曝Intel將在2021年大規(guī)模使用臺(tái)積電的6nmn工藝 且2022年進(jìn)一步使用臺(tái)積電的3nm工藝代工

在半導(dǎo)體工藝上，Intel的10nm已經(jīng)量產(chǎn)，但是官方也表態(tài)其產(chǎn)能不會(huì)跟22nm、14nm那樣大，這或許是一個(gè)重要的信號(hào)。此前業(yè)界多次傳出Intel也會(huì)外包芯片給臺(tái)積電，最新爆料稱2022年Intel也會(huì)上臺(tái)積電3nm。

來(lái)自業(yè)界消息人士@手機(jī)晶片達(dá)人的爆料稱，Intel預(yù)計(jì)會(huì)在2021年大規(guī)模使用臺(tái)積電的6nmn工藝，目前正在制作光罩（Mask）了。

在2022年Intel還會(huì)進(jìn)一步使用臺(tái)積電的3nm工藝代工。

在更早的爆料中，手機(jī)晶片達(dá)人指出Intel 2021年開(kāi)始外包外公的主要是GPU及芯片組，還警告說(shuō)2021年蘋果、海思、Intel及AMD會(huì)讓產(chǎn)能非常緊張。

假如Intel真的打算擴(kuò)大外包，除了已經(jīng)部分外包的芯片組之外，首當(dāng)其沖的就是GPU，因?yàn)镚PU相對(duì)CPU制造來(lái)說(shuō)更簡(jiǎn)單一些，而且臺(tái)積電在GPU制造上很有經(jīng)驗(yàn)。

結(jié)合之前的消息來(lái)看，Intel的Xe架構(gòu)獨(dú)顯DG1使用的是自家10nm工藝制造，今年底上市，擁有96組EU執(zhí)行單元，一共是768個(gè)核心，基礎(chǔ)頻率1GHz，加速頻率1.5GHz，1MB二級(jí)緩存以及3GB顯存，TDP為25W。

預(yù)計(jì)DG1的性能與GTX950相當(dāng)，比GTX 1050則差了15%左右，總體定位不高，適合高能效領(lǐng)域，尤其是筆記本GPU。

DG1之后還會(huì)有DG2獨(dú)顯，這就是一款高性能CPU了，之前爆料DG2會(huì)用上臺(tái)積電的7nm工藝，現(xiàn)在來(lái)看應(yīng)該是7nm改良版的6nm工藝了。

不過(guò)2021年Intel自己的7nm工藝也會(huì)量產(chǎn)，官方早已宣布用于數(shù)據(jù)中心的Ponte Vecchio加速卡會(huì)使用自家的7nm EUV工藝。

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