化合物半導(dǎo)體GaN在8寸晶圓的發(fā)展備受矚目

在新型冠狀病毒疫情的影響下，已有部份晶圓代工廠調(diào)降對(duì)2020年市場(chǎng)成長(zhǎng)性的預(yù)估，不過(guò)為把握5G、AI、車(chē)用與物聯(lián)網(wǎng)帶來(lái)的新興需求，晶圓代工廠仍持續(xù)進(jìn)行必要性的制程轉(zhuǎn)移與產(chǎn)品規(guī)劃。

28nm需求復(fù)蘇時(shí)間或延后，新興產(chǎn)品支撐力道目前無(wú)損

28nm節(jié)點(diǎn)由于過(guò)去產(chǎn)能規(guī)劃量大與產(chǎn)品轉(zhuǎn)進(jìn)先進(jìn)制程，目前市場(chǎng)呈現(xiàn)供過(guò)于求情形，加上中國(guó)晶圓代工廠為提升芯片自給率仍持續(xù)擴(kuò)建自有28nm產(chǎn)能，使得目前28nm節(jié)點(diǎn)的平均稼動(dòng)率僅約70～75%，相較其他制程節(jié)點(diǎn)低。

除了陸系廠商既有的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃外，包括臺(tái)積電、聯(lián)電等一線(xiàn)廠商對(duì)于28nm制程稼動(dòng)率的復(fù)甦時(shí)程仍保守看待。

然而，自2019年底開(kāi)始，受惠于OLED驅(qū)動(dòng)IC、高畫(huà)素CMOS Sensor的ISP（Image Signal Processor）、部份網(wǎng)通RF IC與物聯(lián)網(wǎng)芯片逐步轉(zhuǎn)進(jìn)28nm，可望為該節(jié)點(diǎn)稼動(dòng)率提供穩(wěn)定且長(zhǎng)期的支撐力道。

在制程優(yōu)化方面，臺(tái)積電與聯(lián)電推出的22nm制程，以超低功耗與超低漏電率的特點(diǎn)適合廣泛使用在穿戴式裝置與物聯(lián)網(wǎng)相關(guān)應(yīng)用，目前陸續(xù)有產(chǎn)品完成制程開(kāi)發(fā)并進(jìn)入驗(yàn)證階段，部份客戶(hù)也在2020年進(jìn)行投片規(guī)劃，未來(lái)有望為提升28nm稼動(dòng)率增添動(dòng)能。

雖然新型冠狀病毒的影響為終端制造與市場(chǎng)需求增添不確定性，或?qū)⑹沟迷绢A(yù)期提升28nm稼動(dòng)率的時(shí)間點(diǎn)延后，不過(guò)基本上新興產(chǎn)品對(duì)22/28nm制程的采用度相對(duì)較重要，即便未來(lái)市場(chǎng)需求走勢(shì)減緩，也不致影響上述產(chǎn)品對(duì)28nm節(jié)點(diǎn)的支撐力道，仍有機(jī)會(huì)在2020年實(shí)現(xiàn)提升28nm稼動(dòng)率目標(biāo)。

化合物半導(dǎo)體GaN在8寸晶圓的發(fā)展備受矚目

分析8寸晶圓成熟制程產(chǎn)品，除產(chǎn)能吃緊需持續(xù)關(guān)注外，化合物半導(dǎo)體氮化稼（GaN）元件在8寸晶圓上的發(fā)展也備受矚目。

化合物半導(dǎo)體在5G、電動(dòng)車(chē)與高速充電等應(yīng)用興起后重要性大幅提升，吸引眾多廠商投入開(kāi)發(fā)，不過(guò)受限材料具有不同的熱膨脹系數(shù)（CTE），目前量產(chǎn)品多以6寸晶圓制作。

然而，為因應(yīng)日后GaN在多方應(yīng)用領(lǐng)域的元件需求，并提升GaN-on-Silicon取代Silicon功率元件的成本競(jìng)爭(zhēng)力，發(fā)展8寸晶圓的GaN產(chǎn)品仍有其必要性。

此外，發(fā)展8寸GaN晶圓技術(shù)，也有利于現(xiàn)行以12寸與8寸晶圓為生產(chǎn)主力的晶圓代工廠商，包括2020年2月20日臺(tái)積電與STMicroelectronics宣布合作加速GaN功率產(chǎn)品開(kāi)發(fā)與量產(chǎn)，以及世界先進(jìn)在2019年第四季法說(shuō)會(huì)上提到的8寸GaN晶圓計(jì)劃。

因此，即便IDM掌握較多GaN的相關(guān)技術(shù)，但考量到降低量產(chǎn)成本和提高整合度需求，與晶圓代工廠合作不失為雙贏選項(xiàng)，加上針對(duì)客制化元件開(kāi)發(fā)，對(duì)晶圓代工廠商的依賴(lài)度將提升，助益晶圓代工廠商在成熟制程節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)品需求。
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