刻平臺
范登布林克指出，更高的數(shù)值孔徑能提高光刻分辨率。他進一步解釋說，Hyper NA 光刻機將簡化先進制程生產(chǎn)流程，避免因使用 High NA
臺積電A16制程采用EUV光刻機，2026年下半年量產(chǎn)
據(jù)臺灣業(yè)內(nèi)人士透露，臺積電并未為A16制程配備高數(shù)值孔徑（High-NA）EUV光刻機，而選擇利用現(xiàn)有的EUV光刻機進行生產(chǎn)。相較之下，英特爾和三星則計劃在此階段使用最新的High-N
ASML發(fā)貨第二臺High NA EUV光刻機，已成功印刷10nm線寬圖案
ASML公司近日宣布發(fā)貨了第二臺High NA EUV光刻機，并且已成功印刷出10納米線寬圖案，這一重大突破標志著半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的技術(shù)革新向前邁進了
英特爾突破技術(shù)壁壘：首臺商用High NA EUV光刻機成功組裝
英特爾的研發(fā)團隊正致力于對這臺先進的ASML TWINSCAN EXE:5000 High NA EUV光刻機進行細致的校準工作，以確保其能夠順利融入未來的生產(chǎn)線。
阿斯麥(ASML)公司首臺高數(shù)值孔徑EUV光刻機實現(xiàn)突破性成果
)光刻機，并已經(jīng)成功印刷出首批圖案。這一重要成就，不僅標志著ASML公司技術(shù)創(chuàng)新的新高度，也為全球半導(dǎo)體制造行業(yè)的發(fā)展帶來了新的契機。目前，全球僅有兩臺高數(shù)值孔徑EUV
光刻機的發(fā)展歷程及工藝流程
光刻機經(jīng)歷了5代產(chǎn)品發(fā)展，每次改進和創(chuàng)新都顯著提升了光刻機所能實現(xiàn)的最小工藝節(jié)點。按照使用光源依次從g-line、i-line發(fā)展到KrF、ArF和
發(fā)表于 03-21 11:31
?7189次閱讀
ASML 首臺新款 EUV 光刻機 Twinscan NXE:3800E 完成安裝
ASML 官網(wǎng)尚未上線 Twinscan NXE:3800E 的信息頁面。 除了正在研發(fā)的 High-NA EUV 光刻機 Twinscan EXE 系列，
工商網(wǎng)監(jiān)
評論